一种纳米孪晶铜箔及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种纳米孪晶铜箔及其制备方法，属于电解铜箔制备技术领域。该铜箔利用直流电解沉积技术制备得到，其厚度在3

【技术实现步骤摘要】
一种纳米孪晶铜箔及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电解铜箔制备
，具体涉及一种纳米孪晶铜箔及其制备方法。

技术介绍

[0002]铜箔是电子工业的基础材料之一，主要用于电子电路和锂离子电池等领域。随着新能源、电信装备(5G)、机器人、柔性可穿戴设备、智能汽车等领域的高速发展，对铜箔性能的要求日益增长。然而，目前大部分铜箔材料多通过轧制或电解沉积技术获得，高的强度、高的延伸率、高导电以及极薄的厚度尺寸往往难以兼得，这严重阻碍了先进电子设备和高性能电池的发展。为此，极薄铜箔(厚度小于6微米)已经被国家工信部列为重点新材料。
[0003]目前在铜箔的制备过程中，提高其强度的方法大多基于细化晶粒的思路。比如在对于压延铜箔在轧制过程中提高应变量，使其晶粒尺寸减小；对于电解铜箔在制备过程中通过提高电流密度或使用添加剂提高阴极极化程度，同样使晶粒尺寸减小。细晶强化的原理是通过晶界阻碍位错运动从而提高材料强度，如Hall
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Petch关系描述了金属材料的强度与晶粒尺寸的0.5次方成反比。然而，在细晶强化过程中由于位错运动受到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米孪晶铜箔，其特征在于：所述纳米孪晶铜箔是由柱状晶粒组成，柱状晶粒尺寸自下而上逐渐增加，其平均短轴尺寸变化范围为200～950nm；柱状晶粒内含有纳米尺度的孪晶片层，平均纳米孪晶片层厚度处于100nm以下。2.根据权利要求1所述的纳米孪晶铜箔，其特征在于：所述的柱状晶粒取向自下而上由随机取向变为强(111)织构。3.根据权利要求1所述的纳米孪晶铜箔，其特征在于：所述纳米孪晶铜箔的厚度为3
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100μm。4.根据权利要求1所述的纳米孪晶铜箔，其特征在于：所述纳米孪晶铜箔的性能：纯度为99.995
±
0.005at％，室温条件下抗拉强度大于500MPa，延伸率为1～5％。5.根据权利要求1所述的纳米孪...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢磊，程钊，金帅，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：