光子混合器器件制造技术

一种用于将入射光信号与参考电信号相乘的光子混合器器件。该光子混合器器件包括：具有第一导电性类型的半导体衬底；具有第二导电性类型的两个检测器区域，该第二导电性类型与第一导电性类型不同；具有第一导电性类型的两个偏置区域，这两个偏置区域具有比半导体衬底的掺杂浓度更高的掺杂浓度，每个偏置区域位于各个检测器区域中的一个检测器区域附近，其中可以通过在偏置区域之间施加电压偏置而在半导体衬底中形成电场；与衬底和偏置区域隔离开的两个偏置电极，其中每个偏置电极仅部分或完全局部地覆盖各个偏置区域中的一个偏置区域的外边缘。的外边缘。的外边缘。

【技术实现步骤摘要】
光子混合器器件


[0001]本专利技术涉及光子器件。更具体地，它涉及光子混合器器件。

技术介绍

[0002]电流辅助光子解调器(CAPD)是也能够对入射光信号和参考电信号进行无噪声相乘的一种光电检测器器件。因此，它能够估计这些信号之间的相关性函数。
[0003]CAPD的总体思想在图1中示出并且在US6987268B2中公开。在该示例中，光电检测器内置在低掺杂的p型衬底(标记为“p
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)中。CAPD由形成在两个p区域(标记为“p+”)之间并在紧邻p区域的两个n区域(标记为“n+”)之间的衬底电阻器组成。
[0004]当将电压源连接到这些p+区域时，多数空穴电流将流过衬底电阻器，从而产生逐渐的电压降，并且因此在硅衬底中产生电场。从顶部或底部入射到该器件上的光被衬底吸收，从而形成电子空穴对。光电子沿着电场线朝着具有较高的电势的p区域漂移，从而在p区域周围形成电子池。
[0005]这些光电子因为由高掺杂的p区域与低掺杂的p衬底之间的掺杂差异产生的势垒而无法穿透到p区域中。
[0006]可以通过在p掺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于将入射光信号与参考电信号相乘的光子混合器器件(100)，所述光子混合器器件(100)包括：
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具有第一导电性类型的半导体衬底(110)，
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具有第二导电性类型的两个检测器区域(130A、130B)，所述第二导电性类型与所述第一导电性类型不同，
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具有所述第一导电性类型的两个偏置区域(120A、120B)，所述两个偏置区域(120A、120B)具有比所述半导体衬底(110)的掺杂浓度更高的掺杂浓度，每个偏置区域位于各个所述检测器区域中的一个所述检测器区域附近，其中可以通过在所述偏置区域之间施加电压偏置而在所述半导体衬底(110)中形成电场，
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与所述衬底和所述偏置区域隔离开的两个偏置电极(140A、140B)，其中每个偏置电极仅部分或完全局部地覆盖各个所述偏置区域(120A、120B)中的一个所述偏置区域的外边缘。2.根据权利要求1所述的光子混合器器件(100)，其中，所述偏置区域(120A、120B)包围所述检测器区域(130A、130B)。3.根据权利要求1所述的光子混合器器件(100)，其中，所述偏置区域(120A、120B)的所述外边缘是大致圆形的，并且其中，所述偏置电极(140A、140B)具有大致圆形的环形形状。4.根据权利要求1所述的光子混合器器件(100)，其中，所述偏置区域(120A、120B)的所述外边缘是大致矩形的，并且其中，所述偏置电极(140A、140B)具有大致矩形的环形形状。5.根据权利要求1所述的光子混合器器件(100)，其中，所述半导体衬底(110)是硅衬底。6.根据权利要求1所述的光子混合器器件(100)，其中，所述第一导电性类型是n型，并且其中所述第二导电性类型是p型。7.根据权利要求1所述的光子混合器器件(100)，其中，所述第一导电性类型是p型，并且其中所述第二导电性类型是n型。8.根据权利要求1所述的光子混合器器件(100)，其中，所述偏置电极(140A、140B)通过浅沟槽隔离区域(170)而与所述衬底(110)隔离开。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：迈来芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：