太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池的制造方法。提供一种即使进行制造工序的简化，也抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面接合型的太阳能电池的制造方法，包含第一半导体层材料膜形成工序、剥离层形成工序、第一半导体层形成工序、第二半导体层材料膜形成工序以及第二半导体层形成工序。第二半导体层形成工序包含至少一次蚀刻工序，将半导体基板浸渍在用于除去剥离层的蚀刻溶液；以及至少一次冲洗工序，将半导体基板浸渍在用于冲洗半导体基板的表面的冲洗溶液。在蚀刻工序以及冲洗工序中的至少一个工序中，向溶液添加附着抑制剂，该附着抑制剂抑制被除去的剥离层和/或第二导电型半导体层的材料膜再附着于半导体基板的主面。板的主面。板的主面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池的制造方法


[0001]本专利技术涉及背面接合型(也称为背接触型、背面电极型。)的太阳能电池的制造方法。

技术介绍

[0002]作为使用了半导体基板的太阳能电池，具有在受光面侧以及背面侧的两面形成有半导体层的例如异质结型(以下，相对于背面接合型，称为两面接合型。也称为两面电极型。)的太阳能电池、以及仅在背面侧形成有半导体层的背面接合型的太阳能电池。在两面接合型的太阳能电池中，由于在受光面侧形成电极，所以太阳光被该电极遮挡。另一方面，在背面接合型的太阳能电池中，由于没有在受光面侧形成电极，所以与两面接合型的太阳能电池比较，太阳光的受光率高。在专利文献1中公开了背面接合型的太阳能电池。
[0003]专利文献1所记载的太阳能电池具备：作为光电转换层发挥功能的半导体基板、在半导体基板的背面侧的一部分依次层叠的第一导电型半导体层和第一电极层、以及在半导体基板的背面侧的另一部分依次层叠的第二导电型半导体层和第二电极层。
[0004]专利文献1：日本特开2014
‑
75526号公报
[0005]一般，在第一导电型半导体层的刻画图案(第一次刻画图案)以及第二导电型半导体层的刻画图案(第二次刻画图案)中，利用使用了光刻技术的蚀刻法。然而，在使用了光刻技术的蚀刻法中，例如需要旋涂法的光致抗蚀剂涂敷、光致抗蚀剂干燥、光致抗蚀剂曝光、光致抗蚀剂显影、将光致抗蚀剂作为掩模使用的半导体层的蚀刻以及光致抗蚀剂剥离的工序，工序复杂。
[0006]关于该点，在专利文献1中记载了在第二次刻画图案中，通过使用了剥离层(牺牲层)的剥离法，实现刻画图案的工序的简化的技术。
[0007]在剥离法中，需要高效地剥离剥离层，在大量生产的情况下，如图4所示，需要使用盒同时处理多个半导体基板。在这样的情况下，存在在相邻的半导体基板中，在一个半导体基板的背面侧被剥离(剥离)的剥离层再次大量地附着于另一个半导体基板的受光面侧这样的问题。若被剥离后的剥离层再附着于太阳能电池的受光面侧，则例如附着的剥离层在半导体基板表面漫反射，所以太阳能电池的性能降低，或外观受损(受光面侧的设计性降低)。

