放射源非能动自指示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种放射源非能动自指示装置，包括壳体、屏蔽件、检测件、连接件以及指示件，所述壳体内设有容纳腔，所述容纳腔用于收容放射源，所述屏蔽件装设于所述壳体的内壁上，用于对收容在所述容纳腔内的所述放射源进行密闭贮存，所述检测件装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述放射源相对设置，所述连接件的一端穿过所述屏蔽件并与所述检测件连接，所述连接件的另一端与所述指示件连接。即通过将所述检测件设置在所述容纳腔内，以对收容在所述容纳腔内的所述放射源进行检测，并将检测结果通过所述连接件传输至所述指示件处，从而能够及时发现放射源是否移出或丢失，以有效地防止辐射事故的发生。辐射事故的发生。辐射事故的发生。

【技术实现步骤摘要】
放射源非能动自指示装置


[0001]本技术涉及测量装置领域，特别涉及一种放射源非能动自指示装置。

技术介绍

[0002]目前，放射源已广泛地应用在工业、农业、医疗以及科研等国民生产领域，并按每年约15％的速度增加，在GDP中的比重也越来越大。但是在造福于人类的同时，容易产生的辐射事故从而导致生命、财产及社会效益的重大损失。据IAEA致电离辐射数据库(IRID)数据显示，50％辐射事故来自辐射的工业应用，特别是移动放射源更易发生辐射事故。
[0003]除设备故障或设计缺陷外，放射源的丢失、失控大多是人因失误，由于射线具有无色、无味等特性，不通过专业设备难以被人察觉，辐射事故往往在不知不觉中发生，时间越长后果越严重。按照我国放射源管理相关法规和标准要求，应委托有资质检测机构，定期对含放射性同位素设备及射线装置、放射工作场所、放射防护设施性能等进行经常性检测，但这种监管手段还不能做到对于放射源的实时动态监控，难以第一时间发现放射源移出或丢失。
[0004]因此，针对放射源的安全及保安开发一种能够及时发现放射源移出或丢失的指示装置，提高设备的固有安全性，对有效防止辐射事故的发生是非常有效的。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的是旨在解决上述问题中的至少之一，提供一种放射源非能动自指示装置。
[0006]为实现上述目的，本技术提出了一种放射源非能动自指示装置，所述放射源非能动自指示装置包括：
[0007]壳体，所述壳体内设有容纳腔，所述容纳腔用于收容放射源；
[0008]屏蔽件，所述屏蔽件装设于所述壳体的内壁上，用于对收容在所述容纳腔内的所述放射源进行密闭贮存；
[0009]检测件，所述检测件装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述放射源相对设置；
[0010]连接件以及指示件，所述连接件的一端穿过所述屏蔽件并与所述检测件连接，所述连接件的另一端与所述指示件连接。
[0011]在一可选实施例中，所述检测件为非晶硒平板探测器，所述非晶硒平板探测器包括：
[0012]第一连接层，所述第一连接层装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述连接件穿过所述屏蔽件的一端连接；
[0013]非晶硒层，所述非晶硒层设于所述第一连接层的一侧，并与所述放射源相对设置。
[0014]在一可选实施例中，所述第一连接层为薄膜半导体阵列。
[0015]在一可选实施例中，所述检测件为非晶硅平板探测器，所述非晶硅平板探测器包括：
[0016]第二连接层，所述第二连接层装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述连接件穿过所述屏蔽件的一端连接；
[0017]非晶硅层，所述非晶硅层设于所述第二连接层的一侧；
[0018]第一发光层，所述第一发光层设于所述非晶硅层的一侧，并与所述放射源相对设置。
[0019]在一可选实施例中，所述第一发光层为闪烁体，所述闪烁体的材料为碘化铯、碘化钠、锗酸铋、钨酸钙、钨酸镉中的至少一种。
[0020]在一可选实施例中，所述第一发光层为荧光体，所述荧光体的材料为硫氧化钆、硫化锌镉、溴氧化镧、硫化锌中的至少一种。
[0021]在一可选实施例中，所述第二连接层为薄膜半导体阵列、电荷耦合器件、互补型金属氧化物半导体中的一种。
[0022]在一可选实施例中，所述检测件为非晶硅平板探测器，所述非晶硅平板探测器包括：
[0023]第三连接层，所述第三连接层装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述连接件穿过所述屏蔽件的一端连接；
