信息记录介质及其生产方法技术

本发明专利技术提供一种具有很高的用于记录信息的记录灵敏性和优异的重复重写性能的信息记录介质。该信息记录介质至少具有记录层和介电层，记录层在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化，介电层至少含有Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ和Ｏ。一种替代方案是，该信息记录介质中包括至少两个信息层和一个介电层，至少一个信息层包括在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化的至少一个记录层，介电层至少含有Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ和Ｏ。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求日本专利申请2004-066878和2004-070414的优先权。此处引入日本专利申请2004-066878和2004-070414的全部公开文本作为参考。
技术介绍
1、专利
总的来说，本专利技术涉及利用光或电记录、删除、重写或复制信息用的。2、
技术介绍
一种传统的信息记录介质是相变型信息记录介质。在相变型信息记录介质上记录、删除和重写信息要利用的一种现象是记录层(相变材料层)在晶相和非晶相之间变化，以记录、删除、重写或复制信息。在相变型信息记录介质中，利用激光束进行光学记录、删除、重写或复制信息的一种称为光学相变型信息记录介质。这种光学相变型信息记录介质具有记录层，记录层上有能够因激光束产生的热而在晶相和非晶相之间变化的相变材料。探测晶相和非晶相之间反射系数差，以从记录层读取信息。在光学相变型信息记录介质中，可重写的光学相变型信息记录介质是记录的信息可以被删除或重写的一种光学相变型信息记录介质。换句话说，可重写的光学相变型信息记录介质具有其初始状态通常是晶相的记录层，而记录状态通常是非晶相。一般来说，当记录信息时，在能量比删除时高的激光束照射下(记录能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信息记录介质，其包括：信息层和介电层，信息层至少包括在应用激光束或电流中的至少一种时能够在晶相和非晶相之间变化的记录层，介电层至少含有Ｃ、Ｓｉ、Ｓｎ和Ｏ。

【技术特征摘要】
JP 2004-3-12 2004-070414;JP 2004-3-10 2004-0668781.一种信息记录介质，其包括信息层和介电层，信息层至少包括在应用激光束或电流中的至少一种时能够在晶相和非晶相之间变化的记录层，介电层至少含有C、Si、Sn和O。2.一种信息记录介质，其包括多个信息层和一个介电层，至少一个信息层至少具有在应用激光束和电流中的至少一种时能够在晶相和非晶相之间变化的记录层，介电层至少含有C、Si、Sn和O。3.根据权利要求1或2的信息记录介质，其中，记录层比介电层更靠近信息记录介质的激光入射侧。4.根据权利要求3的信息记录介质，其中还包括设置在记录层和介电层之间的界面层。5.根据权利要求1-4的信息记录介质，其中，介电层用组成式CdSieSnfO100-d-e-f表示，其中，0＜d＜25，0＜e＜25，15＜f＜40(atom％)。6.根据权利要求1-4的信息记录介质，其中，介电层含有SnO2和SiC的混合物。7.根据权利要求6的信息记录介质，其中，介电层用组成式(SnO2)100-x(SiC)x表示，其中，0＜x＜50(mol％)。8.根据权利要求1-4的信息记录介质，其中，介电层还含有至少一种下述元素Ti、Zr、Hf、Y、Zn、Nb、Ta、Al、Bi、Cr、Ga、Ge和La。9.根据权利要求6的信息记录介质，其中，介电层还含有至少一种下述化合物TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Cr2O3、Ga2O3、Si-N、Ge-N、Cr-N和LaF3。10.根据权利要求1-9中任一项的信息记录介质，其中，介电层的膜厚是2-75nm。11.根据权利要求1-9中任一项的信息记录介质，其中，介电层的膜厚是2-40nm。12.根据权利要求1-11中任一项的信息记录介质，其中，记录层含有至少一种下述元素Sb、Bi和Sn，还含有Ge和Te。13.根据权利要求1-11中任一项的信息记录介质，其中，记录层用下面的一种组合物表示(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3和(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3。14.根据权利要求4-13中任一项的信息记录介质，其中，界面层含有至少一种下述元素Zr、Hf、Y和Si，还含有Ga和Cr中的至少一种元素，还含有O。15.根据权利要求4-13中任一项的信息记录介质，其中，界面层含有至少一种下述氧化物ZrO2、HfO2、Y2O3和SiO2，还含有Ga2O3和Cr2O3中的至少一种氧化物。16.根据权利要求14或15的信息记录介质，其中，界面层的膜厚是0.5-15nm。17.根据权利要求14或15的信息记录介质，其中，界面层的膜厚是1-7nm。18.一种信息记录介质的生产方法，其包括形成信息层和形成介电层，形成信息层至少包括形成相变型记录层；和在形成介电层时使用至少含C、Si、Sn和O的溅射目标。19.一种信息记录介质的生产方法，其包括形成多个信息层和形成一个介电层，至少一个信息层的形成至少包括形成相变型记录层；和在形成介电层时使用至少含C、Si、Sn和O的溅射目标。20.根据权利要求18或19的方法，其中还包括在形成记录层和形成介电层之间形成界面层。21.根据权利要求18-20中任一项的方法，其中，用于形成介电层的溅射目标用组成式CgSihSniO100-g-h-i表示，其中，0＜g＜30，0＜h＜30，15＜i＜40(atom％)。22.根据权利要求18-20中任一项的方法，其中，用于形成介电层的溅射目标含有SnO2和SiC的混合物。23.根据权利要求22的方法，其中，用于形成介电层的溅射目标用组成式(SnO2)100-y(SiC)y表示，其中，0＜y≤55(mol％)。24.根据权利要求18-20中任一项的方法，其中，用于形成介电层的溅射目标还含有至少一种下述元素Ti、Zr、Hf、Y、Zn、Nb、Ta、Al、Bi、Cr、Ga、Ge和La。25.根据权利要求18-20中任一项的方法，其中，用于形成介电层的溅射目标还含有至少一种下述化合物TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Cr2O3、Ga2O3、Si-N、Ge-N、Cr-N和LaF3。26.根据权利要求18-25中任一项的方法，其中，用Ar气或Ar气与O2气的混合气体形成介电层。27.用于通过应用光能和电能中的至少一种进行记录信息和复制信息中的至少一种用途的信息记录介质，其包括包括介电层的信息层，介电层含有由Sn和Ga组成的GM组中的至少一种元素，还含有由Si、Ta和Ti组成的GL组...

【专利技术属性】
技术研发人员：西原孝史，土居由佳子，儿岛理惠，山田升，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]