LDMOS导通电阻的测量方法技术

本申请公开了一种LDMOS导通电阻的测量方法，涉及电子器件检测技术领域。LDMOS导通电阻的测量方法，包括：获取待测的LDMOS器件；其中，LDMOS器件设置有漏极框架和源极框架；根据漏极框架和源极框架，构建第一电流回路和第二电流回路；在第一电流回路中加载第一电流，在第二电流回路中加载第二电流；测量第一电流回路中的漏极框架和源极框架之间的电压，得到第一电压；测量第二电流回路中的漏极框架和源极框架之间的电压，得到第二电压；其中，第二电压和第一电压之间的差值满足预设范围；根据第一电流、第二电流、第一电压、第二电压，得到导通电阻。本申请的测量方法，能够实现导通电阻的精确测量。确测量。确测量。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS导通电阻的测量方法


[0001]本申请涉及电子器件检测
，尤其涉及一种LDMOS导通电阻的测量方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件通常具有耐高压、容易进行控制等优点而被广泛采用。而在LDMOS器件的各类参数中，导通电阻是对LDMOS器件进行控制的重要参数，因此，导通电阻的准确测量尤为重要。目前，LDMOS器件的导通电阻测量方法，通常是在LDMOS器件上加载电流，再采用测试设备测量LDMOS器件D极和S极两端之间的电压，再计算出导通电阻，但是此种方法，在测量时，仅是测量LDMOS器件D极和S极的一个电流回路中的电压，测量方式粗糙，计算得出的导通电阻与LDMOS器件实际工作时，D极和S极的多个电流回路中所产生的导通电阻有较大差异，并不能准确测量出整个LDMOS器件D极和S极之间的导通电阻。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种LDMOS导通电阻的测量方法，能够实现导通电阻的精确测量。
[0004]根据本申请的实施例的LDMOS导通电阻的测量方法，包括：
[0005]获取待测的LDMOS器件；其中，所述LDMOS器件设置有漏极框架和源极框架；
[0006]根据所述漏极框架和所述源极框架，构建第一电流回路和第二电流回路；
[0007]在所述第一电流回路中加载第一电流，在所述第二电流回路中加载第二电流；
[0008]测量所述第一电流回路中的所述漏极框架和所述源极框架之间的电压，得到第一电压；测量所述第二电流回路中的所述漏极框架和所述源极框架之间的电压，得到第二电压；其中，所述第二电压和所述第一电压之间的差值满足预设范围；
[0009]根据所述第一电流、所述第二电流、所述第一电压、所述第二电压，得到所述LDMOS器件对应的导通电阻。
[0010]根据本申请实施例的LDMOS导通电阻的测量方法，至少具有如下有益效果：首先，通过在LDMOS器件的漏极框架和源极框架上分别构建第一电流回路和第二电流回路；然后，通过在第一电流回路上加载第一电流，并测量第一电流回路中的漏极框架和源极框架之间的第一电压，通过在第二电流回路上加载第二电流，并测量第二电流回路中的漏极框架和源极框架之间的第二电压，并且第二电压和第一电压之间的差值满足预设范围，最后就可以通过第一电流、第二电流，以及测量得到的第一电压、第二电压，精确的计算出LDMOS器件的导通电阻。因此，本申请的LDMOS导通电阻的测量方法，能够实现对LDMOS器件导通电阻的精确测量。
[0011]根据本申请的一些实施例，在所述根据所述漏极框架和所述源极框架，构建第一电流回路和第二电流回路之前，包括：
[0012]在所述漏极框架上设置第一点集、第二点集；
[0013]在所述源极框架上设置第三点集、第四点集；其中，所述第一点集、所述第二点集、所述第三点集、所述第四点集均包括测试点和电流点，且所述测试点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端，所述电流点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端之间；所述第一点集和所述第三点集的电流点，构建所述第一电流回路；根据所述第二点集和所述第四点集的电流点用于构建所述第二电流回路；所述第一点集和所述第三点集的测试点用于测量所述第一电流回路上的第一电压，所述第二点集和所述第四点集的测试点用于测量所述第二电流回路上的第二电压。
[0014]根据本申请的一些实施例，所述LDMOS器件还设置有LDMOS连接结构，所述LDMOS连接结构的一端与所述漏极框架电连接，所述LDMOS连接结构的另一端与所述源极框架电连接；
[0015]所述根据所述漏极框架和所述源极框架，构建第一电流回路和第二电流回路，包括：
[0016]将第一电流源的正极与所述第一点集的电流点电连接，将所述第一电流源的负极与所述第三点集的电流点电连接；
[0017]根据所述第一电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构，构建所述第一电流回路；
[0018]将第二电流源的正极与所述第二点集的电流点电连接，将所述第二电流源的负极与所述第四点集的电流点电连接；
[0019]根据所述第二电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构，构建所述第二电流回路。
[0020]根据本申请的一些实施例，所述在所述第一电流回路中加载第一电流，在所述第二电流回路中加载第二电流，包括：
