【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉炉底保温组件
[0001]本技术涉及单晶炉保温组件
,尤其涉及一种单晶炉炉底保温组件。
技术介绍
[0002]单晶硅,又称硅单晶,是一种半导体材料。单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主) 环境中,用加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶硅的设备。单晶炉的热场系统决定了单晶生长的温度,温度分布合适的热场,能够生长出高质量的单晶。温度分布不合适的热场容易使单晶变成多晶,或者根本无法引晶;或者虽然能够生长单晶,但质量较差,有位错和其它结构缺陷。因此,找到较好的热场条件,配置最佳的热场,是非常重要的直拉单晶工艺技术。热场保温性能不佳,在一定程度影响拉晶,从而增加功耗及生产成本。
[0003]现有的热场系统一般包含炉体顶部保温,上、中、下保温以及炉体底部保温。炉底保温组件的保温层通常包含石墨压片层、石墨碳毡层、石墨固化毡层等保温材料,保温层上具有沿纵向贯穿各层的多个通孔,通孔用于容纳单晶炉的石墨下轴及电极,并供石墨下轴以及电极穿过。炉底保温组件的保温效果,直接影响着热场的温度梯度。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉炉底保温组件,具有包含石墨碳毡(113)层的保温层,在保温层上开设有分别供石墨下轴和电极穿过的石墨下轴贯穿通孔(121)及电极贯穿通孔(122);其特征在于:在所述石墨下轴贯穿通孔(121)及所述电极贯穿通孔(122)中分别设有第一隔离护套(131)、第二隔离护套(132),所述第一隔离护套(131)能够将所述石墨碳毡(113)与所述石墨下轴贯穿通孔(121)相隔离,所述第二隔离护套(132)能够将所述石墨碳毡(113)与所述电极贯穿通孔(122)相隔离。2.根据权利要求1所述的单晶炉炉底保温组件,其特征在于:所述第一隔离护套(131)、第二隔离护套(132)覆盖所述石墨碳毡(113)并与其相贴合。3.根据权利要求2所述的单晶炉炉底保温组件,其特征在于:所述炉底保温组件(1)的保温层从上至下依次包括石墨压片(111)、石墨保温固化毡(112)、石墨碳毡(113)、石墨固化毡(114)...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵刚,丁志杰,
申请(专利权)人:内蒙古华耀光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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