本发明专利技术公开了一种处理器功耗管控方法及装置，包括实时检测处理器的参数，将所述参数发送至维管系统，所述参数包括电流、电压和功耗数据；当检测到功耗数据超过报警阈值时，拉低硬件中断信号，触发所述维管系统的调压功能；当检测到功耗数据超过调压阈值时，所述维管系统发送调节指令至多相供电系统，对输出电压进行调节。本发明专利技术可以实现对处理器实际运行功耗的实时检测、当功耗超过设定阈值时则给出中断报警信号，触发维管系统对处理器的功耗进行介入管控。行介入管控。行介入管控。
【技术实现步骤摘要】
一种处理器功耗管控方法及装置
[0001]本专利技术涉及计算机设备供电
，特别是涉及一种处理器功耗管控方法及装置。
技术介绍
[0002]随着处理器性能的不断提高，功耗已成为限制系统性能的重要因素，对处理器功耗进行检测和控制的重要性日益增加。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是提供一种处理器功耗管控方法及装置，可以实现对处理器实际运行功耗的实时检测、当功耗超过设定阈值时则给出中断报警信号，触发维管系统对处理器的功耗进行介入管控。
[0004]根据本专利技术的第一方面，提出一种处理器功耗管控方法，包括：实时检测处理器的参数，将所述参数发送至维管系统，所述参数包括电流、电压和功耗数据；当检测到功耗数据超过报警阈值时，拉低硬件中断信号，触发所述维管系统的调压功能；所述维管系统开启所述调压功能之后，当检测到功耗数据超过调压阈值时，所述维管系统发送调节指令至多相供电系统，对输出电压进行调节。
[0005]进一步的，所述参数通过I2C总线和中断信号线传输至所述维管系统；所述维管系统通过功耗检测电路实时检测处理器的参数，所述功耗检测电路与中断信号线连接的端口内部设置有下拉MOSFET开关，MOSFET的源极和漏极接在中断信号线和参考地之间，为开漏输出；所述中断信号线在靠近所述维管系统附近通过电阻上拉至高电平，定义为标准值。
[0006]进一步的，当检测到功耗数据超过报警阈值时，拉低硬件中断信号，触发所述维管系统的调压功能，具体包括：预定义报警阈值；获取实时功耗数据，将实时功耗与报警阈值进行对比，判断实时功耗是否超过报警阈值；当实时功耗未超过所述报警阈值时，保持硬件中断信号的电平值至标准值；当实时功耗超过报警阈值时，降低硬件中断信号的电平值至低水平值，同时触发所述维管系统开启调压功能。
[0007]进一步的，所述调压功能具体包括：预定义调压阈值；当所述维管系统开启调压功能之后，获取处理器的实时功耗数据，判断当前功耗
是否超过所述调压阈值：若未超过，则所述维管系统持续对当前处理器的功耗进行实时监控，不发送调节指令；若超过，则所述维管系统发送调节指令，控制所述多相供电系统的输出电压，介入当前处理器的功耗管控。
[0008]进一步的，所述维管系统介入处理器的功耗管控，具体包括：将位于所述调压阈值之上的功耗数值进行等级划分，并计算相邻等级间的标准差；匹配当前功耗数据所对应的等级区间；获取当前处理器的外部需求，预读所述外部需求剩余量，并根据优先级预分配占用许可时间；以当前功耗所对应的等级区间的均值计算完成所述外部需求剩余量的预算时间，判断预算时间是否大于占用许可时间：若大于，则当前等级区间与外部需求不匹配，处理时间过长，发送升压调节指令；若不大于，则当前等级区间与外部需求匹配，发送降压调节指令或者稳压调节指令。
[0009]进一步的，当前等级区间与外部需求匹配时，还包括：计算所述预算时间的过盈量，根据相邻等级间的标准差计算等级跨越量；若不存在过盈时，发送稳压调节指令，不进行跃迁；若匹配且存在过盈时，获取过盈量，判断所述过盈量是否大于等级跨越量：若大于，则计算过盈量与等级跨越量的倍数并取整，将取整数值整合至降压调节指令，以确定降压跃迁级数；若不大于，则保持当前功耗等级，降低处理器频率。
[0010]进一步的，当前等级区间与外部需求不匹配时，还包括：计算所述预算时间的补充量，计算补充量与等级跨越量的倍数并取整，将取整数值整合至升压调节指令，以确定升压跃迁级数。
[0011]根据本专利技术的第二方面，提供了一种处理器功耗管控装置，包括：功耗检测模块：实时检测处理器的功耗，将参数发送至维管系统，参数包括电流、电压和功耗数据；维护管理模块：当检测到功耗数据超过报警阈值时，拉低硬件中断信号，触发维管系统的调压功能；当检测到功耗数据超过调压阈值时，维管系统发送调节指令至多相供电系统；电压调节模块：获取调节指令，对输出电压进行调节。
[0012]根据本专利技术的第三方面，提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一方面中任一项的所述方法步骤。
[0013]根据本专利技术的第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述第一方面中任一项的所述方法步骤。
[0014]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供了一种处理器功耗管控方法及装置，可以实时检测功耗数据并发送至
