一种IGBT驱动的防直通电路及变频器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT驱动的防直通电路及变频器，所述防直通电路包括锁定电路、滤波电路、下拉电阻电路、信号输入模块和驱动芯片U1，锁定电路包括场效应晶体管Q101，场效应晶体管Q101的源极与信号输入模块第一端HIN1连接，场效应晶体管Q101的漏极与驱动芯片U1第一端和下拉电阻电路第一端连接，场效应晶体管Q101的栅极与滤波电路第一端、驱动芯片U1第二端和下拉电阻电路第二端连接，信号输入模块第二端LIN1与滤波电路第二端连接。本实用新型专利技术让驱动芯片U1第一端和驱动芯片U1第二端的输入信号不同时为高电平信号，避免发生直通现象。同时所述防直通电路中电子元件数量较少，减少了在实际电路设计中PCB板的占用空间，降低电路成本，减少电路中的能量损耗。减少电路中的能量损耗。减少电路中的能量损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动的防直通电路及变频器


[0001]本技术属于IGBT
，具体地说，涉及一种IGBT驱动的防直通电路及变频器。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应晶体管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，既具有绝缘栅型场效应晶体管器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，IGBT广泛应用于交流电机、变频器、开关电源等领域。在使用IGBT时需要避免桥臂上的两个驱动管同时导通。
[0003]现有的一篇中国专利公开了一种小功率IGBT驱动互锁电路，包括第一驱动光耦、第二驱动光耦、第一二极管、第二二极管和用于连接IGBT模块的第一三极管及第二三极管；所述第一驱动光耦的输入端第一引脚通过第一电阻连接单片机低电平驱动信号，所述第一驱动光耦的输入端第二引脚通过第二电阻的一端连接单片机高电平驱动信号，且所述第二电阻的另一端与第一电阻连接，所述第一驱动光耦的输出端第四引脚分别连接第一三极管的发射极和基极，且所述第一三极管的集电极分别连接第一二极管的正极和IGBT模块的门极；所述第二驱动光耦的输入端第一引脚通过第四电阻的一端连接单片机高电平驱动信号，所述第二驱动光耦的输入端第二引脚通过第三电阻连接单片机低电平驱动信号，且所述第四电阻的另一端与第三电阻连接，所述第二驱动光耦的输出端第四引脚分别连接第二三极管的发射极和基极，且所述第二三极管的集电极分别连接第二二极管的正极和IGBT模块的门极；所述第一驱动光耦的输出端第三引脚和第二驱动光耦的输出端第三引脚连接，所述第一二极管的负极连接第二三极管的基极，所述第二二极管的负极连接第一三极管的基极。
[0004]现有技术中每个桥臂需要使用两个开关器件进行保护，电路比较复杂，在实际电路设计中会占用PCB板大量空间。
[0005]有鉴于此特提出本技术。

