一种拉晶系统及拉晶方法技术方案

本发明专利技术提供了一种拉晶系统及拉晶方法，涉及太阳能光伏技术领域。拉晶系统包括单晶炉和连接于单晶炉的第一气源与第二气源；第一气源用于向单晶炉提供第一惰性气体，第二气源用于向单晶炉提供第二惰性气体；第一惰性气体的比热容大于第二惰性气体的比热容，单晶炉包括相连通的主室和副室；副室具有至少一个第一开口和至少一个第二开口；第一气源连接第一开口；主室具有至少一个第一连接口和至少一个第二连接口，且第二连接口位于第一连接口远离副室的一侧；第二气源连接所述第一连接口。在相同的温差下，第二惰性气体吸收的热量较少，可以保持主室温度的稳定，第一惰性气体吸收的热量较多，提供良好的垂直温度梯度，利于单晶硅棒快速生长。快速生长。快速生长。

【技术实现步骤摘要】
一种拉晶系统及拉晶方法


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种拉晶系统及拉晶方法。

技术介绍

[0002]目前，在单晶炉中使用直拉法拉制单晶硅棒的过程主要为，将硅原料熔融，得到熔硅，单晶硅棒在拉制过程中由熔硅液面向上垂直生长。在单晶硅棒生长过程中，需要及时吸收单晶硅棒散发的结晶潜热，以为单晶硅棒的生长提供更大的纵向温度梯度，从而保证单晶硅棒具有较高的生长速度。
[0003]现有技术的单晶炉中，主要吸收单晶硅棒的热辐射，以吸收单晶硅棒散发的结晶潜热，为单晶硅棒的生长提供较大的纵向温度梯度。
[0004]然而，硅作为良好的热导体，单晶硅棒自身的热传导没有被带走，不利于提供优化的纵向温度梯度，限制了晶体生长速度的进一步提升和单晶硅棒生产成本的进一步降低。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种拉晶系统及拉晶方法，旨在解决直拉法中，目前的拉晶系统不利于单晶硅棒快速生长的问题。
[0006]本专利技术的第一方面，提供一种拉晶系统，所述拉晶系统包括单晶炉和连接于所述单晶炉的第一气源与第二气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉晶系统，其特征在于，所述拉晶系统包括单晶炉和连接于所述单晶炉的第一气源与第二气源；所述第一气源用于向所述单晶炉提供第一惰性气体，所述第二气源用于向所述单晶炉提供第二惰性气体；所述第一惰性气体的比热容大于所述第二惰性气体的比热容，所述单晶炉包括相连通的主室和副室；所述副室具有至少一个第一开口和至少一个第二开口，且所述第一开口位于所述第二开口靠近所述主室的一侧；所述第一气源连接所述第一开口；所述主室具有至少一个第一连接口和至少一个第二连接口，且所述第二连接口位于所述第一连接口远离所述副室的一侧；所述第二气源连接所述第一连接口。2.根据权利要求1所述的拉晶系统，其特征在于，所述第一惰性气体的密度小于所述第二惰性气体的密度。3.根据权利要求1或2所述的拉晶系统，其特征在于，所述第一惰性气体包括：氦气和/或氖气；所述第二惰性气体包括：氩气。4.根据权利要求1或2所述的拉晶系统，其特征在于，还包括：至少一个第一抽气泵，所述第一抽气泵连接所述第二开口。5.根据权利要求1或2所述的拉晶系统，其特征在于，还包括：至少一个第二抽气泵，所述第二抽气泵连接所述第二连接口。6.根据权利要求1或2所述的拉晶系统，其特征在于，所述第二开口通过阀门、管道连接于所述第一气...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾祯，梁永生，冉瑞应，党俊佳，杨东，金雪，黑学兰，
申请(专利权)人：银川隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：