磁盘结构及其制造方法技术

提供一种可以防止由于涡流的产生而引起的信号ＳＮ比劣化的磁盘结构及其制造方法。在磁盘（１０１）上按顺序形成金属薄膜（１０２）、磁性薄膜（１０３）、绝缘膜（１０４），同时，在上述绝缘膜（１０４）上形成ＲＦ－ＩＤ芯片（１０６）以及与ＲＦ－ＩＤ芯片连接的天线（１０９）的构成部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及一种安装了包含了象RF-ID 这样的天线的无线电路的。
技术介绍
由于现有的光盘应用范围的飞跃性扩张，在光盘中安装CPU等信号处理电路 且执行与存储在光盘中的信息有机关联的信号处理的系统引起了关注。CPU等信 号处理电路与外部装置之间的信号发送接收的典型构成是在包含于CPU侧的无线通信电路中的天线与外部装置侧的天线之间通过无线信号进行。作为光盘安装CPU,由于结构简单且成本低，所以使用RF—ID芯片是有效的。通过无线通信电 路在光盘与外部装置之间进行通信的结构已被公开，例如专利文献1。 专利文献l:特开平11—007436 (图2，第段)这种RF—ID芯片安装于光盘的结构的一个例子在图9中示出。在图9中，在 光盘101上安装RF—ID芯片106，与该RF—ID芯片106连接的天线线圈109形 成在光盘101上。
技术实现思路
安装有上述这种结构的RF—ID芯片的光盘由光盘驱动装置驱动，通过无线频 率信号在读/写(R/W)装置与RF—ID芯片之间进行信号的发送接收。然而，在使用光盘的情况下，由于是通过无线频率信号进行信息发送接收， 所以产生如下的问题。艮P，由于数MHz以上的高频无线信号从读/写(R/W)装置向容纳在磁盘驱动 装置中的RF—ID芯片发出，所以该高频信号不仅通过RF—ID芯片，还通过磁盘 驱动装置内的各种电气电路和导体(主轴电机等)，并在其中产生涡流。由于该 涡流，在电气电路内产生噪音成分，则原始的信号SN比将会劣化。本专利技术的目的是鉴于现有技术的上述问题提出的，提供可以克服该问题，并防止由于涡流的产生而引起的信号SN比劣化的。用于解决上述问题的本专利技术，采用如下特征的构成。(1) 一种磁盘结构，在形成于磁盘上的磁性薄膜上形成无线通信部的构成 部。(2) —种磁盘结构，在磁盘上按顺序形成金属薄膜、磁性薄膜、绝缘膜， 同时，在上述绝缘膜上形成RF—ID芯片以及与上述RF—ID芯片连 接的天线的构成部。(3) —种磁盘结构，在磁盘上按顺序形成磁性薄膜、绝缘膜，同时，在上 述绝缘膜上形成RF—ID芯片以及与上述RF—ID芯片连接的天线的 构成部。(4) 上述(2)的磁盘结构，上述金属膜由铝材料形成。(5) 上述(1)至(4)任意一个的磁盘结构，上述磁性薄膜由铁氧体材料 形成。(6) 上述(1)至(5)任意一个的磁盘结构，在上述磁盘中形成有凹部， 在该凹部形成有上述构成部。(7) 上述(1)至(6)任意一个的磁盘结构，上述构成部被树脂模型层覆」^i,。(8) 上述(6)的磁盘结构，形成于上述凹部的上述构成部由树脂模型覆 盖，且构成为与上述凹部以外的磁盘平面大致共面。(9) 上述(1)至(8)任意一个的磁盘结构，上述无线通信部或RF—ID 芯片安装在磁盘的内圆周侧。(10) 上述(1)至(9)任意一个的磁盘结构，上述磁盘的两个表面具有记 录面。(11) 上述(1)至(10)任意一个的磁盘结构，上述磁盘由两个磁盘粘贴 构成，在中央部附近位置夹持设置上述无线通信部。(12) 上述(1)至(11)任意一个的磁盘结构，上述磁盘是光盘。(13) —种磁盘结构的制造方法，包含制作磁盘的步骤，在上述磁盘上的规定部分形成金属薄膜的步骤，在上述金属薄膜上形成磁性薄膜的步 骤，在上述磁性薄膜上形成绝缘膜的步骤，在上述绝缘膜上形成金属薄膜后，通过蚀刻形成期望形状的天线线圈的步骤，通过粘着层将RF一ID芯片固定在上述磁盘规定区域的步骤，以及将上述RF—ID芯片 与上述天线线圈连接的步骤。 (14) 一种磁盘结构制造方法，包括如下步骤制作磁盘的步骤，在上述磁 盘上的规定部分形成磁性薄膜的步骤，在上述磁性薄膜上形成绝缘膜 的步骤，在上述绝缘膜上形成金属薄膜后，通过蚀刻形成期望形状的 天线线圈的步骤，通过粘着层将RF—ID芯片固定在上述磁盘规定区 域的步骤，以及将上述RF—ID芯片与上述天线线圈连接的步骤。 根据本专利技术，可以大幅度减少对光盘上的RF—ID芯片发出的由于电波 信号通过磁盘驱动装置内的各种电气电路和导体部产生的涡流，结果可以防 止由于涡流引起的噪音成分重叠在原本的信号电流中导致的SN比劣化，可 以实现稳定的信号发送接收。附图说明图1是根据本专利技术的光盘结构的一个实施例的剖面图。图2是用于说明根据本专利技术实施例的光盘结构的简化的部分剖面图。