一种移相器及天线制造技术

本发明专利技术公开了一种移相器及天线。其中，移相器包括相对设置的第一基板和第二基板；至少一个移相单元，移相单元包括微带线、液晶层和接地金属层；微带线位于第一基板靠近第二基板的一侧，接地金属层位于第二基板靠近第一基板的一侧，液晶层位于第一基板和第二基板之间；移相器还包括加热结构，加热结构位于第一基板和第二基板之间。本发明专利技术实施例提供的移相器及天线，通过在第一基板和第二基板之间设置加热结构，以在移相器处于低温环境中时，对液晶层进行加热，从而提升液晶层中的液晶分子的温度，保证液晶层中的液晶分子工作于正常温度范围，避免液晶层受到外界低温环境的影响，解决移相器在低温环境中响应慢，甚至无法正常工作的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种移相器及天线


[0001]本专利技术实施例涉及通信
，尤其涉及一种移相器及天线。

技术介绍

[0002]液晶天线基于液晶分子各向异性的特点，利用电信号控制液晶分子的排列，从而改变各移相器单元的介电参数，藉以控制各移相器单元中射频信号的相位，最终实现对天线辐射波束指向的控制，液晶天线可广泛应用于卫星通信，5G毫米波基站等场景。
[0003]然而，当液晶天线应用于低温环境时，液晶的状态会受到低温影响，导致液晶分子偏转响应时间较长，甚至导致液晶天线无法正常工作。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种移相器及天线，以提高移相器和天线在低温环境下的性能。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种移相器，包括：
[0006]相对设置的第一基板和第二基板；
[0007]至少一个移相单元，所述移相单元包括微带线、液晶层和接地金属层；
[0008]所述微带线位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧，所述接地金属层位于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧，所述液晶层位于所述第一基板和所述第二基板之间；
[0009]所述移相器还包括加热结构，所述加热结构位于所述第一基板和所述第二基板之间。
[0010]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种天线，包括第一方面所述的移相器。
[0011]本专利技术实施例提供的移相器及天线，通过设置加热结构，以在移相器处于低温环境中时，通过加热结构对液晶层进行加热，从而提升液晶层中的液晶分子的温度，保证液晶层中的液晶分子工作于正常温度范围，避免液晶层受到外界低温环境的影响，解决移相器在低温环境中响应慢，甚至无法正常工作的问题。此外，通过将加热结构设置于第一基板和第二基板之间，微波损耗较小的同时也不会占用过多空间，避免移相器整体结构尺寸的大幅增加，有利于移相器的小型化应用；同时将加热结构设置于第一基板和第二基板之间也使得加热结构与液晶层之间的距离更近，加热结构产生的热量能够更快的传导至液晶层，从而提高加热效率，实现液晶层温度的快速提升。
附图说明
[0012]图1为本专利技术实施例提供的一种移相器的结构示意图；
[0013]图2为图1在A处的放大结构示意图；
[0014]图3为图2沿B
‑
B
’
方向的截面结构示意图；
[0015]图4为本专利技术实施例提供的另一种移相器的结构示意图；
[0016]图5为图4在C处的放大结构示意图；
[0017]图6为图5沿D
‑
D
’
方向的截面结构示意图；
[0018]图7为本专利技术实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
[0019]图8为图7在E处的放大结构示意图；
[0020]图9为图8沿F
‑
F
’
方向的截面结构示意图；
[0021]图10为本专利技术实施例提供的一种移相器的局部截面结构示意图；
[0022]图11为本专利技术实施例提供的另一种移相器的局部截面结构示意图；
[0023]图12为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0024]图13为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0025]图14为本专利技术实施例提供的一种测温电路的结构示意图；
[0026]图15为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0027]图16为本专利技术实施例提供的一种测温结构的测温原理示意图；
[0028]图17为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0029]图18为本专利技术实施例提供的再一种移相器的结构示意图；
[0030]图19为图18在G处的放大结构示意图；
[0031]图20为图19沿H
‑
H
’
方向的截面结构示意图；
[0032]图21为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0033]图22为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0034]图23为本专利技术实施例提供的又一种移相器的结构示意图；
[0035]图24为图23在I处的放大结构示意图；
[0036]图25为图24沿J
‑
J
’
方向的截面结构示意图；
[0037]图26为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0038]图27为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0039]图28为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0040]图29为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0041]图30为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0042]图31为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0043]图32为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0044]图33为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0045]图34为本专利技术实施例提供的又一种移相器的局部截面结构示意图；
