交叉耦合结构制造技术

一种交叉耦合结构，包括腔体、盖板、若干谐振杆、飞杆片和若干调螺。所述腔体包括底壁和自所述底壁外缘向上延伸的侧壁，所述腔体和所述盖板之间形成收容空间。所述谐振杆包括安装于所述底壁上的第一谐振杆和第二谐振杆，所述第一谐振杆和所述第二谐振杆在所述收容空间内为彼此间隔设置。所述飞杆片通过一体成型或焊接的方式固设于所述第一谐振杆上，所述飞杆片朝向所述第二谐振杆延伸且与所述第二谐振杆间隔一段距离。所述飞杆片设有过孔，所述调螺安装于所述盖板上，所述调螺包括第一调螺，所述第一调螺从所述过孔中穿过且与所述飞杆片之间没有接触。本实用新型专利技术交叉耦合结构的稳定性高、一致性好、结构简单、零件种类少、装配容易且交叉耦合效果好。容易且交叉耦合效果好。容易且交叉耦合效果好。

【技术实现步骤摘要】
交叉耦合结构


[0001]本技术涉及射频领域，尤其是一种容性耦合量能够调节的交叉耦合结构。

技术介绍

[0002]腔体滤波器作为一种频率选择装置被广泛应用。现有技术，腔体滤波器包括腔体、盖板和谐振杆，所述盖板封盖腔体，所述腔体内设有隔筋形成多个谐振腔，所述谐振杆通过螺钉固定在腔体底面的支撑柱上。通常采用在两个不相邻的谐振腔之间设置飞杆来实现交叉耦合从而对腔体滤波器通带外的杂波进行带外抑制。现有的飞杆设置是通过在腔体内的隔筋上形成卡槽，并通过与卡槽匹配的卡座将飞杆的中间区域固定住使得飞杆的两端悬设并靠近谐振杆，该设置方式中，飞杆依赖腔体内专设计的卡槽和卡座装配，使得腔体的制造加工及装配复杂化，并且由于卡槽设计的误差可能会导致飞杆的端部与谐振杆的相对位置发生较大的偏差，不利于实现良好的交叉耦合。
[0003]因此，有必要提供一种交叉耦合结构以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种交叉耦合结构，其结构简单、装配容易且能够实现良好的交叉耦合。
[0005]本技术提供了一种交叉耦合结构，一种交叉耦合结构，包括腔体、盖板、若干谐振杆、飞杆片和若干调螺，所述腔体包括底壁和自所述底壁外缘向上延伸的侧壁，所述盖板盖设于所述侧壁的顶端以在所述腔体和所述盖板之间形成收容空间，所述谐振杆包括安装于所述底壁上的第一谐振杆和第二谐振杆，所述第一谐振杆和所述第二谐振杆在所述收容空间内为彼此间隔设置，所述飞杆片通过一体成型或焊接的方式固设于所述第一谐振杆上，所述飞杆片朝向所述第二谐振杆延伸且末端与所述第二谐振杆间隔一段距离，所述飞杆片设有过孔，所述调螺安装于所述盖板上，所述调螺包括第一调螺，所述第一调螺从所述过孔中穿过且与所述飞杆片之间没有接触。
[0006]作为本技术进一步改进的技术方案，所述谐振杆包括安装于所述底壁上的第三谐振杆，所述第三谐振杆与所述第一谐振杆、所述第二谐振杆均为相邻且间隔设置。
[0007]作为本技术进一步改进的技术方案，所述调螺包括安装于所述盖板上的第二调螺和第三调螺，所述第二调螺向下延伸且位于所述第一谐振杆和所述第三谐振杆之间，所述第三调螺向下延伸且位于所述第二谐振杆和所述第三谐振杆之间。
[0008]作为本技术进一步改进的技术方案，还包括安装于所述盖板上的第四调螺以及将所述第一调螺、所述第二调螺、所述第三调螺和所述第四调螺锁紧在所述盖板上的螺母，所述第四调螺为三个且分别向下延伸入所述第一谐振杆、所述第二谐振杆和所述第三谐振杆的内部，所述底壁上一体成型设有三个支撑柱，所述第一谐振杆、所述第二谐振杆和所述第三谐振杆分别通过一个螺钉锁固在对应的所述支撑柱上。
