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基于双折射原理的多阶光存储方法和多阶只读光盘结构技术

技术编号:3065554 阅读:192 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
基于双折射原理的多阶光存储方法和多阶只读光盘结构,属于光盘存储技术领域。其特征是,所述存储方法是当线偏振的入射光通过记录层后,其偏振状态发生变化,利用记录层上不同深度的记录坑点,使得入射光在记录层中经过的路径长度不同,得到不同的反射光偏振状态,检测反射光的不同偏振状态,得到反映不同记录坑点深度的多阶信号,即可进行多阶光盘存储。利用干涉检测的方法,可以得到16阶以上的存储效果。本发明专利技术所述的多阶光盘是只读式的,可以有效地提高光盘的存储密度和存储容量。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于双折射原理的多阶光存储方法和多阶只读光盘结构,属于光盘存储在采用相同的激光光源、物镜数值孔径和记录介质的前提下,与普通的二值存储方式相比较,如果同样大小的记录单元上可以记录n阶的信息,那么n阶存储的总容量C大致可以按以下公式计算C=Cn·log2n(n>2)式中Cn是采用普通二值存储方式时的存储总容量。举例说明,如果n=8,即8阶存储,其容量将是普通二值存储的3倍。最基本的多阶只读光盘存储的例子是坑深调制多阶方案,又称为PDM(Pit-DepthModulation)。其原理是,对于只读类的光盘,按照标量衍射理论,反射光的光强与光盘的记录坑点深度有着对应关系从坑深为0开始,随着坑深的增加,反射光的光强随之减弱,在坑深为激光波长的1/4处,反射光光强达到极小值。利用了记录坑点深度与反射光强的这一关系,设置不同的坑深变化,即可实现多阶光盘存储。然而,由于坑点深度的分辨率极限问题,该方案所能达到的多阶存储效果受到很大限制。本专利技术提出的一种基于双折射原理的多阶光存储方法,其特征在于,所述存储方法是当线偏振的入射光通过记录层后,其偏振状态发生变化,利用记录层上不本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于双折射原理的多阶光存储方法,其特征在于,所述存储方法是当线偏振的入射光通过记录层后,其偏振状态发生变化,利用记录层上不同深度的记录坑点,使得入射光在记录层中经过的路径长度不同,得到不同的反射光偏振状态,检测反射光的不同偏振状态,得到反映不同记录坑点深度的多阶信号,即可进行多阶光盘存储。

【技术特征摘要】
1.基于双折射原理的多阶光存储方法,其特征在于,所述存储方法是当线偏振的入射光通过记录层后,其偏振状态发生变化,利用记录层上不同深度的记录坑点,使得入射光在记录层中经过的路径长度不同,得到不同的反射光偏振状态,检测反射光的不同偏振状态,得到反映不同记录坑点深度的多阶信号,即可进行多阶光盘存储。2.根据权利要求1所述的基于双折射原理的多阶光存储方法,其特征在于,所述反射光在坑点深度1μm范围内,两个正交偏振分量的相位差的变化范围为0~π/2。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐端颐胡华
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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