制备过表达外源基因的细胞的方法技术

技术编号:30638879 阅读:28 留言:0更新日期:2021-11-04 00:29
本发明专利技术制备过表达外源基因的细胞的方法,具体涉及cGAS

【技术实现步骤摘要】
S,Huls H,Singh H,Olivares S,et al.(2011)The hyperactive Sleeping Beauty transposase SB100X improves the genetic modification of T cells to express a chimeric antigen receptor.Gene Therapy 18:849

856;Peng PD,Cohen CJ,Yang S,Hsu C,Jones S,et al.(2009)Efficient nonviral Sleeping Beauty transposon

based TCR gene transfer to peripheral blood lymphocytes confers antigen

specific antitumor reactivity.Gene Therapy16:1042

1049),并且该利用SB转座子体系的ACT方法已经被用于临床试验(Kebriaei 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.cGAS

STING信号通路抑制剂在培养电转细胞中的应用;优选地,所述cGAS

STING信号通路抑制剂选自能够抑制STING表达和/或结合活性的或降低或消除线粒体膜电势的小分子化合物和能够抑制或拮抗cGAS的小分子化合物中的任一种或两种;优选地,所述细胞为免疫效应细胞;优选地,所述能够抑制STING表达和/或结合活性的或降低或消除线粒体膜电势的小分子化合物为如式5所示化合物H

151;优选地,所述能够抑制或拮抗cGAS的小分子化合物为如式22所示化合物G150,2.一种培养电转细胞的方法,其特征在于,所述方法包括在含有cGAS

STING信号通路抑制剂的培养基中培养电转后的细胞的步骤;优选地,所述cGAS

STING信号通路抑制剂选自能够抑制STING表达和/或结合活性的或降低或消除线粒体膜电势的小分子化合物和能够抑制或拮抗cGAS的小分子化合物中的任一种或两种;优选地,所述能够抑制STING表达和/或结合活性的或降低或消除线粒体膜电势的小分子化合物为如式5所示化合物H

151;所述能够抑制或拮抗cGAS的小分子化合物为如式22所示化合物G150;优选地,所述细胞为免疫效应细胞。3.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述方法包括,电转结束后,将电转的细胞转入培养基中培养0

5小时,然后在所述培养基中加入所述cGAS

STING信号通路抑制剂,继续培养;优选地,加入所述cGAS

STING信号通路抑制剂后,其在培养基中的终浓度在0.5

5μM的范围;更优选地,在0.5

1μM的范围或在2.5

5μM的范围。4.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述免疫效应细胞选自T细胞、TIL、NK细胞、NK T细胞、CAR

T细胞、CIK细胞、TCR

T细胞和巨噬细胞中的一种或多种;优选地,选自T细胞、TIL和CAR

T细胞中的一种或多种。5.根据权利要求2所述方法,其特征在于,所述培养基为细胞培养基,优选为用于培养免疫效应细胞的培养基;优选地,选自CTS
TM
无血清细胞培养基、DMEM培养基和RPMI1640培养基中的任一种;更优选为养基和RPMI1640培养基中的任一种;更优选为CTS
TM
无血清细胞培养基。6.一种电转制备过表达外源基因的细胞的方法,其特征在于,所述方法包括:1)通过电转向细胞中导入含有表达外源基因的核酸;2)用含有cGAS

STING信号通路抑制剂的培养基培养步骤1)中电转了外源基因的细胞;其中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:金华君许馥慧黄晨马星明
申请(专利权)人:上海君赛生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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