化学镀基底膜制造技术

一种化学镀基底膜，其包含(A)导电性聚合物，还包含(B)具有酸值的多元醇树脂与多异氰酸酯化合物的反应产物，且酸值为0.1mgKOH/g～30mgKOH/g。30mgKOH/g。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学镀基底膜


[0001]本专利技术涉及化学镀基底膜、化学镀基底膜形成用组合物、镀覆层叠体和镀覆层叠体的制造方法。

技术介绍

[0002]近来，在包括例如车载雷达、下一代移动电话等多方面的领域中高频电信号的利用变得活跃起来，希望有适于高频电信号的传输的电路基板。
[0003]作为以往的电路基板，例如如专利文献1中公开所示，使用将基材与金属层(铜箔等)利用粘接剂贴合的电路基板等。
[0004]另一方面，如专利文献2、3中公开所示，已知有在基材上形成化学镀用的基底膜并对其实施化学镀的技术。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开平5
‑
226831号公报
[0008]专利文献2：日本特开2017
‑
197848号公报
[0009]专利文献3：国际公开第2019/013179号

技术实现思路

[0010]专利文献1的技术中，为了确保基材与铜箔的密合性，铜箔的基材侧的表面被粗糙化。因此，传输高频信号时的衰减特别显著。若要提高铜箔的基材侧的表面的平滑性，则会损害基材与铜箔的密合性。
[0011]专利文献2的技术中，在化学镀用的基底膜中配合导电性高分子微粒，使之吸附催化剂金属而形成镀覆层。该情况下，由于催化剂金属的吸附部位受到限制，因此容易导致密合性的降低。
[0012]专利文献3的技术中，使用镀覆基底膜形成用组合物形成的基底膜对于基材和化学镀层(金属层)双方发挥密合性，然而从更加良好地兼顾密合性和耐热性的观点考虑，发现有进一步改善的余地。
[0013]本专利技术的目的在于，提供能够良好地兼顾密合性和耐热性的化学镀基底膜、化学镀基底膜形成用组合物、镀覆层叠体和镀覆层叠体的制造方法。
[0014]本专利技术人等进行了深入研究，结果发现，通过使包含(A)导电性聚合物、此外还包含(B)具有酸值的多元醇树脂与多异氰酸酯化合物的反应产物的化学镀基底膜具有特定的酸值，对基材和化学镀层双方发挥良好的密合性，并且耐热性也优良，从而完成了本专利技术。
[0015]根据本专利技术，提供以下的化学镀基底膜等。
[0016]1.一种化学镀基底膜，其包含(A)导电性聚合物，还包含(B)具有酸值的多元醇树脂与多异氰酸酯化合物的反应产物，其酸值为0.1mgKOH/g～30mgKOH/g。
[0017]2.根据上述1中记载的化学镀基底膜，其中，上述(B)成分包含具有酸值的聚酯多
元醇树脂。
[0018]3.根据上述1或2中记载的化学镀基底膜，其中，上述(A)成分为取代或未取代的聚苯胺。
[0019]4.根据上述1～3中任一项记载的化学镀基底膜，其中，上述(A)成分为利用掺杂剂对取代或未取代的聚苯胺进行掺杂而得到的聚苯胺复合物。
[0020]5.根据上述4中记载的化学镀基底膜，其中，上述掺杂剂为由下述式(III)所示的磺基琥珀酸衍生物产生的有机酸离子。
[0021][化学式1][0022][0023](式(III)中，M为氢原子、有机游离基团或无机游离基团。m
’
为M的价数。R
13
和R
14
各自独立地为烃基或
‑
(R
15
O)
r
‑
R
16
基。R
15
各自独立地为烃基或亚甲硅烷基，R
16
为氢原子、烃基或R
173
Si
‑
基，r为1以上的整数。R
17
各自独立地为烃基。)
[0024]6.根据上述4或5中记载的化学镀基底膜，其中，上述掺杂剂为二
‑2‑
乙基己基磺基琥珀酸钠。
[0025]7.一种化学镀基底膜形成用组合物，其用于形成上述1～6中任一项记载的化学镀基底膜，其包含：
[0026](A)导电性聚合物、
[0027](C)具有酸值的多元醇树脂、和
[0028](D)多异氰酸酯化合物。
[0029]8.根据上述7中记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，上述(C)成分和上述(D)成分的总量相对于上述化学镀基底膜形成用组合物中的不挥发性成分的比例为10～90质量％。
[0030]9.根据上述7或8中记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，上述(D)成分中的异氰酸酯基相对于上述(C)成分中的羟基的摩尔比为0.6～10。
[0031]10.根据上述7～9中任一项记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，还包含(E)不具有酸值的多元醇树脂。