维管系统，当实际功耗超过报警阈值时，给出硬件中断信号，通知维管系统执行调节操作；维管系统可以向多相供电系统发送命令以执行调节输出电压的操作。可根据实际处理器运行功耗实现实时电压、频率调节，有效降低处理器运行功耗、提升处理器运行效率。
附图说明
[0015]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且与描述一起用于解释本专利技术的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术实施例的一种处理器功耗管控方法的流程图；图2为本专利技术实施例的一种处理器功耗管控装置的模块化框图；图3为本专利技术实施例提供的一种处理器功耗管控架构图；图4为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0017]为了更清楚的说明本专利技术实施例和现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创在性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。另，设计方位的属于仅表示各部件间的相对位置关系，而不是绝对位置关系。
[0018]实施例一根据本专利技术的第一方面，提供了一种处理器功耗管控方法，如图1所示，为处理器功耗管控方法的流程图，包括：步骤S101：实时检测处理器的参数，将参数发送至维管系统，参数包括电压、电流和功耗数据。
[0019]本专利技术的实施例中，请参阅图3，可通过功耗检测单元实时检测处理器的相关参数，参数至少包括电压、电流、功耗数据。功耗检测单元可以为功耗检测电路。
[0020]功耗检测单元与维管系统之间可通过I2C总线和中断信号线连接。使得功耗检测单元能够将处理器的参数实时反馈至维管系统。对于维管系统而言，维管系统可实时获取当前功耗数据，根据实时功耗数据对处理器的功耗进行管控。
[0021]本专利技术的实施例中，以功耗检测单元为功耗检测电路为例进行说明：在功耗检测电路内部，与中断信号线连接的端口内部设置下拉MOSFET开关，MOSFET的源极和漏极接在中断信号线和参考地之间，为开漏输出。中断信号线在靠近维管系统附近通过电阻上拉至高电平（如2.5V）。
[0022]通常状态下，下功耗检测电路内部的下拉MOSFET不导通，中断信本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理器功耗管控方法，其特征在于，包括：实时检测处理器的参数，将所述参数发送至维管系统，所述参数包括电流、电压和功耗数据；当检测到功耗数据超过报警阈值时，拉低硬件中断信号，触发所述维管系统的调压功能；所述维管系统开启所述调压功能之后，当检测到功耗数据超过调压阈值时，所述维管系统发送调节指令至多相供电系统，对输出电压进行调节。2.根据权利要求1所述的一种处理器功耗管控方法，其特征在于，所述参数通过I2C总线和中断信号线传输至所述维管系统；所述维管系统通过功耗检测电路实时检测处理器的参数，所述功耗检测电路与中断信号线连接的端口内部设置有下拉MOSFET开关，MOSFET的源极和漏极接在中断信号线和参考地之间，为开漏输出；所述中断信号线在靠近所述维管系统附近通过电阻上拉至高电平，定义为标准值。3.根据权利要求1所述的一种处理器功耗管控方法，其特征在于，当检测到功耗数据超过报警阈值时，拉低硬件中断信号，触发所述维管系统的调压功能，具体包括：预定义报警阈值；获取实时功耗数据，将实时功耗与报警阈值进行对比，判断实时功耗是否超过报警阈值；当实时功耗未超过所述报警阈值时，保持硬件中断信号的电平值至标准值；当实时功耗超过报警阈值时，降低硬件中断信号的电平值至低水平值，同时触发所述维管系统开启调压功能。4.根据权利要求3所述的一种处理器功耗管控方法，其特征在于，所述调压功能具体包括：预定义调压阈值；当所述维管系统开启调压功能之后，获取处理器的实时功耗数据，判断当前功耗是否超过所述调压阈值：若未超过，则所述维管系统持续对当前处理器的功耗进行实时监控，不发送调节指令；若超过，则所述维管系统发送调节指令，控制所述多相供电系统的输出电压，介入当前处理器的功耗管控。5.根据权利要求4所述的一种处理器功耗管控方法，其特征在于，所述维管系统介入处理器的功耗管控，具体包括：将位于所述调压阈值之上的功耗数值进行等级划分，并计算相邻等级间的标准差；匹配当前功耗数据所对应的等级...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹清，吴福永，杨培和，金利峰，袁博，何宁，关通，
申请(专利权)人：无锡江南计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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