PVB包覆纳米晶玻璃薄膜的制备和应用制造技术

本发明专利技术公开了一种PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉薄膜材料的制备和应用。所述制备方法包括如下步骤：(1)制备CsPbCl2Br纳米晶玻璃；(2)制备CsPbBr3纳米晶玻璃；(3)制备CsPbBrI2纳米晶玻璃；(4)合成PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉薄膜材料。本发明专利技术提供了所述制备方法制得的薄膜材料在制备白光LED中的应用。本发明专利技术制得的PVB@CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜材料具有薄、水稳定性好、直接发出白光且光学性能优异的性能，其制备的白光LED色温低、显色指数高、光效高，具有优异的光学性能。具有优异的光学性能。

【技术实现步骤摘要】
PVB包覆纳米晶玻璃薄膜的制备和应用


[0001]本专利技术属于钙钛矿纳米晶玻璃薄膜领域，具体涉及一种PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜材料的制备方法和在制备白光LED中的应用。

技术介绍

[0002]全无机CsPbX3(X＝Cl，Br，I)纳米晶因发射波长可调、高量子效率和窄的半峰宽而被广泛应用于各种领域，例如发光二极管(LED)、光电探测、激光和生物成像。尽管CsPbX3纳米晶具有上述优点，但稳定性差的问题却严重阻碍了其实际应用，即CsPbX3纳米晶暴露于大气中的水蒸气时其发光性能会迅速下降。为了克服该问题，将CsPbX3纳米晶嵌在玻璃中可以很大的改善其稳定性差的问题，再者，通过用薄膜将CsPbX3纳米晶玻璃包覆起来，更进一步提高了CsPbX3纳米晶的稳定性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的第一个目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，提供一种PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉薄膜材料的制备方法，实现了在PVB膜中直接发出白光并且获得优异的光学性能。
[0004]本专利技术的第二个目的是提供所述PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉薄膜材料在制备白光LED中的应用，所制备的白光LED具有优异的光学性能。
[0005]为实现上述专利技术目的，本专利技术所采取的技术方案如下：
[0006]第一方面，本专利技术提供了一种PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：
[0007](1)CsPbCl2Br纳米晶玻璃的制备
[0008]按以下摩尔百分比称取原料：B2O322.5％，SiO237％，ZnO 10.2％，Cs2CO316.5％，PbBr21.2％，PbCl22.4％，NaBr 3.4％，NaCl 6.8％；将原料混合研磨均匀后升温至1200
‑
1300℃，保温10
‑
15分钟后倒入已将温度设置在玻璃转变温度(Tg温度)的铸铁模上，然后置于高温炉中于玻璃转变温度(Tg温度)保温3
‑
6小时进行退火，然后随炉冷却至一定温度(如30℃)，关闭高温炉电源自动降温到室温，取出玻璃，得到CsPbCl2Br纳米晶玻璃，然后研磨成粉状；
[0009](2)CsPbBr3纳米晶玻璃的制备
[0010]按以下摩尔百分比称取原料：B2O322.5％，SiO237％，ZnO 10.2％，Cs2CO316.5％，PbBr23.3％，NaBr 10.5％；将原料混合研磨均匀后升温至1200
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1300℃，保温10
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15分钟后倒入已将温度设置在玻璃转变温度(Tg温度)的铸铁模上，然后置于高温炉中于玻璃转变温度(Tg温度)保温3
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6小时进行退火，然后随炉冷却至一定温度(如30℃)，关闭高温炉电源自动降温到室温，取出玻璃，得到CsPbBr3纳米晶玻璃，然后研磨成粉状；
[0011](3)CsPbBrI2纳米晶玻璃的制备
[0012]按以下摩尔百分比称取原料：B2O322.5％，SiO237％，ZnO 10.2％，Cs2CO316.5％，
PbBr21.2％，PbI22.4％，NaBr 3.4％，NaI 6.8％；将原料混合研磨均匀后升温至1200
‑
1300℃，保温10
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15分钟后倒入已将温度设置在玻璃转变温度(Tg温度)的铸铁模上，然后置于高温炉中进行退火，于玻璃转变温度(Tg温度)保温3
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6小时，然后随炉冷却至一定温度(如30℃)，关闭高温炉电源自动降温到室温，取出玻璃，得到CsPbBrI2纳米晶玻璃，然后研磨成粉状；
[0013](4)PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉薄膜的合成
[0014]把PVB与氯仿溶剂混合溶成胶状，然后立即与步骤(1)制得的CsPbCl2Br纳米晶玻璃粉、步骤(2)制得的CsPbBr3纳米晶玻璃粉和步骤(3)制得的CsPbBrI2纳米晶玻璃粉按比例混合并搅拌，倒入成膜容器中，放入烘箱中放置1