[0009]作为本技术进一步改进的技术方案，所述第一谐振杆、所述第二谐振杆和所
述第三谐振杆中的任意两个之间在所述腔体上设置有窗口。
[0010]作为本技术进一步改进的技术方案，所述腔体还包括自所述底壁向上凸出的突起部，所述突起部包括基体及自所述基体分别面向所述第一调螺、所述第二调螺、所述第三调螺侧向延伸的三个延伸臂，所述延伸臂与对应的所述侧壁之间形成所述窗口。
[0011]作为本技术进一步改进的技术方案，所述侧壁具有对应每一个所述延伸臂凸出或弯曲延伸的配合部，所述窗口形成于所述配合部和所述延伸臂之间。
[0012]作为本技术进一步改进的技术方案，所述飞杆片包括横向延伸的片状基部和自所述片状基部竖向方向弯折延伸的至少一个片状耦合部，所述过孔设于所述片状基部上，所述片状耦合部面向所述第一谐振杆和/或所述第二谐振杆。
[0013]作为本技术进一步改进的技术方案，所述片状耦合部为一个且近距离间隔面向所述第二谐振杆，所述飞杆片自所述第一谐振杆的顶缘横向延伸成所述片状基部且自所述片状基部的末端竖向向下弯折延伸成所述片状耦合部。
[0014]作为本技术进一步改进的技术方案，所述片状耦合部为一个且近距离间隔面向所述第二谐振杆，所述飞杆片自所述第一谐振杆的侧壁横向延伸成所述片状基部且自所述片状基部的末端竖向向上弯折延伸成所述片状耦合部。
[0015]作为本技术进一步改进的技术方案，所述片状耦合部包括近距离间隔面向所述第一谐振杆的第一片状耦合部和近距离间隔面向所述第二谐振杆的第二片状耦合部，所述飞杆片自所述第一谐振杆的顶缘竖向向下弯折延伸成所述第一片状耦合部、自所述第一片状耦合部的末端横向弯折延伸成所述片状基部且自所述片状基部的末端竖向弯折延伸成所述第二片状耦合部。
[0016]本技术的有益效果为：本技术交叉耦合结构，通过将飞杆片一体成型或焊接在谐振杆上，腔体内无需设计卡槽与固设飞杆的卡座装配，因此，本技术交叉耦合结构的稳定性高、一致性好、结构简单、零件种类少、装配容易；通过改变片状飞杆的宽度或长度能够改变容性耦合的强弱，通过调螺伸进腔内的长度能够改变容性耦合和/或感性耦合的强弱从而实现良好的交叉耦合。
附图说明
[0017]图1为本技术交叉耦合结构的立体组合图；
[0018]图2为本技术交叉耦合结构的俯视图；
[0019]图3为沿图2中A
‑
A线的剖视图；
[0020]图4为本技术交叉耦合结构的部分立体分解图；
[0021]图5为本技术交叉耦合结构另一角度的部分立体分解图；
[0022]图6为本技术交叉耦合结构中飞杆片实施方式一的主视图；
[0023]图7为本技术交叉耦合结构中飞杆片实施方式二的主视图；
[0024]图8为本技术交叉耦合结构中飞杆片实施方式三的主视图；
[0025]图9为本技术交叉耦合结构中腔体实施方式一的俯视图；
[0026]图10为本技术交叉耦合结构中腔体实施方式二的俯视图。
具体实施方式
[0027]请参考图1至图10，一种交叉耦合结构，包括腔体1、盖板2、若干谐振杆3、飞杆片4和若干调螺5。
[0028]请参考图1至图10，特别参考图3和图4，所述腔体1包括底壁11和自所述底壁11外缘向上延伸的侧壁12，所述盖板2盖设于所述侧壁12的顶端以在所述腔体1和所述盖板2之间形成收容空间。
