用于磁光记录的氧化锌或氧化铟基层的铂或钯/钴多层薄膜制造技术

本发明专利技术提供了一种磁光记录介质，包括有基底；溅射在基底上的氧化锌或氧化铟基层，以及溅射在氧化锌或氧化铟基层上的多层记录薄膜。其中氧化锌或氧化铟基层，是由２００埃左右到４５００埃左右厚（２０毫微米左右到４５０毫微米左右），最好是由２００埃左右到２０００埃左右厚（２０毫微米左右到２００毫微米左右）；多层记录薄膜，是由铂和钴或钯和钴的交替层组成的铂／钴或钯／钴多层薄膜，以及对于记录和读出所用的辐射，基底是透明的。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁-光记录介质、它是由铂或钯/钴多层薄膜及位于多层薄膜和基底之间的氧化锌或氧化铟层所组成的。在高密度磁和磁-光记录中,可以选择具有垂直的磁性异向性的薄膜。正如公开在卡撒(P. F. Carcia)的美国专利US-4,587,176中的一样,用于制备这类薄膜的材料、包括诸如氧化石榴石和铁淦氧磁体、无定形稀土过渡金属合金,金属合金例如CoCr,铂/钴(Pt/Co)和钯/钴(Pd/Co)金属多层材料。为了有益于磁光记录,除了垂直磁性异向之外,薄膜材料还必须具有其它的特征,这些要求包括,矩形磁滞回线、充分的克耳效应(电介质内光电效应),大的室温矫顽磁性Hc以及与可用的激光功率和磁场强度相适应的开关特性。Pt/Co多层薄膜是一种有希望的磁-光(MO)记录介质,新的选择对象。它们具有垂直的磁性异向、矩形磁滞回线,适度的克耳转动以及很好的环境稳定性。这些特征都在几篇最近发表的论文中(W. B. Zeper等,<<应用物理>>65,4971(1989),F. J. A. M. Greidanus,<&本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁一光记录介质，它包括有：基底、溅射在所说基底上的氧化锌或氧化铟基层、以及溅射在所说氧化锌或氧化铟基层上的多层记录薄膜，其特征在于：其中所说氧化铟或氧化锌基层厚约２００埃到约４５００埃（约２０毫微米到约４５０毫微米），所说多层记录薄膜是铂／钴多层薄膜或钯／钴多层薄膜，是由铂或钴或钯和钴的交替层组成，所说基底对用于记录和读出的辐射是透明的，并且在溅射所说多层薄膜时所用的溅射气体是氩、氪、氙或其混合物。

【技术特征摘要】
US 1990-3-15 494,207;US 1990-12-27 634,7911.一种磁一光记录介质，它包括有基底、溅射在所说基底上的氧化锌或氧化铟基层、以及溅射在所说氧化锌或氧化铟基层上的多层记录薄膜，其特征在于其中所说氧化铟或氧化锌基层厚约200埃到约4500埃(约20毫微米到约450毫微米)，所说多层记录薄膜是铂/钴多层薄膜或钯/钴多层薄膜，是由铂或钴或钯和钴的交替层组成，所说基底对用于记录和读出的辐射是透明的，并且在溅射所说多层薄膜时所用的溅射气体是氩、氪、氙或其混合物。2.按照权利要求1所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说基层是氧化锌。3.按照权利要求2所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜是铂/钴多层薄膜;是由铂和钴交替层组成的。4.按照权利要求3所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说的铂/钴多层薄膜的所有所说的钴层,基本上具有相同厚度dCo,并且所说的铂/钴多层薄膜的所有所说的铂层,基本上具有相同的厚度dPt,dCo小于12埃(1.2毫微米)左右,dPt小于24埃(2.4毫微米)左右,并且铂/钴多层薄膜的总厚度小于750埃(75毫微米)。5.按照权利要求4所述的磁-光记录介质,其特征在于:dCo是从2埃左右到5埃左右(0.2到0.5毫微米)和dPt/dCo是从1左右到5左右。6.按照权利要求2所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说氧化锌基层是由200埃左右到2000埃左右厚。(20毫微米左右到200毫微米左右)。7.按照权利要求6所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜是由铂和钴交替层组成的铂/钴多层薄膜。8.按照权利要求7所述的磁光记录介质,其特征在于:所说铂/钴多层薄膜的所有所说钴层,基本上具有相同的厚度dCo和所说铂/钴多层薄膜的所有所说铂层,基本上具有相同的厚度dPt,dCo是小于12埃(1.2毫微米)左右,dPt是小于24埃(2.4毫微米)左右,并且铂/钴多层薄膜的总厚度是小于750埃(75毫微米)左右。9.按照权利要求8所述的磁光记录介质,其特征在于:dCo是由2埃左右到5埃左右(0.2到0.5毫微米左右)和dPt/dCo是由1左右到5左右。10.按照权利要求2所述的磁光记录介质,其特征在于:溅射所说多层薄膜时,所用的所说溅射气体,是氪、氙或其混合物。11.按照权利要求10所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说溅射气体的气压是2毫乇左右到12毫乇左右(0.27到1.6帕左右)。12.权利要求要求11所述的磁光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜是由铂和钴交替层组成的铂/钴多层薄膜。13.按照权利要求12所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说铂/钴多层薄膜的所有所说钴层,基本上具有相同的厚度dCo,和所说铂/钴多层薄膜的所有所说铂层,基本上具有相同厚度dPt,dCo是小于12埃左右(1.2毫微米左右)dPt是小于24埃(2.4毫微米)左右,而铂/钴多层薄膜的总厚度小于750埃(75毫微米)左右。14.按照权利要求13所述的磁-光记录介质,其特征在于:dCo是由2埃左右到5埃左右(0.2到0.5毫微米左右)和dPt/dCo是由1到5左右。15.按照权利要求6所述的磁-光记录介质,其特征在于:溅射所说多层薄膜时所用的所说溅射气体是氪、氙或其混合物。16.按照权利要求15所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说溅射气体的压力,是2毫乇左右到12毫乇左右(0.27左右到1.6帕左右)17.按照权利要求16所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜,是由铂和钴交替层组成的铂/钴多层薄膜。18.按照权利要求17所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说铂/钴多层薄膜的所有的所说钴层,基本上具有相同厚度dCo和所说铂/钴多层薄膜的所有的所说铂层,基本上具有相同厚度dPt,dCo是小于12埃(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得弗朗西斯加西亚，
申请(专利权)人：纳幕尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]