一种钙钛矿量子点膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿量子点膜的制备方法，包括以下步骤：用含氟聚烯烃和卤化物组合物配制涂布液；所述卤化物组合物至少包括无机卤化物和至少一种有机卤化物；将配制得到的涂布液均匀涂布于基材表面，形成湿膜涂层；干燥固化。本发明专利技术所公开的制备方法的工艺步骤简便易行，尤其是无需采用真空干燥工艺，大大缩减了制备过程和降低了制备成本，适于大规模工业化生产。业化生产。业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿量子点膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点光学膜
，尤其涉及一种钙钛矿量子点膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，量子点材料在显示器件中的应用关注度越来越高，其凭借独特的窄发射光谱对应的高色彩饱和度可以显著提升显示器件的色彩显示范围；尤其是近年来发展起来的钙钛矿量子点和发光效率方面都展现出优势，已经成为显示器件领域中的明星材料。
[0003]中国专利公开号为CN104861958A的文献公开了一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法，实现了钙钛矿量子点在聚合物基质中的原位制备，所得复合材料薄膜具有优异的发光性能，然而该制备方法需要采用真空干燥工艺，制备过程长，不利于产业化生产。
[0004]因此亟待一种制备工艺简单、步骤简约和利于产业化生产的钙钛矿量子点膜及其制备方法。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种钙钛矿量子点膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0006]S1、用含氟聚烯烃和卤化物组合物配制涂布液；所述卤化物组合物至少包括无机卤化物和至少一种有机卤化物；
[0007]S2、将配制得到的涂布液均匀涂布于基材表面，形成湿膜涂层；
[0008]S3、干燥固化。
[0009]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述步骤S1中涂布液由以下步骤制备得到：
[0010]S101、将含氟聚烯烃按第一预设质量比加入第一有机溶剂搅拌至完全溶解，得到溶液A；
[0011]S102、用无机卤化物和至少一种有机卤化物按第二预设摩尔比配制所述卤化物组合物；
[0012]将所述卤化物组合物加入第二有机溶剂加热搅拌至完全溶解，得到溶液B；所述无机卤化物与所述第二有机溶剂按第三预设质量比混合配制；
[0013]S103、将溶液B加入溶液A中，加热搅拌至混合均匀，得到所述涂布液；所述溶液B与溶液A的体积比为：1∶(1～100)。
[0014]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述无机卤化物为PbBr2或PbI2。
[0015]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述有机卤化物选自MABr、MAI、MACl、FABr、FAI、FACl、CsI、CsBr或CsCl中的任意一种或几种的组合。
[0016]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述含氟聚烯烃为聚四氟乙烯(PTFE)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚偏氟乙烯(PVDF)、乙烯
‑
四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯
‑
三氟氯乙烯共
聚物(ECTFE)或聚氟乙烯(PVF)中的任意一种。
[0017]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述步骤S101中所述含氟聚烯烃和所述第一有机溶剂的第一预设质量比为：1∶(1～10)；所述第一有机溶剂为N，N
‑
二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N
‑
甲基吡咯烷酮中的任意一种；所述步骤S101中的搅拌温度为50
‑
100℃。
[0018]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述步骤S102中无机卤化物与有机卤化物的第二预设摩尔比为：1∶(0.5
‑
3)，所述无机卤化物与所述第二有机溶剂的质量比为：1∶(2
‑
50)；所述第二有机溶剂为N，N
‑
二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N
‑
甲基吡咯烷酮中的任意一种。
[0019]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述卤化物组合物中的所述至少一种有机卤化物为MABr。
[0020]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述基材为玻璃、PET、PS、PP、PA中的一种；所述基材构造为片状或卷状。
[0021]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述步骤S2中涂布于基材表面的涂布方式采用麦耶棒涂布、狭缝涂布、微凹版涂布、刮刀涂布、喷涂中的任意一种；所述湿膜涂层的厚度为20μm～150μm。
[0022]作为本专利技术实施方式的进一步改进，所述步骤S3中干燥固化具体操作为：对涂布完成的湿膜进行热风干燥，风温保持在15℃～120℃，干燥持续直至膜面颜色和形貌不再变化。
[0023]另一方面，本专利技术还公开了一种钙钛矿量子点膜，由上述的制备方法制备得到。
[0024]本专利技术具有以下有益效果：
[0025]1、本专利技术所公开的钙钛矿量子点膜的制备方法的工艺步骤简便易行，尤其是无需采用真空干燥工艺，大大缩减了制备过程和降低了制备成本；
[0026]2、本专利技术所公开的钙钛矿量子点膜的制备方法更适合工业化生产，具有较好的工业化和商业化前景。
附图说明
[0027]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0028]图1为本专利技术公开的一种钙钛矿量子点膜的结构示意图；
[0029]图中实例表示为：1
‑
基材；2
‑
涂层。
具体实施方式
[0030]下面结合实施例及说明书附图对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干调整和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。
[0031]本专利技术实施例提供一种钙钛矿量子点膜的制备方法，包括以下步骤：
[0032]S1、用含氟聚烯烃和卤化物组合物配制涂布液；卤化物组合物至少包括无机卤化物和至少一种有机卤化物；
[0033]S2、将配制得到的涂布液均匀涂布于基材表面，形成湿膜涂层；
[0051][0052][0053]本专利技术具有以下有益效果：
[0054]1、本专利技术所公开的钙钛矿量子点膜的制备方法的工艺步骤简便易行，尤其是无需采用真空干燥工艺，大大缩减了制备过程和降低了制备成本；
[0055]2、本专利技术所公开的钙钛矿量子点膜的制备方法更适合工业化生产，具有较好的工业化和商业化前景。
[0056]以上对本专利技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本专利技术的实质内容。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿量子点膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、用含氟聚烯烃和卤化物组合物配制涂布液；所述卤化物组合物至少包括无机卤化物和至少一种有机卤化物；S2、将配制得到的涂布液均匀涂布于基材表面，形成湿膜涂层；S3、干燥固化。2.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中涂布液由以下步骤制备得到：S101、将含氟聚烯烃按第一预设质量比加入第一有机溶剂搅拌至完全溶解，得到溶液A；S102、用无机卤化物和至少一种有机卤化物按第二预设摩尔比配制所述卤化物组合物；将所述卤化物组合物加入第二有机溶剂加热搅拌至完全溶解，得到溶液B；所述无机卤化物与所述第二有机溶剂按第三预设质量比混合配制；S103、将溶液B加入溶液A中，加热搅拌至混合均匀，得到所述涂布液；所述溶液B与溶液A的体积比为：1：(1～100)。3.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点膜的制备方法，其特征在于，所述无机卤化物为PbBr2或PbI2；所述有机卤化物选自MABr、MAI、MACl、FABr、FAI、FACl、CsI、CsBr或CsCl中的任意一种或几种的组合。4.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点膜的制备方法，其特征在于，所述含氟聚烯烃为聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚偏氟乙烯、乙烯
‑
四氟乙烯共聚物、乙烯
‑
三氟氯乙烯共聚物或聚氟乙烯中的任意一种。5.根据权利要求4所述的钙钛矿量子点膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S101中所述含氟聚烯烃和所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩长峰，张宇，钱磊，张德龙，
申请(专利权)人：江苏集萃分子工程研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：