测试电路制造技术

本申请公开一种测试电路，该测试电路包括：主模块，包括第一开关管，用于对第一开关管的性能进行测试；保护模块，与主模块连接，保护模块包括电流检测电路和第二开关管，当主模块的电流大于电流检测电路的预设电流阈值时，保护模块工作，通过控制第二开关管断开对主模块进行过流保护。当待测的第一开关管为不良品时，本申请可以避免测试电路短路，从而提高测试效率和降低测试成本。试效率和降低测试成本。试效率和降低测试成本。

【技术实现步骤摘要】
测试电路


[0001]本申请涉及电子电力
，具体涉及一种测试电路。

技术介绍

[0002]自氮化镓(GaN)金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET，MOS)兴起，GaN多应用在高频高效率的开关电源中，在对GaN MOS进行验证的过程中，会出现因GaN MOS为不良品，导致电路短路，造成测试板烧毁，不仅影响研发过程中的测试进度，还要重新更换新的测试板，导致成本增加。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种测试电路，以改善现有测试电路在待测的开关管为不良品时易导致测试电路短路的问题。
[0004]本申请提供一种测试电路，该测试电路包括：
[0005]主模块，包括第一开关管，用于对第一开关管的性能进行测试；
[0006]保护模块，与主模块连接，保护模块包括电流检测电路和第二开关管，当主模块的电流大于电流检测电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试电路，其特征在于，包括：主模块，包括第一开关管，用于对所述第一开关管的性能进行测试；保护模块，与所述主模块连接，所述保护模块包括电流检测电路和第二开关管，当所述主模块的电流大于所述电流检测电路的预设电流阈值时，所述保护模块工作，通过控制所述第二开关管断开对所述主模块进行过流保护。2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述电流检测电路包括电流互感器、第一二极管和第一电阻，所述电流互感器的一次绕组与所述第二开关管连接，所述电流互感器的二次绕组通过所述第一二极管与所述第一电阻连接。3.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述保护模块还包括比较自锁电路，所述比较自锁电路包括电压比较器、第二电阻和第二二极管，所述电压比较器的一个输入端与所述电流检测电路连接，所述电压比较器的输出端依次通过所述第二电阻和第二二极管与所述电压比较器的一个输入端连接。4.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，当所述电压比较器的一个输入端的电压大于所述电压比较器的另一个输入端的基准电压时，所述电压比较器的输出端的电压进行电平翻转。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鑫，葛征良，刘家才，罗鹏，
申请(专利权)人：成都氮矽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：