一种SDB隔离效果测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种SDB隔离效果测试结构，包括第一梳状结构、第二梳状结构和测试单元，能对测试单元中的SDB隔离效果进行测试；设第一梳状结构中的梳齿为第一梳齿，第二梳状结构中的梳齿为第二梳齿；所述第一梳齿在第一方向上的一端通过M1相互连接，所述第二梳齿在第一方向上的另一端通过M1相互连接；且第一梳齿和第二梳齿交错间隔设置；所述测试单元是指包含两个第一M0A的SDBseed1_cluster。结构简洁，适用于在各种实际设计中测试SDB的隔离效果。适用于在各种实际设计中测试SDB的隔离效果。适用于在各种实际设计中测试SDB的隔离效果。

【技术实现步骤摘要】
一种SDB隔离效果测试结构


[0001]本技术属于半导体设计和测试领域，具体涉及一种用于测试SDB隔离效果的测试结构。

技术介绍

[0002]浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25μm以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。随着集成电路被缩减到14nm节点或更小的尺寸，有源区之间的浅槽隔离区域的宽度越来越难以缩小，导致面积利用率无法进一步提高。
[0003]为了解决这个问题，现有技术中在原有的两个有效的有源区之间通过设置特别设计的虚拟栅极(dummy gates)来形成隔离，代替原有的浅槽隔离手段，可参考图1(a)SDB隔离相比图1(b)中的STI隔离占用的面积更小。这种特别设置的虚拟栅极被称为单扩散中断(SDB，single diffusion break)，是用于电隔离该SDB 两侧有源区的结构。但是，如何对SDB是否确实有起到良好的隔离效果进行有效的测试，依旧是本领域的一个技术难题。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SDB隔离效果测试结构，其特征在于：包括第一梳状结构、第二梳状结构和测试单元，能对测试单元中的SDB隔离效果进行测试；设栅极延伸方向为第一方向，垂直于栅极延伸方向为第二方向；其中M0A用于连接有源区M0P用于连接栅极；两侧都与有源区接触的SDB设定为第一SDB，与所述第一SDB接触的有源区设定为第一有源区；将位于第一有源区上、连接有V0、不与M0P及非第一有源区接触的M0A设定为第一M0A；所述第一梳状结构和第二梳状结构中各包括若干根沿着第一方向的梳齿；所述梳齿是铺设在测试单元中的第一M0A上的M1，并通过V0与该第一M0A连接；设第一梳状结构中的梳齿为第一梳齿，第二梳状结构中的梳齿为第二梳齿；所述第一梳齿在第一方向上的一端通过M1相互连接，所述第二梳齿在第一方向上的另一端通过M1相互连接；且第一梳齿和第二梳齿交错间隔设置；第一SDB以及与该第一SDB接触的第一有源区上的第一M0A的组合设定为SDBseed1_cluster；所述测试单元是包含两个第一M0A的SDBseed1_cluster。2.根据权利要求1所述的一种SDB隔离效果测试结构，其特征在于：所述SDB隔离效果测试结构设置在选定的测试区域内。3.根据权利要求2所述的一种SDB隔离效果测试结构，其特征在于：M1满足预设版图设计规则，包括：对于连接作为梳齿的M1和第一M0A的V0，其与该M1的边缘在第一方向上的垂直间距满足预设版图设计规则。4.根据权利要求2所述的一种SDB隔离效果测试结...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘伟伟，杨璐丹，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：