[0029]请参考图1至图10，特别参考图3，所述谐振杆3包括安装于所述底壁11上的第一谐振杆31、第二谐振杆32和第三谐振杆33，所述第一谐振杆31和所述第二谐振杆32之间、所述第三谐振杆33和所述第一谐振杆31之间以及所述第三谐振杆33和所述第二谐振杆32之间均为相邻且间隔设置。
[0030]请参考图1至图10，特别参考图3和图4，所述飞杆片4通过一体成型或焊接的方式固设于所述第一谐振杆31上，所述飞杆片4朝向所述第二谐振杆32延伸且末端与所述第二谐振杆32间隔一段距离。所述第一谐振杆31和所述第二谐振杆32之间设有所述飞杆片4，故，所述第一谐振杆31和所述第二谐振杆32之间实现的是容性耦合；所述第三谐振杆33和所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叉耦合结构，包括腔体(1)、盖板(2)、若干谐振杆(3)、飞杆片(4)和若干调螺(5)，所述腔体(1)包括底壁(11)和自所述底壁(11)外缘向上延伸的侧壁(12)，所述盖板(2)盖设于所述侧壁(12)的顶端以在所述腔体(1)和所述盖板(2)之间形成收容空间，所述谐振杆(3)包括安装于所述底壁(11)上的第一谐振杆(31)和第二谐振杆(32)，所述第一谐振杆(31)和所述第二谐振杆(32)在所述收容空间内为彼此间隔设置，其特征在于：所述飞杆片(4)通过一体成型或焊接的方式固设于所述第一谐振杆(31)上，所述飞杆片(4)朝向所述第二谐振杆(32)延伸且末端与所述第二谐振杆(32)间隔一段距离，所述飞杆片(4)设有过孔(40)，所述调螺(5)安装于所述盖板(2)上，所述调螺(5)包括第一调螺(51)，所述第一调螺(51)从所述过孔(40)中穿过且与所述飞杆片(4)之间没有接触。2.根据权利要求1所述的交叉耦合结构，其特征在于：所述谐振杆(3)包括安装于所述底壁(11)上的第三谐振杆(33)，所述第三谐振杆(33)与所述第一谐振杆(31)、所述第二谐振杆(32)均为相邻且间隔设置。3.根据权利要求2所述的交叉耦合结构，其特征在于：所述调螺(5)包括安装于所述盖板(2)上的第二调螺(52)和第三调螺(53)，所述第二调螺(52)向下延伸且位于所述第一谐振杆(31)和所述第三谐振杆(33)之间，所述第三调螺(53)向下延伸且位于所述第二谐振杆(32)和所述第三谐振杆(33)之间。4.根据权利要求3所述的交叉耦合结构，其特征在于：还包括安装于所述盖板(2)上的第四调螺(54)以及将所述第一调螺(51)、所述第二调螺(52)、所述第三调螺(53)和所述第四调螺(54)锁紧在所述盖板(2)上的螺母(6)，所述第四调螺(54)为三个且分别向下延伸入所述第一谐振杆(31)、所述第二谐振杆(32)和所述第三谐振杆(33)的内部，所述底壁(11)上一体成型设有三个支撑柱(13)，所述第一谐振杆(31)、所述第二谐振杆(32)和所述第三谐振杆(33)分别通过一个螺钉(7)锁固在对应的所述支撑柱(13)上。5.根据权利要求4所述的交叉耦合结构，其特征在于：所述第一谐振杆(31)、所述第二谐振杆(32)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张桂瑞，刘宇健，
申请(专利权)人：昆山立讯射频科技有限公司，
类型：新型
国别省市：