一种PIM器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种PIM器件及其制造方法，包括覆铜陶瓷基板以及布设于覆铜陶瓷基板上的三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件；三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片；三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片；制动单元包括二极管芯片

【技术实现步骤摘要】
一种PIM器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种PIM器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]PIM电路是集合了整流电路、逆变电路、制动电路和温控开关的功能电路，传统的PIM电路中，采用的是多个独立存在的单管（包括整流单管、逆变单管等）连接而成，电路体积大，且结构复杂，容易出现故障，且不易维护。因此，IGBT功率集成模块PIM（Power Intergrated Mondule）逐步代替了传统的PIM电路，IGBT功率集成模块PIM是指将二极管整流模块与IGBT模块集成在同一模块上，以提高IGBT电路的功率密度，减少通电产生的分布电感，且PIM模块简化了安装工艺、方便了维修。目前，市场上15kW以下小功率变频线路多采用25A/40A/50A/75A的PIM模块，主要应用在变频器，伺服电机，变频家电、医疗系统等领域，随着变频行业的飞速发展，对PIM模块的需求量不断增加，而现有PIM器件存在以下问题：1、在PIM器件内部电路的硬件结构中，普遍采用铝线工艺，由于IGBT芯片应用时功率高，铝线工艺电流密度低，通电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PIM器件，其特征在于：包括覆铜陶瓷基板、三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件（1）；所述三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个二极管芯片一一对应的clip铜片（9），且六个二极管芯片分别为二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）、二极管芯片Ⅲ（5）、二极管芯片Ⅳ（6）、二极管芯片
Ⅴ
（7）和二极管芯片
Ⅵ
（8）；六个负极连接于覆铜陶瓷基板上，二极管芯片Ⅰ（3）、二极管芯片Ⅱ（4）和二极管芯片Ⅲ（5）的负极通过覆铜陶瓷基板连接；六个clip铜片（9）的一端分别与六个二极管芯片的正极固定连接，六个覆铜陶瓷基板连接的另一端分别与覆铜陶瓷基板固定连接，使得二极管芯片Ⅰ（3）的正极与二极管芯片Ⅳ（6）的负极连接，二极管芯片Ⅱ（4）的正极与二极管芯片
Ⅴ
（7）的负极连接，二极管芯片Ⅲ（5）的正极与二极管芯片
Ⅵ
（8）的负极连接，二极管芯片Ⅳ（6）的正极、二极管芯片
Ⅴ
（7）的正极和二极管芯片
Ⅵ
（8）的正极连接在一起；所述三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片（16）和六个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片（17），且六个IGBT芯片分别为IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）、IGBT芯片Ⅲ（12）、IGBT芯片Ⅳ（13）、IGBT芯片
Ⅴ
（14）和IGBT芯片
Ⅵ
（15）；六个IGBT芯片的集电极连接于覆铜陶瓷基板上，IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）和IGBT芯片Ⅲ（12）的集电极通过覆铜陶瓷基板连接；六个clip发射极铜片（16）的一端分别与六个IGBT芯片的发射极固定连接，六个clip发射极铜片（16）的另一端分别与覆铜陶瓷基板固定连接，六个clip控制极铜片（17）的一端分别与六个IGBT芯片的控制极固定连接，六个clip控制极铜片（17）的另一端分别与覆铜陶瓷基板固定连接，使得IGBT芯片Ⅰ（10）的发射极与IGBT芯片Ⅳ（13）的集电极连接，IGBT芯片Ⅱ（11）的发射极与IGBT芯片
Ⅴ
（14）的集电极连接，IGBT芯片Ⅲ（12）的发射极与IGBT芯片
Ⅵ
（15）的集电极连接；所述制动单元包括二极管芯片
Ⅶ
（18）、IGBT芯片
Ⅶ
（19）、clip铜片（9）、clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17），二极管芯片
Ⅶ
（18）的负极和IGBT芯片
Ⅶ
（19）的集电极分别连接于覆铜陶瓷基板连接上，二极管芯片
Ⅶ
（18）的负极通过覆铜陶瓷基板与IGBT芯片Ⅰ（10）、IGBT芯片Ⅱ（11）和IGBT芯片Ⅲ（12）的集电极连接；clip铜片（9）的一端与覆铜陶瓷基板固定连接，clip铜片（9）的另一端与二极管芯片
Ⅶ
（18）的正极固定连接，使得二极管芯片
Ⅶ
（18）的正极与IGBT芯片
Ⅶ
（19）的集电极固定连接；clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17）的一端与覆铜陶瓷基板固定连接，clip发射极铜片（16）的另一端与IGBT芯片
Ⅶ
（19）的发射极连接，clip控制极铜片（17）的另一端与IGBT芯片
Ⅶ
（19）的控制极固定连接；所述温控检测NTC器件（1）的两端分别连接于铜板单元上。2.如权利要求1所述一种PIM器件，其特征在于：所述覆铜陶瓷基板包括基板本体（2）和用于连接所述三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件（1）的铜板单元，铜板单元贴合并固定于基板本体（2）上。3.如权利要求2所述一种PIM器件，其特征在于：所有的二极管芯片和IGBT芯片都是通过锡膏固定于铜板单元上；所有的clip铜片（9）、clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17）都是通过锡膏与铜板单元固定连接，所有的clip铜片（9）都是通过锡膏与二极管芯片固定连接，所有的clip发射极铜片（16）和clip控制极铜片（17）都是通过锡膏与IGBT芯片固定连接。4.如权利要求1所述一种PIM器件，其特征在于：所述极点包括同时与二极管芯片Ⅰ（3）、
二极管芯片Ⅱ（4）和二极管芯片Ⅲ（5）的负极连接的P极点（30），分别与二极管芯片Ⅳ（6）、二极管芯片
Ⅴ
（7）和二极管芯片
Ⅵ
（8）负极连接的L1极点（31）、L2极点（32）和L3极点（33），同时与二极管芯片Ⅳ（6）、二极管芯片
Ⅴ
（...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓华鲜，
申请(专利权)人：乐山希尔电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：