[0046]图35为本专利技术实施例提供的再一种移相器的局部截面结构示意图；
[0047]图36为本专利技术实施例提供的再一种移相器的结构示意图；
[0048]图37为图36沿K
‑
K
’
方向的截面结构示意图；
[0049]图38为本专利技术实施例提供的FBG测温的原理示意图；
[0050]图39为本专利技术实施例提供的LPG测温的原理示意图；
[0051]图40为本专利技术实施例提供的一种天线的结构示意图；
[0052]图41为本专利技术实施例提供的一种天线的局部剖面结构示意图；
[0053]图42为本专利技术实施例提供的另一种天线的局部剖面结构示意图；
[0054]图43为本专利技术实施例提供的又一种天线的局部剖面结构示意图；
[0055]附图标记说明：
[0056]第一基板
‑
10；第二基板
‑
11；移相单元
‑
12；微带线
‑
13；液晶层
‑
14；液晶分子
‑
141；接地金属层
‑
15；第一镂空部
‑
151；第二镂空部
‑
152；加热结构
‑
16；第一加热结构
‑
161；第二加热结构
‑
162；测温结构
‑
17；第一金属线
‑
171；第二金属线
‑
172；第一测温结构
‑
173；第二测温结构
‑
174；光纤光栅传感器
‑
175本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板；至少一个移相单元，所述移相单元包括微带线、液晶层和接地金属层；所述微带线位于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧，所述接地金属层位于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧，所述液晶层位于所述第一基板和所述第二基板之间；所述移相器还包括加热结构，所述加热结构位于所述第一基板和所述第二基板之间。2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述移相器还包括测温结构，所述测温结构位于所述第一基板和所述第二基板之间。3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述加热结构包括第一加热结构，所述第一加热结构位于所述第一基板靠近所述微带线的一侧。4.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于，所述第一加热结构和所述微带线异层设置，且所述第一加热结构在所述第一基板上的垂直投影位于所述微带线在所述第一基板上的垂直投影内；所述移相器还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一加热结构靠近所述微带线的一侧。5.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于，所述第一加热结构在所述第一基板上的垂直投影与所述微带线在所述第一基板上的垂直投影之间存在间隙。6.根据权利要求5所述的移相器，其特征在于，沿垂直于所述第一基板的方向，所述第一加热结构靠近所述微带线一侧的边界和所述微带线靠近所述第一加热结构一侧的边界之间的最短距离为D1，所述微带线的宽度为D2，其中，D1≥5*D2。7.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述加热结构包括第二加热结构，所述第二加热结构位于所述第二基板靠近所述接地金属层的一侧。8.根据权利要求7所述的移相器，其特征在于，所述第二加热结构和所述接地金属层异层设置，且所述第二加热结构在所述第一基板上的垂直投影位于所述接地金属层在所述第一基板上的垂直投影内；所述移相器还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二加热结构靠近所述接地金属层的一侧。9.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述加热结构包括导体，所述加热结构的宽度为W1，所述加热结构的长度为L1，所述加热结构的厚度为d1，其中，(W1*d1)/L1＝(P1*ρ1)/(U12)；P1为所述加热结构的加热功率，ρ1为所述加热结构的电阻率，U1为所述加热结构的电压。10.根据权利要求9所述的移相器，其特征在于，所述加热结构的材料包括铜、铂、ITO、镍、钼、铝和镉中的任意一种。11.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，
所述测温结构包括导体，所述测温结构的宽度为W2，所述测温结构的长度为L2，所述测温结构的厚度为d2，其中，L2/(W2*d2)＝ρ2/R2；ρ2为所述测温结构的电阻率，R2为所述测温结构的电阻。12.根据权利要求11所述的移相器，其特征在于，所述测温结构的材料包括铜、铂、ITO、镍、钼、铝和镉中的任意一种。13.根据权利要求2所述的移相器，其特征在于，所述测温结构包括相互连接的第一金属线和第二金属线，所述第一金属线和所述第二金属线的材料不同。14.根据权利要求13所述的移相器，其特征在于，所述第一金属线和所述第二金属线同层设置。15.根据权利要求13所述的移相器，其特征在于，所述第一金属线和所述第二金属线位于不同层。16.根据权利要求12或13所述的移相器，其特征在于，所述测温结构包括第一测温结构，所述第一测温结构位于所述第一基板靠近所述微带线的一侧。17.根据权利要求16所述的移相器，其特征在于，所述第一测温结构和所述微带线异层设置，且所述第一测温结构在所述第一基板上的垂直投影位于所述微带线在所述第一基板上的垂直投影内；所述移相器还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第一测温结构靠近所述微带线的一侧。18.根据权利要求16所述的移相器，其特征在于，所述第一测温结构在所述第一基板上的垂直投影与所述微带线在所述第一基板上的垂直投影之间存在间隙。19.根据权利要求18所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷登明，席克瑞，贾振宇，章凯迪，龚顺，王明煜，朱清三，韩笑男，白云飞，王逸，秦锋，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：