图3是根据本专利技术的的光盘结构的其它实施例的简化剖面图。图4是根据本专利技术的又一实施例的光盘结构的简化剖面图。图5是将根据本专利技术的光盘装载到光盘驱动装置并使其动作时的简化的结构图6是根据本专利技术的其它实施例的光盘结构的简化剖面图。图7是根据本专利技术又一实施例的光盘结构的简化剖面图。图8是表示根据本专利技术的光盘结构的制造工序的流程图。图9是表示现有的安装到光盘的RF—ID芯片的安装结构的一个实施例的图。符号说明1光盘驱动器2读/写(R/W)装置11转盘12主轴电机13控制电路14检波器101、 IOIA、 101B光盘102金属薄膜103磁薄膜104绝缘膜105粘着层106RF—ID芯片107导线108连接层109天线线圈110树脂模型层具体实施例方式下面，参照附图说明根据本专利技术的磁盘结构的优选实施例的构成及动作。还 有，在以下实施例的说明中，虽然是以光盘作为磁盘，但是本专利技术并不局限于光 盘，具有同样构造的全部磁盘都可以适用。图l是根据本专利技术的磁盘结构的一个实施例的剖面图。此外，在图2中示出 了用于说明根据本实施例的光盘结构的简化后的一部分剖面图。在图2中省略了 图1的一部分构成部。在图中，对于本实施例，在普通光盘101的表面上形成有金属薄膜(在本实 施例中是铝(Al)膜)102。在该金属薄膜102上形成磁性薄膜(铁氧体等)103 的面积比形成RF—ID芯片106的区域大。并且，在该磁性薄膜103上，形成聚酰 亚铵等的绝缘膜104作为柔性衬底。在绝缘膜104上，通过粘着层105与RF—ID 芯片106粘着形成，同时，在圆周方向形成例如由金属薄膜构成的螺旋状的天线 线圈109。该天线线圈109和RF—ID芯片106通过导线107和连接层108连接。 特别是，这些金属薄膜102、磁性薄膜103、绝缘膜104、 RF—ID芯片106、天线 线圈109、导线107以及连接层108等整个表面由树脂模型层IIO覆盖。图3是根据本专利技术的磁盘结构的其它实施例的剖面图。在本实施例中，在普通的光盘IOI的表面形成凹部后，在该凹部上形成上述 金属薄膜102、磁性薄膜103、绝缘膜104、 RF—ID芯片106、天线线圈109等。 并且，这些全部构成要素以使树脂模型层IIO埋入光盘101的凹部的厚度形成。根据这样的结构，虽然比普通的光盘厚一些，但是可以得到具有均匀厚度的光盘 结构。图4是根据本专利技术又一个实施例的磁盘结构的简化后的剖面图。 本实施例是图1和图3中示出的实施例的变形例，图4表示图1的变形例， RF—ID芯片106设置在光盘的内圆周侧(靠近光盘开口孔的一侧)。其他的结构 与图1相同。由于本实施例的RF—ID芯片106设置在光盘的内圆周侧，所以与设 置在外侧的情况相比，可以减少光盘旋转时偏离轴心的现象，稳定旋转，实现动 作的稳定化。图5表示将根据本专利技术的磁盘(光盘)101安装到磁盘驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁盘结构，其特征在于：在形成于磁盘上的磁性薄膜上形成有无线通信部的构成部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-12-28 380354/20041.一种磁盘结构，其特征在于在形成于磁盘上的磁性薄膜上形成有无线通信部的构成部。2. —种磁盘结构，其特征在于在磁盘上按顺序形成金属薄膜、磁性薄膜、绝缘膜，同时，在上述绝缘膜上形成RF—ID芯片以及与上述RF-ID芯片连接的天线的构成部。3. —种磁盘结构，其特征在于在磁盘上按顺序形成磁性薄膜、绝缘膜，同 时，在上述绝缘膜上形成RF—ID芯片以及与上述RF—ID芯片连接的天线的构成 部。4. 一种根据权利要求2记载的磁盘结构，其特征在于上述金属薄膜由铝材 料形成。5. 根据权利要求1至4任意一项记载的磁盘结构，其特征在于上述磁性薄膜由铁氧体材料形成。6. 根据权利要求1至5任意一项记载的磁盘结构，其特征在于在上述磁盘中形成有凹部，在该凹部形成有上述构成部。7. 根据权利要求1至6任意一项权利要求记载的磁盘结构，其特征在于上述构成部被树脂模型层覆盖。8. 根据权利要求6记载的磁盘结构，其特征在于形成于上述凹部的上述构成部由树脂模型覆盖，且构成为与上述凹部以外的磁盘表面大致共面。9. 根据权利要求1至8任意一项记载的磁盘结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：重富孝士，刈本博保，
申请(专利权)人：王祝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]