技术实现思路

[0006]本技术要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种IGBT驱动的防直通电路及变频器，只使用一个场效应晶体管来控制驱动芯片的输入信号，降低电路的复杂度，减少PCB板的占用空间。
[0007]为解决上述技术问题，本技术采用技术方案的基本构思是：
[0008]一种IGBT驱动的防直通电路，包括锁定电路、滤波电路、下拉电阻电路、信号输入模块和驱动芯片U1，锁定电路包括场效应晶体管Q101，场效应晶体管Q101的源极与信号输入模块第一端HIN1连接，场效应晶体管Q101的漏极与驱动芯片U1第一端和下拉电阻电路第一端连接，场效应晶体管Q101的栅极与滤波电路第一端、驱动芯片U1第二端和下拉电阻电
路第二端连接，信号输入模块第二端LIN1与滤波电路第二端连接。
[0009]优选的，锁定电路包括设在信号输入模块第一端HIN1和场效应晶体管Q101的源极之间的电阻R101，电阻R101第一端与信号输入模块第一端HIN1连接，电阻R101第二端与场效应晶体管Q101的源极连接。
[0010]优选的，滤波电路包括电阻R102，电阻R102第一端接信号输入模块第二端LIN1，电阻R102第二端与场效应晶体管Q101的栅极连接。
[0011]优选的，滤波电路包括电容C101，电容C101第一端与电阻R102第二端连接，电容C101第二端接地。
[0012]优选的，下拉电阻电路包括第一下拉电阻R103，第一下拉电阻R103第一端与场效应晶体管Q101的漏极连接，第一下拉电阻R103第二端接地。
[0013]优选的，下拉电阻电路包括第二下拉电阻R104，第二下拉电阻R104第一端与场效应晶体管Q101的栅极连接，第二下拉电阻R104第二端接地。
[0014]优选的，场效应晶体管Q101的漏极和场效应晶体管Q101的源极之间的最大电压为600V。
[0015]优选的，场效应晶体管Q101漏极的最大电流为7A。
[0016]优选的，场效应晶体管Q101的栅极和场效应管Q101的源极之间的最大电压为30V。
[0017]本技术的另一目的在于提供一种变频器，其特征在于，包括如上所述的一种IGBT驱动的防直通电路。
[0018]采用上述技术方案后，本技术与现有技术相比具有以下有益效果。
[0019]1、本技术通过设置锁定电路，锁定电路中包括场效应晶体管，通过让场效应晶体管处于导通状态或者关断状态，保证驱动芯片第一端和驱动芯片第二端的输入信号不同时为高电平信号，避免上桥臂驱动管和下桥臂驱动管同时导通，避免发生直通现象。同时本技术所述的一种IGBT驱动的防直通电路简单，包含的电子元件数量较少，减少了在实际电路设计中PCB板的占用空间，降低电路成本，同时降低了电路中的能量损耗，提高能量的利用率。
[0020]2、本技术通过设置滤波电路，吸收从第二输入端输入的信号中的高频信号，提高从第二输入端输入的信号的抗干扰能力，降低外部环境对电路的影响，让本技术所述的一种IGBT驱动的防直通电路在恶劣环境中也能正常工作。
[0021]3、本技术通过设置第一下拉电阻和第二下拉电阻，在场效应晶体管断开或者从第二输入端输入的信号为低电平信号时，能够确保驱动芯片第一端和驱动芯片第二端接收到的输入信号为低电平信号，避免上桥臂驱动管和下桥臂驱动管同时导通，避免发生直通现象。
[0022]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的描述。
附图说明
[0023]附图作为本技术的一部分，用来提供对本技术的进一步的理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，但不构成对本技术的不当限定。显然，下面描述中的附图仅仅是一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。在附图中：
[0024]图1是本技术一种IGBT驱动的防直通电路图。
[0025]需要说明的是，这些附图和文字描述并不旨在以任何方式限制本技术的构思范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本技术的概念。
具体实施方式
[0026]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，包括锁定电路、滤波电路、下拉电阻电路、信号输入模块和驱动芯片U1，锁定电路包括场效应晶体管Q101，场效应晶体管Q101的源极与信号输入模块第一端HIN1连接，场效应晶体管Q101的漏极与驱动芯片U1第一端和下拉电阻电路第一端连接，场效应晶体管Q101的栅极与滤波电路第一端、驱动芯片U1第二端和下拉电阻电路第二端连接，信号输入模块第二端LIN1与滤波电路第二端连接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，锁定电路包括设在信号输入模块第一端HIN1和场效应晶体管Q101的源极之间的电阻R101，电阻R101第一端与信号输入模块第一端HIN1连接，电阻R101第二端与场效应晶体管Q101的源极连接。3.根据权利要求1或2所述的一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，滤波电路包括电阻R102，电阻R102第一端接信号输入模块第二端LIN1，电阻R102第二端与场效应晶体管Q101的栅极连接。4.根据权利要求3所述的一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，滤波电路包括电容C101，电容C101第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，杜鹏，罗帅，刘迪，
申请(专利权)人：山东朗进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：