一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器制造技术

本发明专利技术提供了一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器，包括：放大电路、匹配电路、第一衰减器、第二衰减器；放大电路的第一端为低噪声放大器的信号输入端，放大电路第二端与匹配电路第一端连接，匹配电路第二端与第一衰减器第一端连接，第一衰减器的第二端与第二衰减器的第一端连接，第二衰减器的第二端为低噪声放大器的信号输出端。本发明专利技术所述的一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器，基于衰减器结构及栅极电感可以有效提升低噪声放大器工作带宽，增强隔离度，提高线性度；通过匹配电路实现较好的噪声性能；通过衰减器结构可以实现增益可调，从而可以应用到5G N77频段。N77频段。N77频段。

【技术实现步骤摘要】
一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器


[0001]本专利技术属于集成电路领域，尤其是涉及一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器。

技术介绍

[0002]随着第五代移动通信技术的进步，为了应对高数据传输速率和高用户密度需求，实现大规模连接、高可靠性和低延迟通信，通信基站对接收链路的核心部件：低噪声放大器提出了更高的要求。原有低噪声放大器通常受带宽窄、线性度低、增益不可变等因素限制，难以应用于5G通信。
[0003]为了克服上述问题，急需一种宽带宽、高线性度、可调节增益的低噪声放大器，推动第五代移动通信技术大范围普及。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术旨在提出一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器，以解决低噪声放大器宽带窄、线性度低、增益不可变的问题。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器，包括：放大电路、匹配电路、第一衰减器、第二衰减器；放大电路的第一端为低噪声放大器的信号输入端，放大电路第二端与匹配电路第一端连接，匹配电路第二端与第一衰减器第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于衰减器的增益可变低噪声放大器，其特征在于：包括：放大电路、匹配电路、第一衰减器、第二衰减器；放大电路的第一端为低噪声放大器的信号输入端，放大电路第二端与匹配电路第一端连接，匹配电路第二端与第一衰减器第一端连接，第一衰减器的第二端与第二衰减器的第一端连接，第二衰减器的第二端为低噪声放大器的信号输出端；所述第一衰减器包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5，所述第一衰减器的第一端与第二电阻R2的第一端和第四晶体管Q4漏极相连，所述第二电阻R2的第二端、第三电阻R3的第一端和第四电阻R4的第一端相连，第四电阻R4的第二端与第五晶体管Q5漏极连接，第五晶体管Q5的源极接地，所述第一衰减器的第二端与第三电阻R3的第二端、第四晶体管Q4源极相连；所述第四晶体管Q4的栅极与第一数控电平VG1相连，第五晶体管Q5的栅极与第二数控电平VG2相连；所述第二衰减器由第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7和第八晶体管Q8组成，所述第二衰减器的第一端与第一衰减器的第二端、第五电阻R5的第一端、第六晶体管Q6漏极、第六电阻R6的第一端相连，第六电阻R6的第二端经过第七晶体管Q7接地，所述第二衰减器的第二端为低噪声放大器的输出端，该端与第五电阻R5的第二端、第七电阻R7的第一端、第六晶体管Q6源端相连，第七电阻R7的第二端经过第八晶体管Q8接地；所述第六晶体管Q6的栅极与第三数控电平VG3相连，所述第七晶体管Q7的栅极和第八晶体管Q8的栅极均与第四数控电平VG4相...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，陶继青，史昕宇，傅海鹏，
申请(专利权)人：芯灵通天津科技有限公司，
类型：发明
国别省市：