一种温控器制造技术

技术编号:30504400 阅读:19 留言:0更新日期:2021-10-27 22:39
本实用新型专利技术涉及一种温控器,包括前屏外壳、背板外壳、液晶显示模组、弱电电路板和强电电路板;前屏外壳内设有隔热仓,前屏外壳的隔热仓上设有散热孔,液晶显示模组镶嵌在前屏外壳表面,弱电电路板上搭载有测温器件,弱电电路板封装在前屏外壳的隔热仓内,强电电路板封装在背板外壳内;强电电路板上集成有强电电路,弱电电路板上集成有弱电电路,测温器件电连接在弱电电路上,弱电电路还分别与强电电路以及液晶显示模组电连接。本实用新型专利技术将搭载有测温器件的弱电电路板封装在隔热仓内,可以避免散热对其造成测温不准确的问题发生;弱电电路板以热传递为模型,前屏外壳上设有散热孔,修正温度,保证测温器件测得的温度更加准确。保证测温器件测得的温度更加准确。保证测温器件测得的温度更加准确。

【技术实现步骤摘要】
一种温控器


[0001]本技术涉及温度控制领域,具体涉及一种温控器。

技术介绍

[0002]传统的墙装温控器因为属于用电器件,随着使用时长会逐渐发热,且其整机在墙体内安装,无有效散热,导致其对室内温度测量不准。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是提供一种温控器,可以解决室内温度测量不准的问题。
[0004]本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种温控器,包括前屏外壳、背板外壳、液晶显示模组、弱电电路板和强电电路板;所述前屏外壳与所述背板外壳可拆卸式连接,所述前屏外壳内设有隔热仓,所述前屏外壳的隔热仓上设有散热孔,所述液晶显示模组镶嵌在所述前屏外壳表面,所述弱电电路板上搭载有测温器件,所述弱电电路板封装在所述前屏外壳的隔热仓内,所述强电电路板封装在所述背板外壳内;所述强电电路板上集成有用于将高压交流电转换成低压直流电的强电电路,所述弱电电路板上集成有用于驱动所述液晶显示模组工作的弱电电路,所述测温器件电连接在所述弱电电路上,所述弱电电路还分别与所述强电电路以及所述液晶显示模组电连接。
[0005]在上述技术方案的基础上,本技术还可以做如下改进。
[0006]进一步,所述测温器件具体为NTC温度传感器。
[0007]进一步,所述背板外壳具体为标准86盒安装结构,且所述背板外壳上预留有螺丝孔。
[0008]进一步,所述前屏外壳与所述背板外壳的可拆卸式连接结构具体为卡扣连接。
[0009]进一步,所述强电电路包括5V电压转换电路,所述5V电压转换电路包括电压转换芯片U1、高频扼流圈RFC1和高频扼流圈RFC2;所述电压转换芯片U1用于将220V的交流市电转换成5V/1A的直流电,所述电压转换芯片U1的两个输入引脚分别连接在市电的火线L和零线N上,所述电压转换芯片U1的5V电压输出引脚通过所述高频扼流圈RFC1输出+5V的电压,所述电压转换芯片U1的GND引脚通过所述高频扼流圈RFC2接地。
[0010]进一步,所述强电电路板上还集成有用于实现强电控制信号输出的继电器电路;所述继电器电路包括继电器K和MOS管Q;所述MOS管Q的栅极用于接收外部开关信号SW;所述MOS管Q的栅极还通过电阻R1连接在所述MOS管Q的源极上并共同接地,所述MOS管Q的漏极连接在所述继电器K的线圈的一端,所述继电器K的线圈的另一端连接在所述高频扼流圈RFC1输出的+5V电压上,所述继电器K的线圈的两端还并联有二极管D;所述继电器K的动触点连接在市电的火线上,所述继电器K的静触点用于输出强电控制信号。
[0011]进一步,所述弱电电路包括主控芯片U2、测温电路、3.3V电压转换电路和1.2V电压转换电路;所述3.3V电压转换电路的输入端以及所述1.2V电压转换电路的输入端均连接在
所述高频扼流圈RFC1输出的+5V电压上,所述3.3V电压转换电路的输出端用于输出+3.3V的电压并与所述主控芯片U2的3.3V电源引脚连接,所述1.2V电压转换电路的输出端用于输出+1.2V的电压并与所述主控芯片U2的1.2V电源引脚连接;所述测温器件通过所述测温电路连接在所述主控芯片U2的信号输入引脚上。
[0012]进一步,所述主控芯片U2的型号为T5L,所述测温电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5;所述电容C1与所述电容C2并联,且所述电容C1与所述电容C2的一并联端接地,另一并联端与所述测温器件连接;所述电阻R2与所述电阻R3串联,且所述电阻R2与所述电阻R3的一串联端接地,另一串联端连接在所述电容C1与所述电容C2的非接地并联端上;所述电阻R4与所述电阻R5串联,且所述电阻R4与所述电阻R5的一串联端接地,另一串联端连接在所述电容C1与所述电容C2的非接地并联端上;所述电容C3的一端连接在所述电阻R2与所述电阻R3的公共连接端上,所述电容C3的另一端接地;所述电容C4的一端连接在所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端上,所述电容C4的另一端接地;所述电阻R2与所述电阻R3的公共连接端还连接在所述主控芯片U2的ADC0引脚上;所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端还连接在所述主控芯片U2的ADC7引脚上。