[0024]聚光件，所述聚光件设于所述第三连接层的一侧；
[0025]第二发光层，所述第二发光层设于所述聚光件的一侧，并与所述放射源相对设置。
[0026]在一可选实施例中，所述聚光件为透镜或光导纤维，所述第三连接层为电荷耦合器件或互补型金属氧化物半导体。
[0027]在一可选实施例中，所述连接件为光导，所述指示件为LED灯；或者
[0028]所述连接件为导线，所述指示件为报警装置。
[0029]本技术提供了一种放射源非能动自指示装置，包括壳体、屏蔽件、检测件、连接件以及指示件，所述壳体内设有容纳腔，所述容纳腔用于收容放射源，所述屏蔽件装设于所述壳体的内壁上，用于对收容在所述容纳腔内的所述放射源进行密闭贮存，所述检测件装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述放射源相对设置，所述连接件的一端穿过所述屏蔽件并与所述检测件连接，所述连接件的另一端与所述指示件连接。即本技术提供的技术方案中，通过将所述检测件设置在所述容纳腔内，以对收容在所述容纳腔内的所述放射源进行检测，并将检测结果通过所述连接件传输至所述指示件处，从而能够及时发现放射源是否移出或丢失，以有效地防止辐射事故的发生。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本技术实施例或示例性中的技术方案，下面将对实施例或示例性描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的获得其他的附图。
[0031]图1为本技术实施例放射源非能动自指示装置的结构示意图；
[0032]图2为本技术一实施例检测件的结构示意图；
[0033]图3为本技术另一实施例检测件的结构示意图；
[0034]图4为本技术又一实施例检测件的结构示意图。
[0035]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0036]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0037]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0038]另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0039]本技术提供了一种放射源非能动自指示装置。
[0040]在一实施例中，如图1所示，所述放射源非能动自指示装置包括壳体1、屏蔽件2、检测件3、连接件4以及指示件5，所述壳体1内设有容纳腔11，所述容纳腔11用于收容放射源A，所述屏蔽件2装设于所述壳体1的内壁上，且用于收容在所述容纳腔内的所述放射源A进行密闭贮存，所述检测件3装设在所述屏蔽件2的一侧，并与所述放射源A相对设置，所述连接件4的一端穿过所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放射源非能动自指示装置，其特征在于，所述放射源非能动自指示装置包括：壳体，所述壳体内设有容纳腔，所述容纳腔用于收容放射源；屏蔽件，所述屏蔽件装设于所述壳体的内壁上，用于对收容在所述容纳腔内的所述放射源进行密闭贮存；检测件，所述检测件装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述放射源相对设置；连接件以及指示件，所述连接件的一端穿过所述屏蔽件并与所述检测件连接，所述连接件的另一端与所述指示件连接。2.根据权利要求1所述的放射源非能动自指示装置，其特征在于，所述检测件为非晶硒平板探测器，所述非晶硒平板探测器包括：第一连接层，所述第一连接层装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述连接件穿过所述屏蔽件的一端连接；非晶硒层，所述非晶硒层设于所述第一连接层的一侧，并与所述放射源相对设置。3.根据权利要求2所述的放射源非能动自指示装置，其特征在于，所述第一连接层为薄膜半导体阵列。4.根据权利要求1所述的放射源非能动自指示装置，其特征在于，所述检测件为非晶硅平板探测器，所述非晶硅平板探测器包括：第二连接层，所述第二连接层装设在所述屏蔽件的一侧，并与所述连接件穿过所述屏蔽件的一端连接；非晶硅层，所述非晶硅层设于所述第二连接层的一侧；第一发光层，所述第一发光层设于所述非晶硅层的一侧，并与所述放射源相...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓峰，王桂敏，周林，史强，王宝祥，徐海峰，许忠扬，孟利利，
申请(专利权)人：生态环境部核与辐射安全中心，
类型：新型
国别省市：