量子点发光器件及其制备方法技术

本申请提供一种量子点发光器件，属于量子点发光技术领域。该量子点发光器件的空穴传输层包括空穴传输材料主体以及Cu(I)

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法


[0001]本申请涉及量子点发光
，具体而言，涉及一种量子点发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]在显示材料领域，量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)由于其自身高色阈、高亮度和窄峰宽的特点，在平板显示和固态照明等领域都有着广泛的应用前景。
[0003]在量子点发光器件的工作中，主要包括载流子注入、载流子传输、激子的形成与复合等过程。器件发光效率是量子点发光器件的重要指标，目前的量子点发光器件，电子传输层的传输性能通常远高于空穴传输层，使得器件整体的电荷传输不平衡，从而限制了器件的发光效率。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种量子点发光器件及其制备方法，能够有效提高量子点发光器件的发光效率。
[0005]本申请的实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种量子点发光器件，该量子点发光器件的空穴传输层包括：空穴传输材料主体以及Cu(I)
‑<br/>卤代配合物；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件的空穴传输层包括：空穴传输材料主体；以及Cu(I)
‑
卤代配合物，分散于所述空穴传输材料主体中。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述Cu(I)
‑
卤代配合物为中性配合物，和/或，所述Cu(I)
‑
卤代配合物中的卤素为Cl、Br或者I。3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述Cu(I)
‑
卤代配合物与所述空穴传输材料主体的质量比为(1～10)：100。4.根据权利要求1～3任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料主体的材料为NPB、NDDP、TTP、PVK、TAPC、TPD、DMFL
‑
NPB、HMTPD、PAPB、2
‑
TNATA、p
‑
DPA
‑
TDAB、TQTPA、Spiro
‑
NPB、Spiro
‑
BPA、Spiro
‑
TAD、NPBAPF、TcTa和2
‑
2'
‑
Spiro
‑
DBP中的一种或多种；可选地，所述空穴传输材料主体的材料为PVK。5.根据权利要求1～3任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件的量子点发光层的量子点材料为无镉...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋畅，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：