一种镜像失效判断电路及应用其的电器设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种镜像失效判断电路及应用其的电器设备，其中，镜像失效判断电路包括用于检测第一芯片失效情况的第一失效检测模块和用于检测第二芯片失效情况的第二失效检测模块，所述第一失效检测模块电连接第二失效检测模块进而相互感知芯片失效情况。本实用新型专利技术的一种镜像失效判断电路，通过第一失效检测模块检测第一芯片失效情况，通过第二失效检测模块检测第二芯片失效情况，同时第一失效检测模块电连接第二失效检测模块，从而使第一失效检测模块和第二失效检测模块彼此之间可以相互感知失效情况，即采用镜像电路，提高失效芯片信号之间的关联性，摒弃门电路芯片，降低生产成本。低生产成本。低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种镜像失效判断电路及应用其的电器设备


[0001]本技术属于芯片失效检测
，具体涉及一种镜像失效判断电路及应用其的电器设备。

技术介绍

[0002]市场上关于家用烟机、蒸烤一体机等家电的控制板信号的失效判断采样电路,大多数采用门逻辑电路芯片。
[0003]但是，门逻辑电路芯片的存在芯片关联性差、成本高、效率低等问题，以往研发人员或企业由于墨守成规、技术提升限制而忽略了对该部分应用的创新改善，直接导致产品维修率高、客户体验感差、品牌质量下降等客观现象的发生。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本技术提供一种镜像失效判断电路，提高失效芯片信号之间的关联性，摒弃门电路芯片，降低生产成本。
[0005]本技术的另一目的是提供一种电器设备。
[0006]本技术所采用的技术方案是：
[0007]一种镜像失效判断电路，包括用于检测第一芯片失效情况的第一失效检测模块和用于检测第二芯片失效情况的第二失效检测模块，所述第一失效检测模块电连接第二失效检测模块进而相互感知芯片失效情况。
[0008]优选地，所述第一失效检测模块包括第一失效开关S1、第一电阻R1、第一电容C1和第一三极管Q1，所述第一失效开关S1的一端电连接第一电阻R1的一端、第一电容C1的一端、第一三极管Q1的基极和第二失效检测模块，所述第一三极管Q1的集电极电连接第二失效检测模块，所述第一失效开关S1的另一端、第一电阻R1的另一端和第一电容C1的另一端均接地。
[0009]优选地，所述第二失效检测模块包括第二失效开关S2、第二电阻R2、第二电容C2和第二三极管Q2，所述第二失效开关S2的一端电连接第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端、第二三极管Q2的基极和第一三极管Q1的发射极，所述第二三极管Q2的集电极电连接第一三极管Q1的集电极，所述第二失效开关S2的另一端、第二电阻R2的另一端和第二电容C2的另一端均接地。
[0010]优选地，还包括电源VCC和第三电阻R3，所述电源VCC串联第三电阻R3后连接第一三极管Q1的集电极和第二三极管Q2的集电极。
[0011]优选地，还包括第一电压源E1，所述第一电压源E1串联在第一失效开关S1与地之间。
[0012]优选地，还包括第二电压源E2，所述第二电压源E2串联在第二失效开关S2与地之间。
[0013]本技术的另一个技术方案是这样实现的：
[0014]一种电器设备，其包括所述的镜像失效判断电路。
[0015]与现有技术相比，本技术的镜像失效判断电路，通过第一失效检测模块检测第一芯片失效情况，通过第二失效检测模块检测第二芯片失效情况，同时第一失效检测模块电连接第二失效检测模块，从而使第一失效检测模块和第二失效检测模块彼此之间可以相互感知失效情况，即采用镜像电路，提高失效芯片信号之间的关联性，摒弃门电路芯片，降低生产成本。
附图说明
[0016]图1是本技术实施例1提供的一种镜像失效判断电路的电路图。
[0017]附图标记说明
[0018]1‑
第一失效检测模块，2
‑
第二失效检测模块。
具体实施方式
[0019]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0020]实施例1
[0021]本技术实施例提供一种镜像失效判断电路，如图1所示，包括用于检测第一芯片失效情况的第一失效检测模块1和用于检测第二芯片失效情况的第二失效检测模块2，所述第一失效检测模块1电连接第二失效检测模块2进而相互感知芯片失效情况。
