光检测器制造技术

光检测器(1)是具备以阵列状配置有多个像素(11)的像素阵列(10)的光检测器(1)，多个像素(11)分别包括：第1导电型的第1半导体层(12)；第1导电型的第2半导体层(13)，位于第1半导体层(12)的上方，杂质浓度比第1半导体层(12)低；以及第2导电型的第1半导体区域(14)，形成于第2半导体层(13)，并与第1半导体层(12)接合，第2导电型与第1导电型不同；第1半导体层(12)及第1半导体区域(14)形成通过雪崩倍增而电荷被倍增的倍增区域(15)；像素阵列(10)包括形成于第2半导体层(13)的第1导电型的第1分离部(16)、以及形成于第1半导体层(12)的第1导电型的第2分离部(17)。型的第2分离部(17)。型的第2分离部(17)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测器


[0001]本专利技术涉及光检测器，特别涉及能够检测微弱的光的光检测器。

技术介绍

[0002]近年来，在医疗、通信、生物、化学、监视、车载、放射线检测等多方面的领域中利用高灵敏度的光检测器。作为高灵敏度的光检测器之一，已知有雪崩光电二极管(APD：Avalanche Photodiode)。雪崩光电二极管是利用雪崩击穿(breakdown)将通过光电变换产生的信号电荷进行倍增(雪崩倍增)来提高光的检测灵敏度的光电二极管。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平10－233525号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2016/013170号
[0007]专利文献3：日本特开2017－5276号公报
[0008]专利文献4：日本特开2018－201005号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的课题
[0010]本专利技术的目的是提供一种能够提高光子检测效率的光检测器。
[0011]用来解决课题的手段<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光检测器，具备以阵列状配置有多个像素的像素阵列，其中，上述多个像素分别包括：第1导电型的第1半导体层；上述第1导电型的第2半导体层，位于上述第1半导体层的上方，杂质浓度比上述第1半导体层低；以及第2导电型的第1半导体区域，形成于上述第2半导体层，并与上述第1半导体层接合，上述第2导电型与上述第1导电型不同；上述第1半导体层及上述第1半导体区域形成通过雪崩倍增而电荷被倍增的倍增区域；上述像素阵列包括形成于上述第2半导体层的上述第1导电型的第1分离部、以及形成于上述第1半导体层的上述第1导电型的第2分离部。2.如权利要求1所述的光检测器，其中，上述第2分离部的杂质浓度比与上述第2分离部相同深度的、上述第1半导体层的没有形成上述第2分离部的区域的杂质浓度高。3.如权利要求1或2所述的光检测器，其中，在上述像素阵列的平面图中，上述第2分离部在上述多个像素各自中与上述第1半导体区域的至少一部分重叠。4.如权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉浦裕树，井上晓登，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：