本公开提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其能够解决现有的量子点发光二极管局部漏电问题，修复漏电点，有效延长量子点发光二极管使用寿命。本公开包括阳极、阴极，以及夹设在阳极和阴极之间的功能层；功能层至少包括量子点发光层；其特征在于，还包括形成在功能层中的可熔融微结构；可熔融微结构用于在量子点发光二极管工作，且功能层中产生的漏电点时熔融，并对漏电点进行填充。点进行填充。点进行填充。
【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置
[0001]本公开属于显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]量子点发光二极管(Quantumdots light
‑
emitting diode,QLED)，是一种新兴的显示器件，其发光原理和器件结构与有机发光二极管(Organic light
‑
emitting diode,OLED)相似：即量子点和有机/无机半导体在外加直流电场驱动下，激子复合发光的一种平板显示器件。对比OLED，QLED的特点在于其发光材料为胶体法制备的量子点。量子点因其独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是优异的光学性能；相对于有机荧光染料，胶体量子点具有光谱可调，发光强度大、色纯度高、单光源可激发多色荧光等优势，具有广阔发展前景。
[0003]现有量子点发光二极管在点亮过程中存在因内部缺陷引发局部漏电，持续发热，温度不断升高，导致漏电点周围功能层高温分解，使功能层失效区域不断扩大，器件寿命降低的问题。
技术实现思路
[0004]本公开旨在改进现有量子点发光二极管，为解决现有技术中量子点发光二极管存在的局部漏电，器件寿命降低的问题，本公开采用如下技术方案。
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种量子点发光二极管，其包括阳极、阴极，以及夹设在所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层至少包括量子点发光层；其特征在于，还包括形成在所述功能层中的可熔融微结构；所述可熔融微结构用于在所述量子点发光二极管工作，且所述功能层中产生的漏电点时熔融，并对所述漏电点进行填充。
[0006]其中，所述功能层至少还包括电子传输层、空穴注入层、空穴传输层；所述电子传输层位于所述阴极与所述量子点发光层之间；所述空穴注入层位于所述空穴传输层与阳极之间；所述空穴传输层位于所述空穴注入层与所述量子点发光层之间；其中，在所述量子点发光层、所述电子传输层、所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者中的设置有所述可熔融微结构。
[0007]其中，所述可熔融微结构在所述功能层中的掺杂浓度为0.1％～10％。
[0008]其中，所述可熔融微结构尺寸为10nm～1000nm。
[0009]其中，所述熔融微结构的材料包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺中的任意一种。
[0010]第二方面，本公开实施例提供了一种量子点发光二极管的制备方法，其包括形成阳极、阴极，以及位于阳极和阴极之间的功能层；所述形成功能层的步骤至少包括形成量子点发光层；其特征在于，所述方法还包括：在所述功能层中形成可熔融微结构；所述可熔融微结构用于在所述量子点发光二极管工作，且所述功能层中产生的漏电点时熔融，并对所
述漏电点进行填充。
[0011]其中，形成所述功能层的步骤，还包括：在所述阴极与所述量子点发光层之间形成电子传输层；在所述电子点发光层与所述阳极之间形成空穴注入层；在所述空穴注入层与所述量子点发光层之间形成空穴传输层；其中，在所述量子点发光层、所述电子传输层、所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者中的形成有所述可熔融微结构。
[0012]其中，当所述电子传输层中形成所述可熔融微结构时，在所述量子点发光层和所述阴极之间形成所述电子传输层和位于所述电子传输层中的可熔融微结构的步骤，包括：
[0013]其中；将电子传输材料分散到乙醇溶液中，得到第二溶液；取一定量的所述第一溶液和一定量的所述第二溶液，得到第三溶液；在所述量子点发光层上形成所述第三溶液，并进行退火，形成所述电子传输层和位于所述电子传输层中的所述可熔融微结构。
[0014]其中，所述可熔融微结构材料为聚苯乙烯，所述电子传输材料为氧化锌；所述将可熔融微结构材料分散到乙醇溶液中，形成第一溶液；将电子传输材料分散到乙醇溶液中，得到第二溶液；取一定量的第一溶液和一定量的第二溶液，得到第三溶液的步骤包括：将粒径尺寸为50nm的聚苯乙烯纳米微结构超声分散到乙醇中得到第一溶液，所述第一溶液中的聚苯乙烯纳米微结构的浓度为5mg/mL；将氧化锌纳米粒子超声分散到乙醇溶液中得到第二溶液，所述第二溶液中的氧化锌纳米粒子浓度为25mg/mL；取1mL第一溶液和4mL第二溶液得到第三溶液。
