显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；所述第一显示区包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。在不降低显示面板分辨率的同时，增加屏下摄像头区域显示面板的透过率。增加屏下摄像头区域显示面板的透过率。增加屏下摄像头区域显示面板的透过率。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开实施例涉及显示
，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示技术具有自发光、宽视角、高色域、低功耗、轻薄、透明等特点，使得OLED的设计更加自由。其中主动式OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)通过在每个像素中集成薄膜晶体管和电容器，可实现大尺寸、高分辨率面板。随着显示技术的发展，当下对智能手机屏的屏占比需求越来越高，为了达到更高的屏占比，屏下摄像头技术成为实现真正全面屏需求的技术难点。为了实现屏下摄像头在拍照时能够采集到更多的入射光，需要该位置处的显示面板具有高的光学透过率。而通常OLED显示面板中的薄膜晶体管、电容及导线、OLED像素单元等位置的透过率均较低，严重限制了显示面板的整体光学透过率。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，在不降低显示分辨率的同时，增加透过率。r/>[0004]一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区位于所述第二显示区的至少一侧；所述第一显示区包括：基底、设置在所述基底上的发光结构层，所述发光结构层包括多个导电层，至少一个所述导电层设置有贯通所述导电层的多个开口。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括设置在所述基底上的第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括有源层和第一走线层，所述有源层设置有贯通所述有源层的多个开口，和/或，所述第一走线层设置有贯通所述第一走线层的多个开口。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层，以及第一金属层，所述第一金属层包括栅电极、第一电容电极和第二走线层，其中，所述栅电极、第一电容电极和第二走线层中的一个或多个设置有所述开口，所述栅电极中的多个开口贯通所述栅电极，所述第一电容电极中的多个开口贯通所述第一电容电极，所述第二走线层中的多个开口贯通所述第二走线层。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层，以及第二金属层，所述第二金属层包括第二电容电极和第三走线层，其中，所述第二电容电极设置有贯通所述第二电容电极的多个开口，和/或，所述第三走线层设置有贯通所述第三走线层的多个开口。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层，以及第三金属层，所述第三金属层包括源电极、漏电极和第四走线层，其中，所述源电极、漏电极和第四走线层中的一个或多个设置有所述开口，所述源电极中的多个开口贯通所述源电极，所述漏电极中的多个开口贯通所述漏电极，所述第四走线层中的多个开口贯通所述第四走线层。6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层包括在所述基底依次叠设的第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第一金属层、第三绝缘层、第二金属层、第四绝缘层、第三金属层、平坦层，以及导电层，所述导电层包括阳极，其中，所述阳极设置有贯通所述阳极的多个开口。7.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：汪炳伟，王和金，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：