向装备有完整磁头万向组件（Ｈｅａｄ Ｇｉｍｂａｌ Ａｓｓｅｍｂｌｙ，ＨＧＡ）的ＧＭＲ磁头１的写线圈供应交流电流。ＧＭＲ磁头１的元部件因而热变形。通过此变形，该元部件突出并紧靠在旋转的激光凸点盘片２上，ＨＧＡ悬浮在盘片２上。当元部件紧靠在所述盘片２上时，向芯型滑块５的顶部施加磁场（２４７０高斯），其中磁场在与ＧＭＲ磁头１的固定层的磁化方向相反的方向上延伸。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及用来评价磁头的装置和方法。更具体地，本专利技术涉及一种在巨磁阻(GMR)磁头被结合到磁盘驱动器中之前评价巨磁阻磁头的技术。本专利技术涉及一种能在GMR磁头被结合到磁盘驱动器中后评价在磁盘驱动器的GMR磁头支撑层没有引起磁反转(inversion)的GMR磁头的装置、方法以及盘片。
技术介绍
近几年来，磁盘驱动器已经变得更小并获得更大的存储容量。因此，愈加需要磁盘驱动器能以更高的灵敏度从盘片上磁再生数据。利用磁阻效应的磁头的最新发展是GMR磁头(也被称作旋阀磁头)。GMR磁头的磁头元件具有仅20nm厚的旋阀膜。磁头元件对于由静电产生的静电放电(ESD)来说不可避免地很脆。因此，GMR磁头具有仅5V左右的耐压，这远小于在GMR磁头开始全面使用之前广泛使用的感应薄膜磁头的耐压(100V左右)。如迄今研究揭示，GMR磁头具有击穿模式。该击穿是由上文提到的ESD引起的大电流磁场所导致的磁击穿。磁击穿是一种现象，在这种现象中，虽然旋阀膜没有物理上地破损，但是由大电流产生的磁场削弱了旋阀膜中的磁稳定性，不可避免地形成了磁畴。更具体地，GMR元件具有固定层(引脚层)、自由层、反铁磁层。当GMR元件的阻抗随固定层和自由层在相反方向上被磁化而增加时，其产生正的输出。当其阻抗随固定层和自由层在相同方向上被磁化而减小时，则其产生负的输出。固定层被定位成相反于从记录介质中发射的信号磁通量，其中记录介质与磁轨宽度方向成直角，因为反铁磁层获得交换耦合。相反，自由层被定位平行于从记录介质发射的信号磁通量，或平行于磁轨宽度方向，因为在自由层末端提供有永久磁铁，以控制磁畴。因此，固定层的磁化方向是重要的，其确定了输出波形的极性(正或负)。当ESD在固定层中流动时，产生相反方向的磁场，反转固定层的磁化方向(引脚方向)。也就是，发生了磁击穿(引脚反转)。磁击穿既不不会导致阻抗变化也不会导致形状变化，而是在GMR元件的输出上引起异常的波形。例如，磁击穿使再生的波形不稳定或改变了再生波形的正和负一半的振幅。如果出现这种磁击穿，那么磁头不能正确检测数据。这引起数据中的错误或使其不可能再生伺服信号。然后，磁头就不能再被精确地定位。迄今在磁头测试(HT)中发现的任何引起这种磁击穿的磁头都被抛弃，不在磁盘驱动器中使用。另外，已经知道一种评价磁头的方法(例如见日本专利申请早期公开公布No.2001-6133)。在这种方法中，磁头在记录介质上记录数据模式，一种模式用于正脉冲和负脉冲之间的时间T1，另一种模式用于负脉冲和正脉冲之间的时间T2，时间T2短于时间T1。然后，数据模式从记录介质上被再生。再生的数据波形所测量的时间T2被从数据波形所测量的时间T1中减去。如果差(T1-T2)是一个负值，则GMR元件的固定层的磁化方向被视为已经反转。然而，在测试中发现是良好的磁头在该磁头已被结合到磁盘驱动器之后进行的最后测试中可能再生出相对于正常数据波形在极性上反转的数据波形。因此，磁头已再生的数据信号或伺服信号是错误的。这可能是因为磁头具有不足以引起波形反转的ESD，因此通过第一测试，并被结合到磁盘驱动器中，但是遭到由于例如污染产生的很小的冲击，不可避免地产生反转磁场，并因此反转GMR元件的磁化方向。(这个小冲击可能是极微小的ESD，其在GMR元件的固定层中通常并不导致极性反转。)
