一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器制造技术

本申请涉及电感器加工技术领域，具体公开了一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器，加工工艺包括如下步骤：设置第一绝缘层；在绝缘基板处外加磁场，设置钛层、第一铜层；设置第一挂镀铜，形成电感线圈、正面电极；设置导热硅脂填充二氧化硅层、二氧化硅层，形成隔离层、第二绝缘层；在绝缘基板处外加磁场，设置第二铜层；设置第二挂镀铜，形成引出棒；加工两个背面电极；加工侧面电极，形成初成品；将初成品于温度130

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器


[0001]本申请涉及电感器加工
，尤其是涉及一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，电子系统向高频宽带化、高集成度方向发展，伴随着电子元器件向微型化发展，这无疑对电子元器件提出了更高的要求。电感器为电子元器件常见的一种，其是一种能够把电能转化为磁能而储存起来的元器件，常见的电感器主要有叠层电感器、绕线电感器、薄膜电感器。其中，薄膜电感器由于其在加工工艺中引入了磁性薄膜，具有较高电感量，而且还能够减小元器件的尺寸，同时还可以改善电感器的性能，从而被广泛的研究。
[0003]相关技术中的薄膜电感器加工工艺中，一般采用溅射的方式在绝缘基板表面溅射金属钛，形成钛层，之后溅射金属铜，形成第一铜层；然后通过负向感光膜在第一铜层表面挂镀第一挂镀铜，形成正面电极、电感线圈；之后通过感光油墨形成隔离层；然后通过采用溅射的方式，溅射金属铜，形成第二铜层，并通过负向感光膜在第一铜层表面挂镀第二挂镀铜，形成引出棒；之后加工背面电极、侧面电极，从而得到薄膜电感器。但是，申请人在实际加工中发现，钛层、第一铜层、第二铜层表面出现较多的团聚颗粒化，并影响薄膜电感器的性能。

