一种表面修饰ZIF-8的低介电聚酰亚胺及其制备方法技术

技术编号:30799659 阅读:32 留言:0更新日期:2021-11-16 08:05
本发明专利技术涉及一种表面修饰ZIF

【技术实现步骤摘要】
一种表面修饰ZIF

8的低介电聚酰亚胺及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种表面修饰ZIF

8的低介电聚酰亚胺及其制备方法,属于有机电介质材料制造领域。该低介电聚酰亚胺可以作为低介电常数材料应用于互联装配用层间介质材料领域。

技术介绍

[0002]近年来随着高速通讯领域的迅速发展,电子元器件的应用尺寸不断趋向小型化,大规模集成电路中芯片集成度显著提高,芯片互连线密度增大,使线路中电阻和布线中电容增加,产生信号阻容延迟效应,影响信号传输速度和信号损耗,这已成为集成电路向高速、高密度、低能耗以及多功能方向发展的新的桎梏。通常信号传递的延迟时间正比于导体自身的电阻,也正比于其介电常数值,同时正比于导体的长与厚度之比。因此,要想缩短信号传递的延迟时间,可以选择自身电阻值与介电常数值较低的材料,或者使用其他方法减少材料的自身电阻及介电常数,也可以扩宽导线间的距离。然而由于导线间的距离不易扩宽,要想减少信号传递的延迟时间,主要得从减少导线的介电常数入手。经计算其他条件一致时,当封装导线的介电常数值由4.0改为2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面修饰ZIF

8的低介电聚酰亚胺,其特征在于:该表面修饰ZIF

8的低介电聚酰亚胺断面具有蜂窝状多孔结构,表面修饰一层ZIF

8,该表面修饰ZIF

8的低介电聚酰亚胺的密度低于0.25g/cm3,孔隙率大于70%,介电常数在1kHz时小于1.50,介电损耗在1kHz时低于0.0040,断裂伸长率大于80%,拉升强度大于10MPa,在水中静置72h的吸水率小于0.02%,在80%潮湿度的环境中静置7天介电常数的增长率小于0.1%。2.根据权利要求1所述的表面修饰ZIF

8的低介电聚酰亚胺,其特征在于:其制备步骤以下:(1)聚酰亚胺与致孔剂硝酸锌混合溶液的制备:将聚酰亚胺加入到极性溶剂中,得到浓度为10~20wt%的溶液,再加入致孔剂硝酸锌,加以100~300r/min的机械搅拌1~3h直至溶解完全,得到聚酰亚胺与致孔剂混合溶液;极性溶剂为N

【专利技术属性】
技术研发人员:周雨薇
申请(专利权)人:大同共聚西安科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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