[0013]本技术的有益效果是:本技术一种温控器将搭载有测温器件的弱电电路板封装在前屏外壳的隔热仓内,可以避免前侧的液晶显示模组以及后侧的强电电路板散热对其造成测温不准确的问题发生,另外,弱电电路板以热传递为模型,前屏外壳上设有散热孔,用于修正隔热仓内的温度,保证测温器件测得的温度更加准确。
附图说明
[0014]图1为本技术一种温控器的爆炸结构示意图;
[0015]图2为5V电压转换电路的电路结构原理图;
[0016]图3为继电器电路的电路结构原理图;
[0017]图4为弱电电路的结构框图;
[0018]图5为主控芯片U2与液晶显示模组的电路结构原理图;
[0019]图6为测温电路的电路结构原理图。
[0020]附图中,各标号所代表的部件列表如下:
[0021]1、前屏外壳,2、背板外壳,3、液晶显示模组,4、弱电电路板,5、强电电路板。
具体实施方式
[0022]以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本技术,并非用于限定本技术的范围。
[0023]如图1所示,一种温控器,包括前屏外壳1、背板外壳2、液晶显示模组3、弱电电路板4和强电电路板5;所述前屏外壳1与所述背板外壳2可拆卸式连接,所述前屏外壳1内设有隔热仓,所述前屏外壳1的隔热仓上设有散热孔,所述液晶显示模组3镶嵌在所述前屏外壳1表面,所述弱电电路板4上搭载有测温器件,所述弱电电路板4封装在所述前屏外壳1的隔热仓内,所述强电电路板5封装在所述背板外壳2内;所述强电电路板5上集成有用于将高压交流电转换成低压直流电的强电电路,所述弱电电路板4上集成有用于驱动所述液晶显示模组3工作的弱电电路,所述测温器件电连接在所述弱电电路上,所述弱电电路还分别与所述强
电电路以及所述液晶显示模组3电连接。
[0024]在本具体实施例中:
[0025]所述测温器件具体为NTC温度传感器。其中,所述弱电电路板上可以搭载多个测温器件。
[0026]所述背板外壳2具体为标准86盒安装结构,且所述背板外壳2上预留有螺丝孔,用于固定在墙面上。
[0027]所述前屏外壳1与所述背板外壳2的可拆卸式连接结构具体为卡扣连接。
[0028]所述强电电路包括5V电压转换电路,如图2所示,所述5V电压转换电路包括电压转换芯片U1、高频扼流圈RFC1和高频扼流圈RFC2;所述电压转换芯片U1用于将220V的交流市电转换成5V/1A的直流电,所述电压转换芯片U1的两个输入引脚分别连接在市电的火线L和零线N上,所述电压转换芯片U1的5V电压输出引脚通过所述高频扼流圈RFC1输出+5V的电压,所述电压转换芯片U本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温控器,其特征在于:包括前屏外壳(1)、背板外壳(2)、液晶显示模组(3)、弱电电路板(4)和强电电路板(5);所述前屏外壳(1)与所述背板外壳(2)可拆卸式连接,所述前屏外壳(1)内设有隔热仓,所述前屏外壳(1)的隔热仓上设有散热孔,所述液晶显示模组(3)镶嵌在所述前屏外壳(1)表面,所述弱电电路板(4)上搭载有测温器件,所述弱电电路板(4)封装在所述前屏外壳(1)的隔热仓内,所述强电电路板(5)封装在所述背板外壳(2)内;所述强电电路板(5)上集成有用于将高压交流电转换成低压直流电的强电电路,所述弱电电路板(4)上集成有用于驱动所述液晶显示模组(3)工作的弱电电路,所述测温器件电连接在所述弱电电路上,所述弱电电路还分别与所述强电电路以及所述液晶显示模组(3)电连接。2.根据权利要求1所述的温控器,其特征在于:所述测温器件具体为NTC温度传感器。3.根据权利要求1所述的温控器,其特征在于:所述背板外壳(2)具体为标准86盒安装结构,且所述背板外壳(2)上预留有螺丝孔。4.根据权利要求1所述的温控器,其特征在于:所述前屏外壳(1)与所述背板外壳(2)的可拆卸式连接结构具体为卡扣连接。5.根据权利要求1至4任一项所述的温控器,其特征在于:所述强电电路包括5V电压转换电路,所述5V电压转换电路包括电压转换芯片U1、高频扼流圈RFC1和高频扼流圈RFC2;所述电压转换芯片U1用于将220V的交流市电转换成5V/1A的直流电,所述电压转换芯片U1的两个输入引脚分别连接在市电的火线L和零线N上,所述电压转换芯片U1的5V电压输出引脚通过所述高频扼流圈RFC1输出+5V的电压,所述电压转换芯片U1的GND引脚通过所述高频扼流圈RFC2接地。6.根据权利要求5所述的温控器,其特征在于:所述强电电路板(5)上还集成有用于实现强电控制信号输出的继电器电路;所述继电器电路包括继电器K和MOS管Q;所述MOS管Q的栅极用于接收外部开关信号SW;所述MOS管Q的栅极还通过电阻R1连接在所述MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员:王洪
申请(专利权)人:北京迪文科技有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1