技术实现思路

[0004]为了降低钛层、第一铜层、第二铜层表面出现团聚颗粒化的现象，并提高薄膜电感器的性能，本申请提供一种薄膜电感器加工工艺和薄膜电感器。
[0005]第一方面，本申请提供一种薄膜电感器加工工艺，采用如下的技术方案：一种薄膜电感器加工工艺，包括如下步骤：S1、在绝缘基板于设置正面电极的正面、于设置背面电极的背面、两个于设置侧面电极的侧面分别溅射二氧化硅，并形成第一绝缘层；S2、在绝缘基板背面间隔设置磁铁片，并于绝缘基板处形成外加磁场，然后在绝缘基板正面溅射金属钛，形成钛层，之后溅射金属铜，形成第一铜层；S3、在绝缘基板正面于第一铜层表面覆盖第一负向感光膜，并通过曝光的方式，将两个相对的正面电极图形、位于两个正面电极图形之间的电感图形分别留于第一负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去电感图形和正面电极图形处的第一负向感光膜；S4、通过挂镀的方式，在绝缘基板正面于正面电极图形和电感图形处的第一铜层表面挂镀第一挂镀铜；S5、通过去膜的方式，除去正面电极图形和电感图形以外的第一负向感光膜，然后通过化学蚀刻的方式，除去正面电极图形和电感图形以外的钛层、第一铜层，且于电感图形处形成电感线圈、于正面电极图形处形成正面电极；
S6、在绝缘基板正面于第一挂镀铜表面覆盖第二负向感光膜，并通过曝光的方式，将隔离图形留于第二负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去隔离图形处的第二负向感光膜；S7、在绝缘基板正面于隔离图形处溅射导热硅脂填充二氧化硅，形成导热硅脂填充二氧化硅层，然后溅射二氧化硅，形成二氧化硅层；S8、在绝缘基板正面于二氧化硅层表面覆盖第三负向感光膜，并通过曝光的方式，将隔离图形留于第三负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去隔离图形以外的第三负向感光膜，然后通过化学蚀刻的方式，除去隔离图形以外的二氧化硅层、导热硅脂填充二氧化硅层，之后通过去膜的方式，除去隔离图形以外的第二负向感光膜、隔离图形处的第三负向感光膜，且于隔离图形处形成隔离层、第二绝缘层；S9、在绝缘基板正面于第二绝缘层表面覆盖第四负向感光膜，并通过曝光的方式，将引出棒图形留于第四负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去引出棒图形处的第四负向感光膜；S10、在绝缘基板背面间隔设置磁铁片，并于绝缘基板处形成外加磁场，然后在绝缘基板正面溅射金属铜，形成第二铜层；S11、在绝缘基板正面于第二铜层表面覆盖第五负向感光膜，并通过曝光的方式，将引出棒图形留于第五负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去引出棒图形处的第五负向感光膜；S12、通过挂镀的方式，在绝缘基板正面于引出棒图形处的第二铜层表面挂镀第二挂镀铜；S13、通过去膜的方式，除去引出棒图形以外的第五负向感光膜，然后通过化学蚀刻的方式，除去引出棒图形以外的第二铜层，之后通过去膜的方式，除去引出棒图形以外的第四负向感光膜、引出棒图形处的第五负向感光膜，且于引出棒图形处形成引出棒；S14、在绝缘基板背面加工出两个背面电极；S15、在绝缘基板相对的两个侧面分别加工出侧面电极，且形成初成品；S16、将初成品于温度为130
‑
160℃的条件下，热处理0.5
‑
2h；其中，两个正面电极、两个背面电极、两个侧面电极一一对应，且所述侧面电极实现正面电极和背面电极的连接，所述引出棒一端穿过隔离层、第二绝缘层和电感线圈里面连接端连接，所述引出棒另一端和其中一个正面电极连接，所述电感线圈外面连接端穿过隔离层和剩余一个正面电极连接。
[0006]通过采用上述技术方案，申请人发现，在溅射金属钛、金属铜，且形成钛层、第一铜层、第二铜层时，加入外加磁场，有效的降低金属钛、金属铜出现团聚颗粒化的现象，从而降低钛层、第一铜层、第二铜层表面出现团聚颗粒化的现象，而且增加了钛层、第一铜层、第二铜层的结晶性，还提高了钛层、第一铜层、第二铜层的均匀性，减少钛层、第一铜层、第二铜层的缺陷，提高钛层、第一铜层、第二铜层的磁化强度，也提高薄膜电感器的性能。同时，申请人还发现，对钛层、第一铜层、第二铜层进行热处理后，能够使钛层、第一铜层、第二铜层实现非晶体向晶体转变，进一步提高薄膜电感器的性能。
[0007]本申请中，还在绝缘基板上设置第一绝缘层，有效提高第一绝缘层和绝缘基板的结合强度，而且第一绝缘层还能够有效的增加绝缘基板表面的粗糙度，结合钛层、第一铜层
之间的协同作用，提高其之间的结合强度，提高薄膜电感器加工的稳定性和良品率。同时，利用导热硅脂填充二氧化硅形成隔离层，利用二氧化硅形成第二绝缘层，通过其之间的协同作用，有效提高隔离层和第二绝缘层的结合强度，并进一步提高薄膜电感器加工的稳定性和良品率。
[0008]可选的，步骤S14具体为：Sa1、在绝缘基板正面间隔设置磁铁片，并于绝缘基板处形成外加磁场，然后在绝缘基板正面溅射金属钛，形成钛层，之后溅射金属铜，形成第一铜层；Sa2、在绝缘基板背面于第一铜层表面覆盖第六负向感光膜，并通过曝光的方式，将两个相对的背面电极图形留于第六负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去背面电极图形处的第六负向感光膜；Sa2、通过挂镀的方式，在绝缘基板背面于背面电极图形处的第一铜层表面挂镀第一挂镀铜；Sa4、通过去膜的方式，除去背面电极图形以外的第六负向感光膜，然后通过化学蚀刻的方式，除去背面电极图形以外的钛层、第一铜层，且于背面电极图形处形成背面电极。