技术实现思路

[0008]本专利技术目的在于提供一种即使进行制造工序的简化，也会抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损的太阳能电池的制造方法。
[0009]本专利技术的太阳能电池的制造方法是具备半导体基板、层叠在上述半导体基板的与一个主面侧相反的一侧的另一个主面侧的一部分亦即第一区域的第一导电型半导体层、以及层叠在上述半导体基板的上述另一个主面侧的另一部分亦即第二区域的第二导电型半导体层的背面接合型的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池的制造方法包含以下工
序：第一半导体层材料膜形成工序，在上述半导体基板的上述另一个主面侧形成上述第一导电型半导体层的材料膜；剥离层形成工序，在上述第一导电型半导体层的材料膜上形成剥离层；第一半导体层形成工序，除去上述第二区域的上述剥离层以及上述第一导电型半导体层的材料膜，由此在上述第一区域形成图案化的上述第一导电型半导体层以及上述剥离层；第二半导体层材料膜形成工序，在上述第一区域的上述剥离层以及上述第二区域上形成上述第二导电型半导体层的材料膜；以及第二半导体层形成工序，除去上述剥离层，由此除去上述第一区域的上述第二导电型半导体层的材料膜，在上述第二区域形成图案化的上述第二导电型半导体层，上述第二半导体层形成工序包含：至少一次蚀刻工序，将上述半导体基板浸渍在用于除去上述剥离层的蚀刻溶液；以及至少一次冲洗工序，将上述半导体基板浸渍在用于冲洗上述半导体基板的表面的冲洗溶液，在上述蚀刻工序以及上述冲洗工序中的至少一个工序中，在溶液中添加抑制被除去的剥离层和/或第二导电型半导体层的材料膜再附着于上述半导体基板的主面的附着抑制剂。
[0010]根据本专利技术，即使进行太阳能电池的制造工序的简化，也能够抑制太阳能电池的性能降低以及太阳能电池的外观受损。
附图说明
[0011]图1是从背面侧观察本实施方式的太阳能电池的图。
[0012]图2是图1的太阳能电池的II
‑
II线剖视图。
[0013]图3A是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层材料膜形成工序以及剥离层形成工序的图。
[0014]图3B是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层形成工序的图。
[0015]图3C是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层形成工序的图。
[0016]图3D是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第一半导体层形成工序的图。
[0017]图3E是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第二半导体层材料膜形成工序的图。
[0018]图3F是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的第二半导体层形成工序的图。
[0019]图3G是表示本实施方式的太阳能电池的制造方法的光学调整层形成工序的图。
[0020]图4是用于说明图3F所示的第二半导体层形成工序的剥离工序以及冲洗工序的图。
[0021]图5是用于说明图3F所示的第二半导体层形成工序的剥离工序以及冲洗工序的图。
[0022]图6A是对实施例的太阳能电池的受光面进行拍摄的拍摄数据(二值化)。
[0023]图6B是对实施例的太阳能电池的受光面进行拍摄的拍摄数据(二值化)。
[0024]图6C是对实施例的太阳能电池的受光面进行拍摄的拍摄数据(二值化)。
[0025]图6D是对比较例的太阳能电池的受光面进行拍摄的拍摄数据(二值化)。
具体实施方式
[0026]以下，参照附加的附图对本专利技术的实施方式一个例子进行说明。此外，在各附图中对相同或者相当的部分标注相同的附图标记。另外，方便起见，有时也省略了阴影、部件附
图标记等，在这种情况下，参照其它附图。
[0027](太阳能电池)
[0028]图1是从背面侧观察本实施方式的太阳能电池的图。图1所示的太阳能电池1是背面电极型的太阳能电池。太阳能电池1具备具有两个主面的半导体基板11，在半导体基板11的主面具有第一区域7和第二区域8。
[0029]第一区域7呈所谓的梳型的形状，具有相当于梳齿的多个指部7f、和相当于梳齿的支承部的母线部7b。母线部7b沿着半导体基板11的一个边部向第一方向(X方向)延伸，指部7f从母线部7b向与第一方向(X方向)交叉的第二方向(Y方向)延伸。
[0030]同样，第二区域8是所谓的梳型的形状，具有相当于梳齿的多个指部8f、和相当于梳齿的支承部的母线部8b。母线部8b沿着与半导体基板11的一个边部对置的另一个边部向第一方向(X方向)延伸，指部8f从母线部8b向第二方向(Y方向)延伸。
[0031]指部7f与指部8f在第一方向(X方向)上交替地设置。
[0032]此外，第一区域7以及第二区域8也可以形成为条纹状。
[0033]图2是图1的太阳能电池的II
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池的制造方法，是具备半导体基板、层叠在上述半导体基板的与一个主面侧相反的一侧的另一个主面侧的一部分亦即第一区域的第一导电型半导体层、以及层叠在上述半导体基板的上述另一个主面侧的另一部分亦即第二区域的第二导电型半导体层的背面接合型的太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池的制造方法包含以下工序：第一半导体层材料膜形成工序，在上述半导体基板的上述另一个主面侧形成上述第一导电型半导体层的材料膜；剥离层形成工序，在上述第一导电型半导体层的材料膜上形成剥离层；第一半导体层形成工序，除去上述第二区域的上述剥离层以及上述第一导电型半导体层的材料膜，由此在上述第一区域形成图案化的上述第一导电型半导体层以及上述剥离层；第二半导体层材料膜形成工序，在上述第一区域的上述剥离层以及上述第二区域上形成上述第二导电型半导体层的材料膜；以及第二半导体层形成工序，除去上述剥离层，由此除去上述第一区域的上述第二导电型半导体层的材料膜，在上述第二区域形成图案化的上述第二导电型半导体层，上述第二半导体层形成工序包含：至少一次蚀刻工序，将上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅谷刚，吉田航，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：发明
国别省市：