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2h，挥发溶剂成复合膜状，即得PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜材料；其中PVB、氯仿溶剂与CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉的质量比为0.25g：4.5mL：(0.2g/0.27g/0.15g)。
[0015]作为优选，步骤(1)
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(3)中，将原料混合研磨均匀后升温至1200℃，保温10分钟。
[0016]作为优选，步骤(1)
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(3)中，于玻璃转变温度(Tg温度)保温3小时。本专利技术中，所述的“玻璃转变温度(Tg温度)”可根据常规方法进行测定。
[0017]本专利技术所制备的PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜材料的形状可以是平面、凹面、凸面。
[0018]本专利技术制备的PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜发射白光，有良好的光学性能，可以直接应用于白光LED。
[0019]第二方面，本专利技术提供了所述PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜在制备白光LED中的应用。
[0020]具体的，所述的应用为：将所述PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜放置在365nm的紫光芯片上，制成白光LED。
[0021]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0022](1)本专利技术研究出一种工艺简单、成本低的包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃方法，制得的PVB@CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜材料具有薄、水稳定性好、直接发出白光且光学性能优异的性能。
[0023](2)本专利技术利用所述PVB@CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜材料制备的白光LED色温低、显色指数高、光效高，具有优异的光学性能。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本专利技术的范畴。
[0025]图1为实施例1
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5制得的PVB分别包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃薄膜的荧光图。
[0026]图2为实施例3制得的PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PVB包覆CsPbCl2Br/CsPbBr3/CsPbBrI2纳米晶玻璃粉薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：(1)CsPbCl2Br纳米晶玻璃的制备按以下摩尔百分比称取原料：B2O322.5％，SiO237％，ZnO 10.2％，Cs2CO316.5％，PbBr21.2％，PbCl22.4％，NaBr 3.4％，NaCl 6.8％；将原料混合研磨均匀后升温至1200
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1300℃，保温10
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15分钟后倒入已将温度设置在玻璃转变温度的铸铁模上，然后置于高温炉中于玻璃转变温度保温3
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6小时进行退火，然后随炉冷却至一定温度，关闭高温炉电源自动降温到室温，取出玻璃，得到CsPbCl2Br纳米晶玻璃，然后研磨成粉状；(2)CsPbBr3纳米晶玻璃的制备按以下摩尔百分比称取原料：B2O322.5％，SiO237％，ZnO 10.2％，Cs2CO316.5％，PbBr23.3％，NaBr 10.5％；将原料混合研磨均匀后升温至1200
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15分钟后倒入已将温度设置在玻璃转变温度的铸铁模上，然后置于高温炉中于玻璃转变温度保温3
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6小时进行退火，然后随炉冷却至一定温度，关闭高温炉电源自动降温到室温，取出玻璃，得到CsPbBr3纳米晶玻璃，然后研磨成粉状；(3)CsPbBrI2纳米晶玻璃的制备按以下摩尔百分比称取原料：B2O322.5％，SiO237％，ZnO 10.2％，Cs2CO316.5％，PbBr21.2％，PbI22.4％，NaBr 3.4％，NaI 6.8％；将原料混合研磨均匀后升温至1200
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【专利技术属性】
技术研发人员：向卫东，梅恩柔，柳建明，梁晓娟，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：发明
国别省市：