覆晶薄膜以及显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种覆晶薄膜以及显示装置，包括：第一衬底；第一芯片，设置有所述第一衬底上；第二衬底，设置于所述第一衬底靠近所述第一芯片的一面；第二芯片，设置于所述第二衬底上，所述第一芯片在第一衬底上的正投影和所述第二芯片在所述第一衬底上的正投影间隔设置。本申请提供通过在第一衬底上设置第一芯片，在第二衬底上设置第二芯片，且第一衬底和第二衬底叠层设置，以使得所述第一芯片在第一衬底上的正投影和所述第二芯片在所述第一衬底上的正投影间隔设置，从而实现在同一覆晶薄膜内设置多个芯片，从而提高覆晶薄膜的空间利用率，从而可以在不减少覆晶薄膜之间的间距的前提下，提高整体芯片的驱动能力，进而有利于提高显示器的分辨率。显示器的分辨率。显示器的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
覆晶薄膜以及显示装置


[0001]本申请涉及显示器件
，尤其涉及一种覆晶薄膜以及显示装置。

技术介绍

[0002]目前，由于市场对显示器的刷新率及分辨率要求越来越高，使得需要使用的源极驱动芯片越来越多，导致用于承载源极驱动芯片的覆晶薄膜(Chip On Film,COF)数目也越来越多。
[0003]然而由于目前一个覆晶薄膜上只承载一个驱动芯片，再加上显示器的尺寸限制，例如8K分辨率120HZ型显示器，如果要实现更多覆晶薄膜数目的设置，当覆晶薄膜间距一定时，相对应的覆晶薄膜的宽度也会变小，但是覆晶薄膜的宽度小则会出现充电不足的问题，而如果通过缩短覆晶薄膜之间的距离来实现更多驱动芯片的使用，则覆晶薄膜之间的存在间距也会成为一大限制，因此目前覆晶薄膜的空间利用率不高，导致显示器分辨率提升存在较大困难。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种覆晶薄膜以及显示装置，以解决覆晶薄膜的空间利用率不高的问题。
[0005]一方面，本申请提供一种覆晶薄膜，包括：
[0006]第一衬底；
[0007]第一芯片，设置有所述第一衬底上；
[0008]第二衬底，设置于所述第一衬底靠近所述第一芯片的一面；
[0009]第二芯片，设置于所述第二衬底上，所述第一芯片在第一衬底上的正投影和所述第二芯片在所述第一衬底上的正投影间隔设置。
[0010]在本申请一种可能的实现方式中，所述第一芯片和所述第二芯片沿着第一方向或第二方向错位设置，所述第一方向和所述第二方向交叉。r/>[0011]在本申请一种可能的实现方式中，所述覆晶薄膜还包括：
[0012]多个第一绑定端子，设置于所述第一衬底上，相邻的两个所述第一绑定端子间隔设置，所述第一绑定端子与所述第一芯片连接；
[0013]多条第二绑定端子，设置于所述第二衬底上，相邻的两个所述第二绑定端子间隔设置，所述第一绑定端子与所述第一芯片连接。
[0014]在本申请一种可能的实现方式中，所述覆晶薄膜还包括：
[0015]多条第一走线，设置于所述第一衬底上，每一条所述第一走线的一端连接一条所述第一绑定端子，另一端连接所述第一芯片；
[0016]多条第二走线，设置于所述第二衬底上，每一条所述第二走线的一端连接一条所述第二绑定端子，另一端连接所述第二芯片。
[0017]在本申请一种可能的实现方式中，每个所述第一绑定端子上设置有过孔，所述过
孔由所述第一绑定端子贯穿所述第二衬底，所述第一走线显露于所述过孔。
[0018]在本申请一种可能的实现方式中，相邻两条第一绑定端子沿着所述第一方向间隔设置，相邻两条第二绑定端子沿着所述第一方向间隔设置。
[0019]在本申请一种可能的实现方式中，每个所述第一绑定端子在所述第一衬底的正投影和每个所述第一绑定端子在所述第一衬底的正投影至少部分重叠，两个相邻的所述第二绑定端子之间设置有一个所述第一绑定端子。
[0020]在本申请一种可能的实现方式中，所述第一衬底和第二衬底的宽度范围为7
‑
12mm。
[0021]在本申请一种可能的实现方式中，所述第一绑定端子和所述第二绑定端子均采用铜制成，所述第一绑定端子和所述第二绑定端子均采用铜制成，所述第一绑定端子上覆盖有绝缘层。
[0022]另一方面，本申请还提供一种显示装置，包括所述的覆晶薄膜。
[0023]本申请提供一种覆晶薄膜以及显示装置，通过在第一衬底上设置第一芯片，在第二衬底上设置第二芯片，且第一衬底和第二衬底叠层设置，以使得所述第一芯片在第一衬底上的正投影和所述第二芯片在所述第一衬底上的正投影间隔设置，从而实现在同一覆晶薄膜内设置多个芯片，从而提高覆晶薄膜的空间利用率，从而可以在不减少覆晶薄膜之间的间距的前提下，即在不压缩相邻覆晶薄膜之间的距离的前提下，实现覆晶薄膜数量的增加，以此提高整体芯片的驱动能力，进而有利于提高显示器的分辨率。
附图说明
[0024]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0025]图1为本申请实施例提供的覆晶薄膜的结构示意图。
[0026]图2为本申请又一实施例提供的覆晶薄膜的结构示意图。
[0027]图3为本申请实施例提供的覆晶薄膜的剖面结构示意图。
[0028]图4为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0030]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0032]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0033]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆晶薄膜，其特征在于，包括：第一衬底；第一芯片，设置有所述第一衬底上；第二衬底，设置于所述第一衬底靠近所述第一芯片的一面；第二芯片，设置于所述第二衬底上，所述第一芯片在第一衬底上的正投影和所述第二芯片在所述第一衬底上的正投影间隔设置。2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一芯片和所述第二芯片沿着第一方向或第二方向错位设置，所述第一方向和所述第二方向交叉。3.根据权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述覆晶薄膜还包括：多个第一绑定端子，设置于所述第一衬底上，相邻的两个所述第一绑定端子间隔设置，所述第一绑定端子与所述第一芯片连接；多个第二绑定端子，设置于所述第二衬底上，相邻的两个所述第二绑定端子间隔设置，所述第二绑定端子与所述第二芯片连接。4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述覆晶薄膜还包括：多条第一走线，设置于所述第一衬底上，每一条所述第一走线的一端连接一条所述第一绑定端子，另一端连接所述第一芯片；多条第二走线，设置于所述第二衬底上，每一条所述第二走线的一端连接一条所述第二绑...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文芳，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：