遥控拷贝用无线解调电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种遥控拷贝用无线解调电路，包括：低噪音放大模块，用于放大所接收的调幅信号；检波模块，用于对放大后的调幅信号进行检波而获得包络信号，所述检波模块同时输出噪声信号，放大后的调幅信号大于噪声信号；信号带通滤波模块，用于对包络信号和噪声信号进行处理而获得输出信号。本实用新型专利技术中的遥控拷贝用无线解调电路通过多级的放大及滤波，实现了在接收1GHz以下信号方面远高于传统学习电路的接收能力，且电路规模小，外围器件极少，无论是做成单独的芯片或是集成在微处理器中，成本都极低。成本都极低。成本都极低。

【技术实现步骤摘要】
为第一电阻的电阻值；r
p
为第一PMOS管的等效电阻值；c1为第一电容的电容值；c
out1
为第一输出端的等效电容值。
[0015]一实施例中，所述检波模块包括第五NMOS管、第二电阻和第二电容，所述第五NMOS管的漏极与电源连接，所述第五NMOS管的源极与第二电阻的一端以及第二电容的一端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第二电容的另一端接地。
[0016]一实施例中，所述信号带通滤波模块包括运算放大器、第三电容、第三电阻和第四电阻，所述运算放大器的输入端同时与第三电阻的一端以及第四电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端接地，所述第四电阻的另一端与运算放大器的输出端连接。
[0017]一实施例中，所述信号带通滤波模块的增益为r4/r3，所述信号带通滤波模块的低频截止频率为1/(r3*c3)，所述信号带通滤波模块的高频截止频率为1/τ，其中，r3为第三电阻的电阻值，r4为第四电阻的电阻值，c3为第三电容的电容值，τ为运算放大器的频率响应参数。
[0018]一实施例中，所述解调电路还包括比较器模块，用于将信号带通滤波模块的输出信号与基准电压值进行比较，获得满幅的方波信号。
[0019]一实施例中，所述比较器模块包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，
[0020]其中，所述第二PMOS管的源极与电源连接，所述第五PMOS管的源极与电源连接，所述第二PMOS管的栅极与第五PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极连接，所述第四PMOS管的栅极连接基准电压，所述第六NMOS管的漏极和栅极相连并同时与第三PMOS管的漏极以及第七NMOS管的栅极连接，所述第六NMOS管的源极接地，所述第七NMOS管的源极接地，所述第七NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极以及第八NMOS管的栅极连接，所述第八NMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的源极接地。
[0021]与现有技术相比，本技术具有以下优点：
[0022]本技术中的遥控拷贝用无线解调电路通过多级的放大及滤波，实现了在接收1GHz以下信号方面远高于传统学习电路的接收能力，且电路规模小，外围器件极少，无论是做成单独的芯片或是集成在微处理器中，成本都极低。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为现有技术中学习设备常用的电路原理图；
[0025]图2为本技术一实施例中的遥控拷贝用无线解调电路的电路系统图；
[0026]图3为本技术一实施例中的低噪音放大模块的电路原理图；
[0027]图4为本技术一实施例中的低噪音放大模块的小信号分析图；
[0028]图5为本技术一实施例中的低噪音放大模块的幅频特性图；
[0029]图6为本技术一实施例中的检波模块的电路原理图；
[0030]图7为本技术一实施例中的检波模块输出的包络信号图；
[0031]图8为本技术一实施例中的信号带通滤波模块的电路原理图；
[0032]图9为本技术一实施例中的信号带通滤波模块的幅频特性图；
[0033]图10为本技术一实施例中的比较器模块的电路原理图。
具体实施方式
[0034]以下将结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细描述。但该等实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。
[0035]本技术公开了一种遥控拷贝用无线解调电路，包括：
[0036]低噪音放大模块，用于放大所接收的调幅信号；
[0037]检波模块，用于对放大后的调幅信号进行检波而获得包络信号，所述检波模块同时输出噪声信号，放大后的调幅信号大于噪声信号；
[0038]信号带通滤波模块，用于对包络信号和噪声信号进行处理而获得输出信号。
