一种可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供的一种可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器及其制备方法，属于气体传感技术领域，气体传感器包括依次的衬底、在衬底表面制备的叉指电极、在衬底表面制备的对金属离子有吸附性能的过渡层敏感薄膜及通过连续离子层吸附与反应法合成的硫化铅薄膜，通过设置上述结构成功将硫化铅纳米颗粒均匀、高效地分布在衬底表面，获得晶粒尺寸可控的硫化铅气敏薄膜，解决光滑衬底表面难以生长硫化铅纳米颗粒的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器及其制备方法


[0001]本专利技术属于气体传感
，具体涉及一种可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]在工业生产、交通运输等过程中，会排放大量的有毒、有害气体，包括氮的氧化物、碳的氧化物、硫的氧化物等。这些有毒、有害气体不仅会产生环境问题，而且会损害人体健康。如二氧化氮(NO2)，它不仅对水体、土壤和大气均造成污染，是酸雨和光化学烟雾的主要成因之一，而且会对人体肺部造成严重危害，引起肺气肿、支气管炎症等呼吸系统疾病。因此，制备出一种高灵敏、良好稳定性、低成本的气体传感器，对于环境质量检测与预警系统而言具有重要的应用价值。
[0003]半导体气体传感器具有高灵敏度、操作简单、低成本等优点，但较差的选择性和高工作温度限制了其广泛应用。金属硫化物作为一类重要的窄带隙半导体材料，因其独特的物理化学特性及成本低廉、制备容易、灵敏度高的特点，在众多领域均有良好的应用前景。硫化铅是一种常见的直接带隙p型半导体材料，广泛应用于太阳能电池和红外探测器等领域，此外其在气体传感器领域也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器，包括依次的衬底、在衬底表面制备的叉指电极及在衬底表面通过连续离子层吸附与反应法合成的硫化铅薄膜，其特征在于，在衬底和硫化铅薄膜之间还设置有对金属离子有吸附性能的过渡层敏感薄膜。2.根据权利要求1所述可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器，其特征在于，所述过渡层敏感薄膜的材料为n型半导体材料。3.根据权利要求1所述可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器，其特征在于，所述过渡层敏感薄膜的材料为金属氧化物、二维过渡金属硫化物或碳系材料中的一种或多种复合而成的复合材料。4.根据权利要求1所述可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器，其特征在于，所述过渡层敏感薄膜的厚度为100～200nm。5.一种如权利要求1～4任一所述可控生长硫化铅复合薄膜气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：对衬底进行清洗预处理，然后在衬底表面制备叉指电极；步骤2：在步骤1所得衬底表面制备对金属离子有吸附性能的过渡层敏感薄膜；步骤3...

【专利技术属性】
技术研发人员：太惠玲，谢春燕，吴英伟，段再华，刘勃豪，袁震，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：