[0021]通过所述第一电流源向所述第一电流回路加载所述第一电流；
[0022]通过所述第二电流源向所述第二电流回路加载所述第二电流。
[0023]根据本申请的一些实施例，所述测量所述第一电流回路中的所述漏极框架和所述源极框架之间的电压，得到第一电压；测量所述第二电流回路中的所述漏极框架和所述源极框架之间的电压，得到第二电压，包括：
[0024]测量所述第一点集的测试点和所述第三点集的测试点之间的电压，得到所述第一电压；
[0025]测量所述第二点集的测试点和所述第四点集的测试点之间的电压，得到所述第二电压。
[0026]根据本申请的一些实施例，所述LDMOS连接结构包括晶粒、第一铜柱结构、第二铜柱结构、MOS单元结构，所述第一铜柱结构的一端与所述漏极框架电连接，所述第一铜柱结构的另一端与所述晶粒的一端电连接，所述晶粒的另一端与所述第二铜柱结构的一端电连接，所述第二铜柱结构的另一端与所述源极框架电连接，所述MOS单元结构设置在所述晶粒上并通过所述晶粒分别与述第一铜柱结构和所述第二铜柱结构电连接；
[0027]所述在所述漏极框架上设置第一点集、第二点集，包括：
[0028]将所述第一点集的所述测试点和所述第二点集的所述测试点分别设置在所述第一铜柱结构的两侧；
[0029]将所述第一点集的所述电流点、所述第二点集的所述电流点设置在所述第一点集的所述测试点和所述第二点集的所述测试点之间；
[0030]其中，所述第一点集的电流点和测试点相邻设置，所述第二点集的电流点和测试点相邻设置；
[0031]所述在所述源极框架上设置第三点集、第四点集，包括：
[0032]将所述第三点集的所述测试点和所述第四点集的所述测试点分别设置在所述第二铜柱结构的两侧；
[0033]将所述第三点集的所述电流点、所述第四点集的所述电流点设置在所述第三点集的所述测试点和所述第四点集的所述测试点之间；
[0034]其中，所述第三点集的电流点和测试点相邻设置，所述第四点集的电流点和测试点相邻设置。
[0035]根据本申请的一些实施例，所述根据所述第一电流、所述第二电流、所述第一电压、所述第二电压，得到所述LDMOS器件对应的导通电阻，包括：
[0036]对所述第一电压、所述第二电压进行求和并取平均，得到平均电压；
[0037]对所述第一电流、所述第二电流进行求和，得到总电流；
[0038]根据所述总本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.LDMOS导通电阻的测量方法，其特征在于，包括：获取待测的LDMOS器件；其中，所述LDMOS器件设置有漏极框架和源极框架；根据所述漏极框架和所述源极框架，构建第一电流回路和第二电流回路；在所述第一电流回路中加载第一电流，在所述第二电流回路中加载第二电流；测量所述第一电流回路中的所述漏极框架和所述源极框架之间的电压，得到第一电压；测量所述第二电流回路中的所述漏极框架和所述源极框架之间的电压，得到第二电压；其中，所述第二电压和所述第一电压之间的差值满足预设范围；根据所述第一电流、所述第二电流、所述第一电压、所述第二电压，得到所述LDMOS器件对应的导通电阻。2.根据权利要求1所述的LDMOS导通电阻的测量方法，其特征在于，在所述根据所述漏极框架和所述源极框架，构建第一电流回路和第二电流回路之前，包括：在所述漏极框架上设置第一点集、第二点集；在所述源极框架上设置第三点集、第四点集；其中，所述第一点集、所述第二点集、所述第三点集、所述第四点集均包括测试点和电流点，且所述测试点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端，所述电流点位于所述漏极框架或所述源极框架的两端之间；所述第一点集和所述第三点集的电流点，构建所述第一电流回路；根据所述第二点集和所述第四点集的电流点用于构建所述第二电流回路；所述第一点集和所述第三点集的测试点用于测量所述第一电流回路上的第一电压，所述第二点集和所述第四点集的测试点用于测量所述第二电流回路上的第二电压。3.根据权利要求2所述的LDMOS导通电阻的测量方法，其特征在于，所述LDMOS器件还设置有LDMOS连接结构，所述LDMOS连接结构的一端与所述漏极框架电连接，所述LDMOS连接结构的另一端与所述源极框架电连接；所述根据所述漏极框架和所述源极框架，构建第一电流回路和第二电流回路，包括：将第一电流源的正极与所述第一点集的电流点电连接，将所述第一电流源的负极与所述第三点集的电流点电连接；根据所述第一电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构，构建所述第一电流回路；将第二电流源的正极与所述第二点集的电流点电连接，将所述第二电流源的负极与所述第四点集的电流点电连接；根据所述第二电流源、所述漏极框架、所述源极框架、所述LDMOS连接结构，构建所述第二电流回路。4.根据权利要求3所述的LDMOS导通电阻的测量方法，其特征在于，所述在所述第一电流回路中加载第一电流，在所述第二电流回路中加载第二电流，包括：通过所述第一电流源向所述第一电流回路加载所述第一电流；通过所述第二电流源向所述第二电流回路加载所述第二电流。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：梁友谦，
申请(专利权)人：东莞市长工微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：