一种3MSVG功率单元装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种3MSVG功率单元装置，包括壳体、支持电容、IGBT模块、功率单元模块、均压电阻、支撑板，所述支持电容安装在所述支撑板上端，所述IGBT模块安装在所述支持电容上端前侧，所述IGBT模块后侧安装有散热模块，所述支撑板上端左右两侧安装有壳体，所述壳体一侧靠近所述散热模块安装处开设有风道入口，所述均压电阻安装在靠近所述风道入口一侧的壳体内部，所述功率单元模块安装在所述支持电容下部前侧。本实用新型专利技术通过在IGBT模块后侧设置新型风道，改善了3MSVG功率单元装置的散热能力，在维持功率单元功率的情况下减小功率单元体积。元体积。元体积。

【技术实现步骤摘要】
一种3MSVG功率单元装置


[0001]本技术涉及输变电设备
，尤其涉及一种3MSVG功率单元装置。

技术介绍

[0002]SVG在目前为最先进的无功补偿技术，它不再采用大容量的电容、电感器件，而是通过大功率电力电子器件的高频开关实现无功能量的变换。其基本原理是将电压源逆变器，经过电抗器或者变压器并联在电网上，通过调节逆变器交流侧输出电压的幅值和相位，迅速吸收或者发出所需要的无功功率，实现快速无极差补偿的系统无功功率的目的。随着电力电子技术的发展，SVG的应用越来越广，装置容量也逐渐扩大，为SVG的应用带来了不便。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种3MSVG功率单元装置，将散热模块直接与IGBT模块安装，结构紧凑，便于对IGBT模块进行散热，并且采用直排式散热片，提高了装置的散热能力，从而在维持功率单元功率的情况下减小功率单元体积。
[0004]根据本技术提出的一种3MSVG功率单元装置，包括壳体、支持电容、IGBT模块、功率单元模块、均压电阻、支撑板，所述支持电容安装在所述支撑板上端，所述IGBT模块安装在所述支持电容上端前侧，所述IGBT模块后侧安装有散热模块，所述支撑板上端左右两侧安装有壳体，所述壳体一侧靠近所述散热模块安装处开设有风道入口，所述均压电阻安装在靠近所述风道入口一侧的壳体内部，所述功率单元模块安装在所述支持电容下部前侧。
[0005]优选地，所述散热模块包括风道背板、散热片，所述散热片安装在所述IGBT模块后侧，所述风道背板安装在所述散热片后侧，所述风道背板远离所述风道入口的一侧开设有风道出口。
[0006]优选地，所述支持电容的正负极、IGBT模块的正负极均通过层叠铜排连接。
[0007]优选地，所述壳体远离所述支持电容的一侧安装有提手。
[0008]优选的，所述散热片为直排式散热片。
[0009]优选的，所述支持电容为薄膜电容。
[0010]优选的，所述支持电容通过螺杆与所述功率单元模块连接。
[0011]本技术中的有益效果是：将散热模块直接与IGBT模块安装，结构紧凑，便于对IGBT模块进行散热，并且采用直排式散热片，提高了装置的散热能力，从而在维持功率单元功率的情况下减小功率单元体积，为将多个功率单元的输出叠加起来而得到高压的SVG模块的应用提供了便捷。
附图说明
[0012]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0013]图1为本技术提出的一种3MSVG功率单元装置的爆炸图；
[0014]图2为本技术提出的一种3MSVG功率单元装置的装配示意图。
[0015]图中：1
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壳体、2
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层叠铜排、3
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支持电容、4
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IGBT模块、5
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风道背板、6
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散热片、7
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风道入口、8
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提手、9
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功率单元模块、10
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均压电阻、11
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支撑板。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0017]参照图1
‑
图2，一种3MSVG功率单元装置，包括壳体1、支持电容3、IGBT模块4、功率单元模块9、均压电阻10、支撑板11，支持电容3为薄膜电容，支持电容3安装在支撑板11上端，IGBT模块4安装在支持电容3上端前侧，IGBT模块4后侧安装有散热模块，支撑板11上端左右两侧安装有壳体1，壳体1一侧靠近散热模块安装处开设有风道入口7，均压电阻10安装在靠近风道入口7一侧的壳体1内部，功率单元模块9安装在支持电容3下部前侧通过螺杆连接；散热模块包括风道背板5、散热片6，散热片6为直排式散热片，散热片6安装在IGBT模块4后侧，风道背板5安装在散热片6后侧，风道背板5远离风道入口7的一侧开设有风道出口；支持电容3的正负极、IGBT模块4的正负极均通过层叠铜排2连接；壳体1远离支持电容3的一侧安装有提手8。
[0018]功率单元模块9具有故障检测功能，可以检测IGBT过流、直流侧电压过压和功率单元超温，实现对单元最主要最直接的保护，IGBT模块4是自换相桥式电路的核心器件，通过控制IGBT的通断，将直流侧电压转换成与交流侧电网同频率的输出电压。支持电容3为功率单元模块9直流侧提供直流电压支撑。散热模块用于将工作中的IGBT的热量能及时散发出去，保证IGBT正常工作，热片6吸收IGBT模块4工作时产生的热量，气体通过风道入口7进入，经过散热片6将热量由风道出口导出，从而达到散热的目的。
[0019]综上，将散热模块直接与IGBT模块安装，结构紧凑，便于对IGBT模块进行散热，并且采用直排式散热片，提高了装置的散热能力，从而在维持功率单元功率的情况下减小功率单元体积，为将多个功率单元的输出叠加起来而得到高压的SVG模块的应用提供了便捷。
[0020]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种3MSVG功率单元装置，其特征在于：包括壳体、支持电容、IGBT模块、功率单元模块、均压电阻、支撑板，所述支持电容安装在所述支撑板上端，所述IGBT模块安装在所述支持电容上端前侧，所述IGBT模块后侧安装有散热模块，所述支撑板上端左右两侧安装有壳体，所述壳体一侧靠近所述散热模块安装处开设有风道入口，所述均压电阻安装在靠近所述风道入口一侧的壳体内部，所述功率单元模块安装在所述支持电容下部前侧。2.根据权利要求1所述的一种3MSVG功率单元装置，其特征在于：所述散热模块包括风道背板、散热片，所述散热片安装在所述IGBT模块后侧，所述风道背板安装在所述散热片后侧，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：安徽佑赛科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：