[0009]通过采用上述技术方案，便于背面电极的加工，使背面电极具有加工简便、稳定的优点，提高了薄膜电感器的良品率，满足市场需求。
[0010]可选的，步骤S15具体为：Sb1、在绝缘基板侧面于第一绝缘层表面覆盖第七负向感光膜，并通过曝光的方式，将侧面电极图形留于第七负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去侧面电极图形处的第七负向感光膜；Sb2、在绝缘基板侧面间隔设置磁铁片，并于绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电感器加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、在绝缘基板(1)于设置正面电极(31)的正面、于设置背面电极(32)的背面、两个于设置侧面电极(33)的侧面分别溅射二氧化硅，并形成第一绝缘层(2)；S2、在绝缘基板(1)背面间隔设置磁铁片，并于绝缘基板(1)处形成外加磁场，然后在绝缘基板(1)正面溅射金属钛，形成钛层，之后溅射金属铜，形成第一铜层；S3、在绝缘基板(1)正面于第一铜层表面覆盖第一负向感光膜，并通过曝光的方式，将两个相对的正面电极图形、位于两个正面电极图形之间的电感图形分别留于第一负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去电感图形和正面电极图形处的第一负向感光膜；S4、通过挂镀的方式，在绝缘基板(1)正面于正面电极图形和电感图形处的第一铜层表面挂镀第一挂镀铜；S5、通过去膜的方式，除去正面电极图形和电感图形以外的第一负向感光膜，然后通过化学蚀刻的方式，除去正面电极图形和电感图形以外的钛层、第一铜层，且于电感图形处形成电感线圈(34)、于正面电极图形处形成正面电极(31)；S6、在绝缘基板(1)正面于第一挂镀铜表面覆盖第二负向感光膜，并通过曝光的方式，将隔离图形留于第二负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去隔离图形处的第二负向感光膜；S7、在绝缘基板(1)正面于隔离图形处溅射导热硅脂填充二氧化硅，形成导热硅脂填充二氧化硅层，然后溅射二氧化硅，形成二氧化硅层；S8、在绝缘基板(1)正面于二氧化硅层表面覆盖第三负向感光膜，并通过曝光的方式，将隔离图形留于第三负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去隔离图形以外的第三负向感光膜，然后通过化学蚀刻的方式，除去隔离图形以外的二氧化硅层、导热硅脂填充二氧化硅层，之后通过去膜的方式，除去隔离图形以外的第二负向感光膜、隔离图形处的第三负向感光膜，且于隔离图形处形成隔离层(4)、第二绝缘层(5)；S9、在绝缘基板(1)正面于第二绝缘层(5)表面覆盖第四负向感光膜，并通过曝光的方式，将引出棒图形留于第四负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去引出棒图形处的第四负向感光膜；S10、在绝缘基板(1)背面间隔设置磁铁片，并于绝缘基板(1)处形成外加磁场，然后在绝缘基板(1)正面溅射金属铜，形成第二铜层；S11、在绝缘基板(1)正面于第二铜层表面覆盖第五负向感光膜，并通过曝光的方式，将引出棒图形留于第五负向感光膜上，之后通过显影的方式，除去引出棒图形处的第五负向感光膜；S12、通过挂镀的方式，在绝缘基板(1)正面于引出棒图形处的第二铜层表面挂镀第二挂镀铜；S13、通过去膜的方式，除去引出棒图形以外的第五负向感光膜，然后通过化学蚀刻的方式，除去引出棒图形以外的第二铜层，之后通过去膜的方式，除去引出棒图形以外的第四负向感光膜、引出棒图形处的第五负向感光膜，且于引出棒图形处形成引出棒(35)；S14、在绝缘基板(1)背面加工出两个背面电极(32)；S15、在绝缘基板(1)相对的两个侧面分别加工出侧面电极(33)，且形成初成品；S16、将初成品于温度为130
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160℃的条件下，热处理0.5
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2h；
其中，两个正面电极(31)、两个背面电极(32)、两个侧面电极(33)一一对应，且所述侧面电极(33)实现正面电极(31)和背面电极(32)的连接，所述引出棒(35)一端穿过隔离层(4)、第二绝缘层(5)和电感线圈(34)里面连接端连接，所述引出棒(35)另一端和其中一个正面电极(31)连接，所述电感线圈(34)外面连接端穿过隔离层(4)和剩余一个正面电极(31)连接。2.根据权利要求1所述的一种薄膜电感器加工工艺，其特征在于：步骤S14具体为：Sa1、在绝缘基板(1)正面间隔设置磁铁片，并于绝缘基板(1)处形成外加磁场，然后在绝缘基板(1)正面溅射金属钛，形成钛层，之后溅射金属铜，形成第一铜层；Sa2、在绝缘基板(1)背面于第一铜层表面覆盖第六负向感光膜，并通过曝光的方式，将两个相对的背面电极图形留于第六负向感光膜上，之后通过显影的方式，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高涛，彭美华，邹松青，林素娟，
申请(专利权)人：合泰盟方电子深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：