一种低介电常数LCP薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电常数LCP薄膜及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)将含羟基芳香族单体进行乙酰化，得到乙酰化单体；(2)将乙酰化单体与芳香二酸单体进行高温聚合，得到预聚物；(3)将预聚物与亚磷酸酯类化合物进行酯交换反应，得到液晶聚合物；(4)将液晶聚合物、无机填料和聚酰亚胺球磨混合，得到混合物；将混合物熔融塑化，冷却成膜，纵向和横向同步拉伸、收卷、分切，得到低介电常数LCP薄膜。本发明专利技术通过芳香二酸单体高温聚合，以及与亚磷酸酯类化合物进行酯交换反应，得到规整的纤维状结构，提高耐热稳定性；最后通过添加无机填料和聚酰亚胺，增强其力学性能并降低其介电损耗，得到低介电常数和低介质损耗因子的LCP薄膜。得到低介电常数和低介质损耗因子的LCP薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电常数LCP薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及液晶高分子
，具体涉及一种低介电常数LCP薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]液晶高分子(LCP)是一种由刚性分子链构成的、在一定物理条线下能出现既有液体的流动性又有晶体的物理性能各向异性状态的高分子物质，是一种兼有晶体和液体部分性质的聚合物材料。LCP材料可被加工成薄膜产品，并且由于材料的分子骨架对称性高，且液晶结构使主链的运动受限，其在高频段表现出极低的介电常数和介电损耗。因此，LCP薄膜材料因其优异的性能被广泛应用于高速连接器、5G基站天线振子、5G手机天线、高频电路板等方面。
[0003]由于LCP分子结构存在各向异性的缺陷，挤出成型后难以维持形状，对加工工艺和设备要求高，难以得到耐热性能、机械性能、介电性能优异且易加工的LCP薄膜产品。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供低介电常数LCP薄膜及其制备方法，旨在得到介电常数和介质损耗因子较低的LCP薄膜。
[0005]为实现上述目的，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介电常数LCP薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将含羟基芳香族单体进行乙酰化，得到乙酰化单体；(2)将乙酰化单体与芳香二酸单体进行高温聚合，得到预聚物；(3)将所述的预聚物与亚磷酸酯类化合物进行酯交换反应，得到液晶聚合物；(4)将所述的液晶聚合物、无机填料和聚酰亚胺球磨混合，得到混合物；将所述的混合物熔融塑化，冷却成膜，纵向和横向同步拉伸、收卷、分切，得到低介电常数LCP薄膜。2.根据权利要求1所述的低介电常数LCP薄膜的制备方法，其特征在于，所述的含羟基芳香族单体为对羟基苯甲酸、2
‑
羟基
‑6‑
萘甲酸、4
‑
羟基
‑3‑
甲氧基苯甲酸和4
‑
羟苯基丙酮酸中的至少一种。3.根据权利要求1所述的低介电常数LCP薄膜的制备方法，其特征在于，所述的乙酰化反应包括：将羟基芳香族单体、乙酸酐和催化剂混合，150
‑
200℃搅拌1
‑
3h后，在冰水浴中搅拌0.5
‑
2h，得到乙酰化单体；其中，所述的催化剂为浓硫酸；所述的羟基芳香族单体和乙酸酐的摩尔比为1:1
‑
3。4.根据权利要求1所述的低介电常数LCP薄膜的制备方法，其特征在于，所述的芳香二酸单体为对苯二甲酸、间苯二甲酸和2，6
‑
萘二甲酸中和至少一种。5.根据权利要求1所述的低介电常数LCP薄膜的制备方法，其特征在于，所述的高温聚合的条件为：在150
‑
190℃反应1
‑
3h，升温至200
‑
240℃反应1
‑
4h，再升温至250
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：张东宝，于冉，徐良，
申请(专利权)人：宁夏清研高分子新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：