[0022]这样，通过第一失效检测模块1检测第一芯片失效情况，通过第二失效检测模块2检测第二芯片失效情况，同时第一失效检测模块1电连接第二失效检测模块2，从而使第一失效检测模块1和第二失效检测模块2彼此之间可以相互感知失效情况，即采用镜像电路，提高失效芯片信号之间的关联性，摒弃门电路芯片，降低生产成本。
[0023]所述第一失效检测模块1包括第一失效开关S1、第一电阻R1、第一电容C1和第一三极管Q1，所述第一失效开关S1的一端电连接第一电阻R1的一端、第一电容C1的一端、第一三极管Q1的基极和第二失效检测模块2，所述第一三极管Q1的集电极电连接第二失效检测模块2，所述第一失效开关S1的另一端、第一电阻R1的另一端和第一电容C1的另一端均接地。还包括第一电压源E1，所述第一电压源E1串联在第一失效开关S1与地之间。
[0024]这样，当第一芯片失效时，第一芯片失效端口触发第一失效开关S1闭合(此时第二芯片正常，其端口触发第二失效开关S2保持常开状态)，输出第一电流I_fault_1(即通过第一电压源E1输出电流I_fault_1)，第一电流I_fault_1加载第一电阻R1的失效电压为V_fault_1＝V_R1＝I_fault_1*R1；同时失效电压添加到第一三极管Q1的VB端口，其基极电流Ib_Q1经过第一三极管Q1放大后得到Ie_Q1＝β*Ib_Q1。
[0025]所述第二失效检测模块2包括第二失效开关S2、第二电阻R2、第二电容C2和第二三极管Q2，所述第二失效开关S2的一端电连接第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端、第二三极管Q2的基极和第一三极管Q1的发射极，所述第二三极管Q2的集电极电连接第一三极管Q1的集电极，所述第二失效开关S2的另一端、第二电阻R2的另一端和第二电容C2的另一端均接地。还包括第二电压源E2，所述第二电压源E2串联在第二失效开关S2与地之间。
[0026]这样，当第一三极管Q1放大后得到Ie_Q1＝β*Ib_Q1时，第二芯片失效端口第二电阻R2的电压，由低电平0变化为V_fault_2＝V_R2＝Ie_Q1*R2，故第二芯片端同步检测到第一芯片的失效情况。
[0027]同时，由于电路为镜像对称关系，当第二芯片失效端口触发第二失效开关S2闭合(此时第一芯片正常，其端口触发第一失效开关S保持常开状态)，输出第二电流I_fault_2(即通过第一电压源E2输出电流I_fault_2)，第二电流I_fault_2加载第二电阻R2的失效电压为V_fault_2＝V_R2＝I_fault_2*R2；同时失效电压添加到第二三极管Q2的VB端口，其基极电流Ib_Q2经过第二三极管Q2放大后得到Ie_Q2＝β*Ib_Q2。
[0028]还包括电源VCC和第三电阻R3，所述电源VCC串联第三电阻R3后连接第一三极管Q1的集电极和第二三极管Q2的集电极。
[0029]这样，由于需实现第一三极管Q1放大状态工作时失效电压镜像输出，电源VCC串联第三电阻R3后连接第一三极管Q1的集电极和第二三极管Q2的集电极，失效电压V_fault_1间的关系如下：
[0030]R3<(V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镜像失效判断电路，其特征在于，包括用于检测第一芯片失效情况的第一失效检测模块(1)和用于检测第二芯片失效情况的第二失效检测模块(2)，所述第一失效检测模块(1)电连接第二失效检测模块(2)进而相互感知芯片失效情况。2.根据权利要求1所述的镜像失效判断电路，其特征在于，所述第一失效检测模块(1)包括第一失效开关S1、第一电阻R1、第一电容C1和第一三极管Q1，所述第一失效开关S1的一端电连接第一电阻R1的一端、第一电容C1的一端、第一三极管Q1的基极和第二失效检测模块(2)，所述第一三极管Q1的集电极电连接第二失效检测模块(2)，所述第一失效开关S1的另一端、第一电阻R1的另一端和第一电容C1的另一端均接地。3.根据权利要求2所述的镜像失效判断电路，其特征在于，所述第二失效检测模块(2)包括第二失效开关S2、第二电阻R2、第二电容C2和第二三极管Q2，所述第二失效开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：李耀聪，潘叶江，
申请(专利权)人：华帝股份有限公司，
类型：新型
国别省市：