交叉耦合结构制造技术

一种交叉耦合结构，包括腔体、盖板、若干谐振杆、飞杆和调螺。所述腔体包括底壁和自所述底壁外缘向上延伸的侧壁，所述盖板盖设于所述侧壁的顶端以在所述腔体和所述盖板之间形成收容空间。所述谐振杆包括安装于所述底壁上的第一谐振杆和第二谐振杆，所述第一谐振杆和所述第二谐振杆在所述收容空间内为彼此间隔设置。所述调螺包括自所述盖板的上方延伸入所述收容空间内的第一调螺，所述飞杆呈环形、固接于所述第一调螺的下端位置处且位于所述第一谐振杆和所述第二谐振杆之间。本实用新型专利技术交叉耦合结构的稳定性高、一致性好、结构简单、零件种类少、装配容易且交叉耦合效果好。装配容易且交叉耦合效果好。装配容易且交叉耦合效果好。

【技术实现步骤摘要】
交叉耦合结构


[0001]本技术涉及射频领域，尤其是一种容性耦合量能够调节的交叉耦合结构。

技术介绍

[0002]腔体滤波器作为一种频率选择装置被广泛应用。现有技术，腔体滤波器包括腔体、盖板、谐振杆，盖板封盖腔体，腔体内设有膈筋形成多个谐振腔，谐振杆通过螺钉固定在腔体底面的支撑柱上。通常采用在两个不相邻的谐振腔之间设置飞杆来实现交叉耦合从而对腔体滤波器通带外的杂波进行带外抑制。现有的飞杆设置是通过在腔体内的膈筋上形成卡槽，并通过与卡槽匹配的卡座将飞杆的中间区域固定住使得飞杆的两端悬设并靠近谐振杆，该设置方式中，飞杆依赖腔体内专设计的卡槽和卡座装配，使得腔体的制造加工及装配复杂化，并且由于卡槽设计的误差可能会导致飞杆的端部与谐振杆的相对位置发生较大的偏差，不利于实现良好的交叉耦合。
[0003]因此，有必要提供一种交叉耦合结构以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种交叉耦合结构，其结构简单、装配容易、稳定性高且一致性好。
[0005]本技术提供了一种交叉耦合结构，包括腔体、盖板、若干谐振杆、飞杆和调螺，所述腔体包括底壁和自所述底壁外缘向上延伸的侧壁，所述盖板盖设于所述侧壁的顶端以在所述腔体和所述盖板之间形成收容空间，所述谐振杆包括安装于所述底壁上的第一谐振杆和第二谐振杆，所述第一谐振杆和所述第二谐振杆在所述收容空间内为彼此间隔设置，所述调螺包括自所述盖板的上方延伸入所述收容空间内的第一调螺，所述飞杆呈环形、固接于所述第一调螺的下端位置处且位于所述第一谐振杆和所述第二谐振杆之间。
[0006]作为本技术进一步改进的技术方案，所述飞杆包括与所述第一调螺定位的中心孔以及围绕所述中心孔的外环面，所述外环面竖向延伸面向所述第一谐振杆和所述第二谐振杆。
[0007]作为本技术进一步改进的技术方案，所述谐振杆包括安装于所述底壁上的第三谐振杆，所述第三谐振杆与所述第一谐振杆、所述第二谐振杆均为相邻且间隔设置。
[0008]作为本技术进一步改进的技术方案，所述调螺包括安装于所述盖板上的第二调螺和第三调螺，所述第二调螺向下延伸且位于所述第一谐振杆和所述第三谐振杆之间，所述第三调螺向下延伸且位于所述第二谐振杆和所述第三谐振杆之间。
[0009]作为本技术进一步改进的技术方案，还包括安装于所述盖板上的第四调螺，以及将所述第一调螺、所述第二调螺、所述第三调螺和所述第四调螺锁紧在所述盖板上的螺母，所述第四调螺为三个且分别向下延伸入所述第一谐振杆、所述第二谐振杆和所述第三谐振杆的内部，所述底壁上一体成型设有三个支撑柱，所述第一谐振杆、所述第二谐振杆和所述第三谐振杆分别通过一个螺钉锁固在对应的所述支撑柱上。
[0010]作为本技术进一步改进的技术方案，所述第一谐振杆、所述第二谐振杆和所述第三谐振杆中的任意两个之间在所述腔体上设置有窗口。
[0011]作为本技术进一步改进的技术方案，所述腔体还包括自所述底壁向上凸出的突起部，所述突起部包括基体及自所述基体分别面向所述第一调螺、所述第二调螺、所述第三调螺侧向延伸的三个延伸臂，所述延伸臂与对应的所述侧壁之间形成所述窗口。
[0012]作为本技术进一步改进的技术方案，所述侧壁具有对应每一个所述延伸臂凸出或弯曲延伸的配合部，所述窗口形成于所述配合部和所述延伸臂之间。
[0013]本技术的有益效果为：本技术交叉耦合结构，通过将飞杆固接且环设于所述第一调螺的下端位置处且位于相邻的两个所述谐振杆之间，腔体内无需设计装配飞杆组件的卡槽，因此，本技术交叉耦合结构的稳定性高、一致性好、结构简单、零件种类少、装配容易；通过改变所述第一螺杆伸进腔内的长度、环形飞杆的直径或厚度，来改变容性耦合调节量，且调节灵敏从而实现良好的交叉耦合。
附图说明
[0014]图1为本技术交叉耦合结构的立体组合图；
[0015]图2为本技术交叉耦合结构的俯视图；
