用于存储开关的受控衬底电压制造技术

存储器件中的体触点的活动控制能在器件工作期间提供可变的衬底电压。体触点可用于调整激活的存储单元中开关的体偏置，同时维持不活动的存储单元中开关的体偏置。这就能降低体效应（即是由于衬底或本体电压的变化所引起的阈值电压的变化）并且因此能够在激活字线（ＷＬ）的同时提供改善的矩阵器件性能（例如降低数据不纯）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及一种半导体存储集成电路(IC)，比如动态随机存取存储器(DRAM)，并更具体地涉及一种用于这种IC的受控衬底电压。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)是所有半导体集成电路(IC)中最常制造的产品。DRAM是数据存储器件，用于将数据存储为在存储电容器上的电荷。DRAM通常包括存储单元的阵列。每个存储单元包括存储电容器和用于向和从存储电容器转移电荷的晶体管。每个存储单元由字线(WL)寻址并且由位线(BL)对来访问。WL控制晶体管，使得晶体管将存储电容器耦合到BL对并且从BL对去耦合所述存储电容器，以便将数据写入存储单元和从存储单元读出数据。多个字线对应于多个行的存储单元，而多个位线对对应于多个列的存储单元。DRAM阵列器件应当被设计为具有最小的漏电流，以便能够支持尽可能高的保持时间。因此，衬底电压通常连接到负电压电平，比如-0.5V，以便降低漏电流。但是，这增加了到衬底电压的源，由此增加了阈值电压并降低了器件性能(例如，降低了回写电流)。此外，DRAM器件可不共享公共的衬底，但可具有各自的衬底井(substratewell)。这些DRAM器件的例子包括在绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＤＲＡＭ设备，包括：一个存储单元，包括具有衬底井的晶体管；和一个与所述衬底井耦合的电压调整器，用于调整所述衬底井上的电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-8-29 10/652,2661.一种DRAM设备，包括一个存储单元，包括具有衬底井的晶体管；和一个与所述衬底井耦合的电压调整器，用于调整所述衬底井上的电压。2.如权利要求1所述的设备，包括与所述存储单元耦合的输入端，用于访问所述存储单元，所述电压调整器耦合到所述输入端，并且响应于所述输入端的激活以调整所述衬底井上的电压。3.如权利要求2所述的设备，其中所述输入端是字线。4.如权利要求2所述的设备，其中所述电压调整器包括与所述输入端和所述衬底井耦合的开关，所述开关响应于所述输入端的激活以启动对所述衬底井上电压的调整。5.如权利要求4所述的设备，其中所述电压调整器包括在预定电压上与所述开关耦合的节点。6.如权利要求5所述的设备，其中所述节点耦合到所述衬底井。7.如权利要求5所述的设备，其中所述电压调整器包括串联连接在所述开关和所述节点之间的电阻器。8.如权利要求7所述的设备，其中所述开关包括一个晶体管，所述晶体管具有与输入端耦合的栅极、与所述电阻器和衬底井耦合的漏极，以及与电压源耦合的源极。9.如权利要求5所述的设备，其中所述电压调整器包括在另一个预定电压上与所述开关耦合的另一个节点。10.如权利要求9所述的设备，其中所述电压调整器包括串联连接在所述第一次提及的节点和所述开关之间的电阻器，所述开关响应于所述输入端的激活以将所述电阻器连接到所述另一个节点，将所述衬底井连接到所述电阻器。11.如权利要求10所述的设备，其中所述第一次提及的电压大约为-0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：P佩赫米勒，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]