[0039]以下结合具体实施例对本技术作进一步说明。
[0040]参照图2所示，一种遥控拷贝用无线解调电路，包括依次连接的低噪音放大模块100、检波模块200、信号带通滤波模块300和比较器模块400，低噪音放大模块100连接输入端Vin，比较器模块400连接输出端Vout。
[0041]其中，低噪音放大模块100用于放大所接收的调幅信号。
[0042]参照图3所示，低噪音放大模块100包括第一电阻R1、第一电容C1、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4和第一PMOS管MP1。
[0043]具体的，第一NMOS管MN1的漏极同时与第一电阻R1的一端以及第一电容C1的一端连接并形成V1节点，第一NMOS管MN1的源极接地GND，第一NMOS管MN1的栅极与输入端Vin连接，第一电阻R1的另一端与电源VCC连接，第一电容C1的另一端与第二NMOS管MN2的源极连接并形成V2节点，第二NMOS管MN2的漏极与电源VCC连接，第二NMOS管MN2的源极同时与第三NMOS管MN3的漏极以及第四NMOS管MN4的栅极连接，第三NMOS管MN3的源极接地GND，第四NMOS管MN4的源极接地GND，第二NMOS管MN2的栅极与第一PMOS管MP1的漏极以及第四NMOS管MN4的漏极连接，第一PMOS管MP1的源极与电源VCC连接，第一PMOS管MP1的漏极连接第一输出端Vout1，第一PMOS管MP1的栅极连接第一电压端Vb1，第三NMOS管MN3的栅极连接第二电压端Vb2，第一电压端Vb1和第二电压端Vb2均连接输出电压可调的电路。
[0044]参照图4、图5并结合图3所示，低噪音放大模块100的增益为gm1*gm4*r1*r
p
，低噪音放大模块100的低频截止频率为gm4*gm2*r
p
/c1，低噪音放大模块100的高频截止频率为1/(r
p
*c
out1
)；其中，gm1为第一NMOS管MN1的跨导值；gm2为第二NMOS管MN2的跨导值；gm4为第四NMOS管MN4的跨导值；r1为第一电阻R1的电阻值；r
p
为第一PMOS管MP1的等效电阻值；c1为第一电容C1的电容值；c
out1
为第一输出端Vout1的等效电容值，另外，u
V1
,c
V1
为V1节点处的电压值及等效电容值，u
V2
为V2节点处的电压值，u
ou本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种遥控拷贝用无线解调电路，其特征在于，所述解调电路包括：低噪音放大模块，用于放大所接收的调幅信号；检波模块，用于对放大后的调幅信号进行检波而获得包络信号，所述检波模块同时输出噪声信号，放大后的调幅信号大于噪声信号；信号带通滤波模块，用于对包络信号和噪声信号进行处理而获得输出信号。2.根据权利要求1所述的遥控拷贝用无线解调电路，其特征在于，放大后的所述调幅信号大于或等于10倍的噪声信号。3.根据权利要求1所述的遥控拷贝用无线解调电路，其特征在于，所述低噪音放大模块包括第一电阻、第一电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第一PMOS管；所述第一NMOS管的漏极同时与第一电阻的一端以及第一电容的一端连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一电阻的另一端与电源连接，所述第一电容的另一端与第二NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的漏极与电源连接，所述第二NMOS管的源极同时与第三NMOS管的漏极以及第四NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极以及第四NMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的源极与电源连接，所述第一PMOS管的漏极连接第一输出端。4.根据权利要求3所述的遥控拷贝用无线解调电路，其特征在于，所述低噪音放大模块的增益为gm1*gm4*r1*r
p
，所述低噪音放大模块的低频截止频率为gm4*gm2*r
p
/c1，所述低噪音放大模块的高频截止频率为1/(r
p
*c
out1
)；其中，gm1为第一NMOS管的跨导值；gm2为第二NMOS管的跨导值；gm4为第四NMOS管的跨导值；r1为第一电阻的电阻值；r
p
为第一PMOS管的等效电阻值；c1为第一电容的电容值；c
out1
为第一输出端的等效电容值。5.根据权利要求1所述的遥控拷贝用无线解调电路，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐挺，雷红军，
申请(专利权)人：苏州华芯微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：