[0015]其中，当所述量子点发光层形成所述可熔融微结构时，在所述电子传输层和所述空穴传输层之间形成所述量子点发光层和位于所述量子点发光层中的可熔融微结构的步骤，包括：将可熔融微结构材料分散到辛烷溶液中，形成第四溶液；将量子点发光材料分散到辛烷溶液中，得到第五溶液，取一定量的第四溶液和一定量的第五溶液，得到第六溶液；在所述空穴传输层上形成所述第六溶液，并进行退火，形成所述量子点发光层和位于所述量子点发光层中的所述可熔融微结构。
[0016]其中，所述可熔融微结构材料为聚甲基丙烯酸甲酯，所述量子点发光材料为红色量子点；所述将可熔融微结构材料分散到辛烷溶液中，形成第四溶液，将量子点发光材料分散到辛烷溶液中，得到第五溶液，取一定量的第四溶液和一定量的第五溶液，得到第六溶液的步骤包括：将粒径尺寸为20nm的聚甲基丙烯酸甲酯纳米微结构超声分散到辛烷中得到第四溶液，所述第四溶液的聚甲基丙烯酸甲酯纳米微结构的浓度为1
㎎
/ml；将红色量子点纳米粒子超声分散到辛烷溶液中得到第五溶液，所述第五溶液中的红色量子点纳米粒子浓度为15
㎎
/ml；取1ml第四溶液和4ml第五溶液得到第六溶液。
[0017]第三方面，公开实施例提供了一种显示装置，包括上述量子点发光二极管。
附图说明
[0018]图1为一种示例性量子点发光二极管的结构示意图；
[0019]图2为本公开实施例的一种量子点发光二极管的结构示意图；
[0020]图3为本公开实施例的另一种量子点发光二极管的结构示意图；
[0021]图4为本公开实施例的再一种量子点发光二极管的结构示意图；
[0022]图5为本公开实施例的一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；
[0023]图6为本公开实施例的另一种量子点发光二极管的制备方法的流程图；
[0024]图7为本公开实施例的再一种量子点发光二极管的制备方法的流程图。
[0025]其中附图标记为：1、阳极；2、功能层；201、电子传输层；202、量子点发光层；203、空穴传输层；204、空穴注入层；3、阴极；0、可熔融微结构。
具体实施方式
[0026]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。
[0027]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其包括阳极、阴极，以及夹设在所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层至少包括量子点发光层；其特征在于，还包括形成在所述功能层中的可熔融微结构；所述可熔融微结构用于在所述量子点发光二极管工作中，所述功能层中产生漏电点时熔融，并对所述漏电点进行填充修复。2.根据权利要求2所述量子点发光二极管，其特征在于，所述功能层还包括电子传输层、空穴注入层、空穴传输层；所述电子传输层位于所述阴极与所述量子点发光层之间；所述空穴注入层位于所述空穴传输层与所述阳极之间；所述空穴传输层位于所述空穴注入层与所述量子点发光层之间；其中，在所述量子点发光层、所述电子传输层、所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者中设置有所述可熔融微结构。3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述可熔融微结构在所述功能层中的掺杂浓度为0.1％～10％。4.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述可熔融微结构尺寸为10nm～1000nm。5.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述熔融微结构的材料包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺中的任意一种。6.一种量子点发光二极管的制备方法，包括形成阳极、阴极，以及位于阳极和阴极之间的功能层；所述形成功能层的步骤至少包括形成量子点发光层；其特征在于，所述方法还包括：在所述功能层中形成可熔融微结构；所述可熔融微结构用于在所述量子点发光二极管工作中，所述功能层中产生漏电点时熔融，并对所述漏电点进行填充修复。7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，形成所述功能层的方法，还包括：在所述阴极与所述量子点发光层之间形成电子传输层；在所述量子点发光层与所述阳极之间形成空穴注入层；在所述空穴注入层与所述量子点发光层之间形成空穴传输层；其中，在所述量子点发光层、所述电子传输层、所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者中的形成有所述可熔融微结构。8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，当所述电子传输层中形成所述可熔融微结构时，在所述量子点发光层和所述阴极之间形成所述电子传输层和位于所述电子传输层中的可熔融微结构的步骤，包括：将所述可熔融微结构材料分散到乙醇溶液中，形成第一溶液；将所述电子传输材料分散到乙醇溶液中，得到第二溶液；取一定量的所述第一溶液和一定...
【专利技术属性】
技术研发人员：王铁石，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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