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于评价磁头的装置和方法，即使磁头被结合到磁盘驱动器中之后，其亦能够可靠地检测其磁元件遭受磁反转的任何磁头。该装置和方法因此能够有助于提供可靠的磁头，该磁头被证明在其结合到磁盘驱动器中后没有遭受磁化方向的反转(即，引脚反转)。为了实现上述目的，根据本专利技术用于评价磁头的装置被设计成确定磁头的固定层是否已经遭受磁化方向的反转。该装置包括支撑单元，支撑所述磁头位于旋转并具有凸点的盘片上方；直流电流供应单元，向所述磁头的写线圈供应直流电流，从而热变形磁头的元部件并使元部件突出且紧靠在凸点上，因而向所述盘片施加冲击；以及磁供应系统，当所述元部件紧靠在所述凸点上时，其向所述磁头的芯型滑块的所述顶部施加磁场，所述磁场在与所述固定层的所述磁化方向的相反方向上延伸。在根据本专利技术的用于评价磁头的装置中，所述盘片可以是通过在表面上施加激光束而在所述表面上形成凸点的激光凸点盘片。该装置还可以包括当所述元部件紧靠所述凸点时向磁头供应检测电流的检测电流供应单元。该装置还可以包括监视供应检测电流时的电压的电压监视单元。该装置还包括在具有凸点的所述盘片上在所述盘片上形成凸点的区域以及没有形成凸点的区域之间移动磁头的机构，所述凸点形成于径向延伸的区域并且在圆周方向上以预定的间隔排列。根据本专利技术的一种评价磁头的方法，被设计成确定所述磁头的固定层是否已经遭受磁化方向的反转。在本方法中，所述磁头被支撑于正在旋转并具有凸点的盘片上方。向所述磁头的写线圈供应直流电流，因而热变形所述磁头的元部件并使所述元部件突出而且紧靠在所述凸点，因此向所述盘片施加冲击。当所述元部件紧靠所述凸点时，向所述磁头的芯型滑块施加磁场，因而确定所述磁头的所述固定层是否能遭受磁化方向的反转。所述磁场在与所述固定层磁化方向相反的方向上延伸。根据本专利技术的另一种评价磁头的方法，被设计成确定所述磁头的所述固定层是已经遭受磁化方向的反转。该方法包括第一双位波形获得步骤，通过在旋转且没有凸点的盘片上方监视供应检测电流时的电压来获得第一双位波形；冲击施加步骤，首先通过支撑所述磁头于旋转且具有凸点的盘片的上方，并向所述磁头的写线圈供应直流电流，因而热变形所述磁头的元部件并使所述元部件突出且紧靠在所述凸点上，然后当所述元部件紧靠在所述凸点上时，通过向所述磁头的芯型滑块的顶部施加磁场，所述磁场在与所述固定层磁化方向相反的方向上延伸，向所述盘片施加冲击；第二双位波形获得步骤，通过在旋转且没有凸点的盘片上方监视供应检测电流时的电压来获得第二双位波形；以及反转检测步骤，通过比较所述第一双位波形和所述第二双位波形，确定所述磁头的所述固定层是否已经遭受磁化方向的反转。在本方法中，所述盘片具有形成于径向延伸的区域内并在圆周方向上以预定的间隔排列的凸点。在所述第一和第二双位波形获得步骤中，所述磁头支撑在所述盘片上没有形成凸点的区域。在冲击施加步骤中，所述磁头支撑在所述盘片上形成凸点的区域。此外，所述磁头可以在所述磁头已经安装有完整的磁头万向组件(Head Gimbal Assembly，HGA)之后被评价。