[0032]11.根据上述10中记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，上述(E)成分包含选自不具有酸值的聚酯多元醇树脂和不具有酸值的聚醚多元醇树脂中的1种以上。
[0033]12.根据上述10或11中记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，上述(C)成分、上述(D)成分和上述(E)成分的总量相对于上述化学镀基底膜形成用组合物中的不挥发性成分的比例为10～90质量％。
[0034]13.根据上述10～12中任一项记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，上述(D)成分中的异氰酸酯基相对于上述(C)成分中的羟基与上述(E)成分中的羟基的总量的摩尔比为0.6～10。
[0035]14.根据上述7～13中任一项记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，上述(D)成
分为封端多异氰酸酯化合物。
[0036]15.根据上述7～14中任一项记载的化学镀基底膜形成用组合物，其中，还包含溶剂。
[0037]16.一种镀覆层叠体，其包含：
[0038]基材、
[0039]上述1～6中任一项记载的化学镀基底膜、和
[0040]包含金属的化学镀层，
[0041]上述化学镀层与上述化学镀基底膜接触。
[0042]17.根据上述16中记载的镀覆层叠体，其中，上述金属为铜。
[0043]18.根据上述16或17中记载的镀覆层叠体，其中，上述基材由树脂形成。
[0044]19.根据上述18中记载的镀覆层叠体，其中，上述基材由聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、间同立构聚苯乙烯树脂、液晶聚合物树脂、或聚苯硫醚树脂形成。
[0045]20.一种镀覆层叠体的制造方法，其包括：
[0046](i)使用上述7～15中任一项记载的化学镀基底膜形成用组合物在基材上形成化学镀基底膜的工序、和
[0047](ii)在上述化学镀基底膜上形成包含金属的化学镀层的工序。
[0048]21.根据上述20中记载的镀覆层叠体的制造方法，其中，上述工序(ii)中，使上述化学镀基底膜担载钯，然后使担载有钯的上述化学镀基底膜与化学镀液接触，由此形成上述化学镀层。
[0049]22.根据上述21中记载的镀覆层叠体的制造方法，其中，通过使氯化钯溶液接触上述化学镀基底膜来进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化学镀基底膜，其包含A成分即导电性聚合物，还包含B成分即具有酸值的多元醇树脂与多异氰酸酯化合物的反应产物，所述化学镀基底膜的酸值为0.1mgKOH/g～30mgKOH/g。2.根据权利要求1所述的化学镀基底膜，其中，所述B成分包含具有酸值的聚酯多元醇树脂。3.根据权利要求1或2所述的化学镀基底膜，其中，所述A成分为取代或未取代的聚苯胺。4.根据权利要求1～3中任一项所述的化学镀基底膜，其中，所述A成分为利用掺杂剂对取代或未取代的聚苯胺进行掺杂而得到的聚苯胺复合物。5.根据权利要求4所述的化学镀基底膜，其中，所述掺杂剂为由下述式(III)所示的磺基琥珀酸衍生物产生的有机酸离子，式(III)中，M为氢原子、有机游离基团或无机游离基团；m
’
为M的价数；R
13
和R
14
各自独立地为烃基或
‑
(R
15
O)
r
‑
R
16
基；R
15
各自独立地为烃基或亚甲硅烷基，R
16
为氢原子、烃基或R
173
Si
‑
基，r为1以上的整数；R
17
各自独立地为烃基。6.根据权利要求4或5所述的化学镀基底膜，其中，所述掺杂剂为二
‑2‑
乙基己基磺基琥珀酸钠。7.一种化学镀基底膜形成用组合物，其用于形成权利要求1～6中任一项所述的化学镀基底膜，其包含：A成分即导电性聚合物、C成分即具有酸值的多元醇树脂、和D成分即多异氰酸酯化合物。8.根据权利要求7所述的化学镀基底膜形成用组合物，其中，所述C成分和所述D成分的总量相对于所述化学镀基底膜形成用组合物中的不挥发性成分的比例为10质量％～90质量％。9.根据权利要求7或8所述的化学镀基底膜形成用组合物，其中，所述D成分中的异氰酸酯基相对于所述C成分中的羟基的摩尔比为0.6～10。10.根据权利要求7～9中任一项所述的化学镀基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：蜂屋聪，深津文起，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：