一种硅抛光组合物、制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种硅抛光组合物、制备方法及其应用，所述硅抛光组合物以纳米二氧化硅胶体为主要抛光组分，并添加有氨基醇类物质和水溶性维生素作为助剂。本发明专利技术的抛光组合物中同时添加氨基醇类物质和水溶性维生素作为助剂，可有效抑制磨料团聚，延长抛光液的使用寿命和储存时间，与现有技术相比，具有明显优势。具有明显优势。

【技术实现步骤摘要】
一种硅抛光组合物、制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，尤其涉及一种硅抛光组合物、制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]高纯的单晶硅是目前IC制造的主要衬底材料，随着IC集成度的不断增加，其特征尺寸不断减小，因此对大尺寸硅晶圆的表面质量提出了更高的要求。抛光可以去除硅片切割过程中产生的表面损伤层，提高其表面质量，而化学机械抛光(CMP)技术则被认为是目前晶圆全局平坦化的最有效方法。
[0003]CMP就是用含有磨料的抛光液和抛光垫所产生的的化学作用、机械作用以及两种作用的结合去抛光硅片表面，抛光过程中硅片表面与化学物质反应形成软质层，软质层再经磨料和抛光垫的机械作用剥离去除，因此抛光液在CMP过程中发挥了重要作用。由于二氧化硅和硅的莫氏硬度均为7，而且二氧化硅还具有粒度细，抛光后晶圆表面损伤层较薄及氧化诱生层错(OSF)基本小于100/cm2的优点，能够满足LSI和VLSI集成电路的要求，因此目前市场上用于单晶硅表面精密加工的抛光液，主要是以纳米二氧化硅胶体为磨粒，还结合有碱性化合物为速率促进剂、酸性pH本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅抛光组合物，以纳米二氧化硅胶体为磨料，其特征在于，还包括氨基醇类物质和水溶性维生素。2.根据权利要求1所述的硅抛光组合物，其特征在于，包括纳米二氧化硅胶体、氨基醇类物质、水溶性维生素、速率促进剂、酸性pH调节剂、表面活性剂、抑菌剂、余量为去离子水；优选地，所述水溶性维生素和氨基醇类物质的质量比为0.05～0.9；更优选地，各组分含量为：纳米二氧化硅胶体1.5～40wt％、氨基醇类物质0.5～5wt％、水溶性维生素0.02～4.5wt％、速率促进剂1～15wt％、酸性pH调节剂0.25～4wt％、表面活性剂0.01～3wt％、抑菌剂0.05～3wt％、余量为去离子水；进一步优选地，各组分含量为：纳米二氧化硅胶体5～30wt％、氨基醇类物质1～4.0wt％、水溶性维生素0.15～3wt％、速率促进剂3～10wt％、酸性pH调节剂0.5～3.5wt％、表面活性剂0.1～1.5wt％、抑菌剂0.1～1.5wt％、余量为去离子水。3.根据权利要求1或2所述的硅抛光组合物，其特征在于，所述纳米二氧化硅胶体的平均粒径为30
‑
80nm，浓度为30
‑
50wt％。4.根据权利要求1或2所述的硅抛光组合物，其特征在于，所述氨基醇类物质选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、3
‑
氨基
‑1‑
丙醇、1
‑
氨基
‑2‑
丙醇、2
‑
氨基
‑2‑
甲基
‑1‑
丙醇、2
‑
二甲氨基
‑2‑
甲基
‑1‑
丙醇、2
‑
氨基
‑
1,3
‑
丙二醇、2
‑
氨基
‑2‑
甲基
‑
1,3
‑
丙二醇、2
‑
氨基
‑2‑
(羟甲基)
‑
1,3丙二醇、2
‑
氨基
‑2‑
乙基
‑
1,3
‑
丙二醇、2
‑
氨基
‑1‑
丁醇、(R)
‑3‑
氨基丁醇、(S)
‑3‑
氨基丁醇、4
‑
氨基
‑1‑
丁醇、2
‑
氨基
‑1‑
戊醇、3
‑
氨基
‑1‑
戊醇、4
‑
氨基
‑1‑
戊醇、5
‑
氨基
‑1‑

【专利技术属性】
技术研发人员：王永东，卞鹏程，王庆伟，徐贺，李国庆，崔晓坤，王瑞芹，卫旻嵩，
申请(专利权)人：万华化学集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：