根据本专利技术的一种盘片被设计用于评价磁头方法中，该评价磁头方法通过向特定条件下的所述磁头施加冲击，然后确定所述磁头的所述固定层是否遭受磁化方向的反转。所述盘片具有在旋转时向磁头施加冲击的凸点。所述盘片可以具有通过向盘状介质施加激光束形成的凸点。所述盘片还可以具有在其中形成凸点的凸点区域，以及在其中没有形成凸点的非凸点区域。如上文详细描述的，本专利技术可以提供评价磁头的方法，该方法几乎不损伤磁头的元部件。虽然该方法很简单，但是该方法在磁头统结合到磁盘驱动器之后可以防止GMR元件的固定层遭受磁化方向的反转。因此，具有通过这个方法被评价为良好的磁头的任何磁盘驱动器可以很可靠，几乎不引起字段损坏。附图说明图1是示出了根据本专利技术的实施例评价磁头方法本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种评价磁头的装置，被设计来确定磁头的固定层是否已经遭受磁化方向的反转，该装置包括： 支撑单元，支撑所述磁头位于旋转并具有凸点的盘片上方；直流电流供应单元，向所述磁头的写线圈供应直流电流，从而热变形磁头的元部件并使元部件突出 并紧靠在凸点上，因而向所述盘片施加冲击；以及磁施加系统，当所述元部件紧靠在所述凸点上时，其向所述磁头的芯型滑块的顶部施加磁场，所述磁场在与所述固定层的所述磁化方向的相反方向上延伸。
【技术特征摘要】
JP 2004-7-30 223357/20041.一种评价磁头的装置，被设计来确定磁头的固定层是否已经遭受磁化方向的反转，该装置包括支撑单元，支撑所述磁头位于旋转并具有凸点的盘片上方；直流电流供应单元，向所述磁头的写线圈供应直流电流，从而热变形磁头的元部件并使元部件突出并紧靠在凸点上，因而向所述盘片施加冲击；以及磁施加系统，当所述元部件紧靠在所述凸点上时，其向所述磁头的芯型滑块的顶部施加磁场，所述磁场在与所述固定层的所述磁化方向的相反方向上延伸。2.如权利要求1所述的装置，其中，所述盘片是通过在其表面上施加激光束而在所述表面上形成凸点的激光凸点盘片。3.如权利要求1所述的装置，还包括当所述元部件紧靠所述凸点时向磁头供应检测电流的检测电流供应单元。4.如权利要求1所述的装置，还包括监视供应检测电流时电压的电压监视单元。5.如权利要求1所述的装置，还包括在具有凸点的所述盘片上在所述盘片上形成凸点的区域以及没有形成凸点的区域之间移动磁头的机构，所述凸点形成于径向延伸的区域中并且在圆周方向上以预定的间隔排列。6.一种评价磁头的方法，其被设计来确定所述磁头的所述固定层是否已经遭受磁化方向的反转，其中，所述磁头被支撑于旋转并具有凸点的盘片上方；向所述磁头的写线圈供应直流电流，因而热变形所述磁头的元部件并使所述元部件突出而且紧靠在所述凸点上，因此向所述盘片施加冲击；以及，当所述元部件紧靠在所述凸点上时，向所述磁头的芯型滑块施加磁场，因而确定所述磁头的所述固定层是否已经遭受磁化方向的反转，所述磁场在与所述固定层的磁化方向相反的方向上延伸。7.如权利要求6所述的方法，其中，当所述元部件紧靠在所述凸点...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本宪郎，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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