[0016]图3为沿图2中A
‑
A线的剖视图；
[0017]图4为本技术交叉耦合结构的部分立体分解图；
[0018]图5为本技术交叉耦合结构另一角度的部分立体分解图；
[0019]图6为本技术交叉耦合结构中上半部分的立体分解图；
[0020]图7为本技术交叉耦合结构中上半部分的另一立体分解图；
[0021]图8为本技术交叉耦合结构中下半部分的立体分解图；
[0022]图9为本技术交叉耦合结构中下半部分另一角度的立体分解图；
[0023]图10为本技术交叉耦合结构中腔体实施方式一的俯视图；
[0024]图11为本技术交叉耦合结构中腔体实施方式二的俯视图。
具体实施方式
[0025]请参考图1至图11，一种交叉耦合结构，包括腔体1、盖板2、若干谐振杆3、飞杆4和调螺5。
[0026]请参考图1至图11，特别参考图3和图4，所述腔体1包括底壁11和自所述底壁11外缘向上延伸的侧壁12，所述盖板2盖设于所述侧壁12的顶端以在所述腔体1和所述盖板2之间形成收容空间。
[0027]请参考图1至图11，特别参考图4至图7，所述谐振杆3包括安装于所述底壁11上的第一谐振杆31、第二谐振杆32和第三谐振杆33，所述第一谐振杆31和所述第二谐振杆32之间、所述第三谐振杆33和所述第一谐振杆31之间以及所述第三谐振杆33和所述第二谐振杆32之间均为相邻且间隔设置。
[0028]请参考图1至图11，特别参考图6，所述飞杆4呈环形，包括中心孔40以及围绕所述中心孔40的外环面41。所述飞杆4位于所述第一谐振杆31和所述第二谐振杆32之间且所述外环面41竖向延伸面向所述第一谐振杆31和所述第二谐振杆32，故，所述第一谐振杆31和
所述第二谐振杆32之间实现的是容性耦合；所述第三谐振杆33和所述第一谐振杆31之间以及所述第三谐振杆33和所述第二谐振杆32之间没有所述飞杆4，故，所述第三谐振杆33和所述第一谐振杆31之间以及所述第三谐振杆33和所述第二谐振杆32之间实现的是感性耦合。
[0029]请参考图1至图11，特别参考图3至图7，所述调螺5包括安装于所述盖板2上且自所述盖板2的上方延伸入所述收容空间内的第一调螺51、第二调螺52和第三调螺53。所述飞杆4通过所述中心孔40与所述第一调螺51定位且固接于所述第一调螺51的下端位置处，可以调节所述第一谐振杆31和所述第二谐振杆32之间的容性耦合量。所述第二调螺52仅向下延伸且位于所述第一谐振杆31和所述第三谐振杆33之间，没有固设所述飞杆4；所述第三调螺53向下延伸且位于所述第二谐振杆32和所述第三谐振杆33之间，亦没有固设所述飞杆4。故，调节所述第二调螺52和所述第三调螺53伸进腔内的深度，可以调节所述第三谐振杆33和所述第一谐振杆31之间以及所述第三谐振杆33和所述第二谐振杆32之间的感性耦合量。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叉耦合结构，包括腔体(1)、盖板(2)、若干谐振杆(3)、飞杆(4)和调螺(5)，所述腔体(1)包括底壁(11)和自所述底壁(11)外缘向上延伸的侧壁(12)，所述盖板(2)盖设于所述侧壁(12)的顶端以在所述腔体(1)和所述盖板(2)之间形成收容空间，所述谐振杆(3)包括安装于所述底壁(11)上的第一谐振杆(31)和第二谐振杆(32)，所述第一谐振杆(31)和所述第二谐振杆(32)在所述收容空间内为彼此间隔设置，其特征在于：所述调螺(5)包括自所述盖板(2)的上方延伸入所述收容空间内的第一调螺(51)，所述飞杆(4)呈环形、固接于所述第一调螺(51)的下端位置处且位于所述第一谐振杆(31)和所述第二谐振杆(32)之间。2.根据权利要求1所述的交叉耦合结构，其特征在于：所述飞杆(4)包括与所述第一调螺(51)定位的中心孔(40)以及围绕所述中心孔(40)的外环面(41)，所述外环面(41)竖向延伸面向所述第一谐振杆(31)和所述第二谐振杆(32)。3.根据权利要求1或2所述的交叉耦合结构，其特征在于：所述谐振杆(3)包括安装于所述底壁(11)上的第三谐振杆(33)，所述第三谐振杆(33)与所述第一谐振杆(31)、所述第二谐振杆(32)均为相邻且间隔设置。4.根据权利要求3所述的交叉耦合结构，其特征在于：所述调螺(5)包括安装于所述盖板(2)上的第二调螺(52)和第三调螺(53)，所述第二调螺(52)向下延伸且位于所述第一谐振杆(31)和所述第三谐振杆(33)之间，所述第三调螺(53)向...

【专利技术属性】
技术研发人员：张桂瑞，刘宇健，
申请(专利权)人：昆山立讯射频科技有限公司，
类型：新型
国别省市：