一种IGBT驱动的防直通电路及变频器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT驱动的防直通电路及变频器，所述防直通电路包括锁定电路、滤波电路、下拉电阻电路、信号输入模块和驱动芯片U1，锁定电路包括场效应晶体管Q101，场效应晶体管Q101的源极与信号输入模块第一端HIN1连接，场效应晶体管Q101的漏极与驱动芯片U1第一端和下拉电阻电路第一端连接，场效应晶体管Q101的栅极与滤波电路第一端、驱动芯片U1第二端和下拉电阻电路第二端连接，信号输入模块第二端LIN1与滤波电路第二端连接。本实用新型专利技术让驱动芯片U1第一端和驱动芯片U1第二端的输入信号不同时为高电平信号，避免发生直通现象。同时所述防直通电路中电子元件数量较少，减少了在实际电路设计中PCB板的占用空间，降低电路成本，减少电路中的能量损耗。减少电路中的能量损耗。减少电路中的能量损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动的防直通电路及变频器


[0001]本技术属于IGBT
，具体地说，涉及一种IGBT驱动的防直通电路及变频器。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应晶体管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，既具有绝缘栅型场效应晶体管器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，IGBT广泛应用于交流电机、变频器、开关电源等领域。在使用IGBT时需要避免桥臂上的两个驱动管同时导通。
[0003]现有的一篇中国专利公开了一种小功率IGBT驱动互锁电路，包括第一驱动光耦、第二驱动光耦、第一二极管、第二二极管和用于连接IGBT模块的第一三极管及第二三极管；所述第一驱动光耦的输入端第一引脚通过第一电阻连接单片机低电平驱动信号，所述第一驱动光耦的输入端第二引脚通过第二电阻的一端连接单片机高电平驱动信号，且所述第二电阻的另一端与第一电阻连接，所述第一驱动光耦的输出端第四引脚分别连接第一三极管的发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，包括锁定电路、滤波电路、下拉电阻电路、信号输入模块和驱动芯片U1，锁定电路包括场效应晶体管Q101，场效应晶体管Q101的源极与信号输入模块第一端HIN1连接，场效应晶体管Q101的漏极与驱动芯片U1第一端和下拉电阻电路第一端连接，场效应晶体管Q101的栅极与滤波电路第一端、驱动芯片U1第二端和下拉电阻电路第二端连接，信号输入模块第二端LIN1与滤波电路第二端连接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，锁定电路包括设在信号输入模块第一端HIN1和场效应晶体管Q101的源极之间的电阻R101，电阻R101第一端与信号输入模块第一端HIN1连接，电阻R101第二端与场效应晶体管Q101的源极连接。3.根据权利要求1或2所述的一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，滤波电路包括电阻R102，电阻R102第一端接信号输入模块第二端LIN1，电阻R102第二端与场效应晶体管Q101的栅极连接。4.根据权利要求3所述的一种IGBT驱动的防直通电路，其特征在于，滤波电路包括电容C101，电容C101第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，杜鹏，罗帅，刘迪，
申请(专利权)人：山东朗进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：