一种栅栏型阵列电极的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种栅栏型阵列电极的制备方法，包括如下步骤：根据预设栅栏形状对原始块状试样进行切割以获取具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极；在具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极远离支撑底座的一端固定连接电导线；利用绝缘胶进行灌封，并使绝缘胶至少包覆整个具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极以及电导线与具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极之间的连接部位；固化绝缘胶并在绝缘胶固化后，去掉支撑底座以获取彼此绝缘的栅栏型阵列电极。本发明专利技术可以保留原始金属的微观组织结构分布特征，具有电极排列均匀规则的特点。均匀规则的特点。均匀规则的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种栅栏型阵列电极的制备方法


[0001]本专利技术涉及电化学测试
，具体而言，涉及一种栅栏型阵列电极的制备方法。

技术介绍

[0002]阵列电极基于微积分的原理，其将一个大面积电极分割成若干个微电极，然后将这些微电极重新组合排列、互相绝缘并进行封装来模拟大面积电极。各个微电极之间既能相互耦合作为大面积电极使用，给出大面积电极所提供的统计平均信号，又能作为独立的微小探头，分别测试微小区域的电化学参数，给出电化学参数的表面分布信息，进而表征电极表面的电化学不均匀性。从阵列电极的腐蚀电位/电流分布及其变化可以判别金属微区的腐蚀趋势差异，其具有常规电极和单个微电极都不能比拟的优越性。阵列电极还可以用来检测有机涂层的局部缺陷、材料表面的电化学腐蚀特征以及不同类型的局部腐蚀。
[0003]传统的阵列电极制备方法一般是先从原始金属中切取多个电极，然后再对多个电极打乱并进行重新排布。此种阵列电极制备方法会打乱原始金属的微观组织结构，不能真实反映原始金属样品的微观组织结构分布。

技术实现思路

[0004]基于此，为了解决传统阵列电极制备方法会打乱原始金属的微观组织结构，不能真实反映原始金属样品的微观组织结构分布的问题，本专利技术提供了一种栅栏型阵列电极的制备方法，其具体技术方案如下：
[0005]一种栅栏型阵列电极的制备方法，包括如下步骤：
[0006]根据预设栅栏形状对原始块状试样进行切割以获取具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极；
[0007]在所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极远离所述支撑底座的一端固定连接电导线；
[0008]利用绝缘胶进行灌封，并使所述绝缘胶至少包覆整个所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极以及所述电导线与所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极之间的连接部位；
[0009]固化所述绝缘胶并在所述绝缘胶固化后，去掉所述支撑底座以获取彼此绝缘的栅栏型阵列电极。
[0010]通过在原始块状试样中切割出具有预设高度支撑底座的栅栏型阵列电极并在灌封固化后再去除支撑底座以获取彼此绝缘的栅栏型阵列电极，所述栅栏型阵列电极的制备方法可以保留原始金属的微观组织结构分布特征，解决了传统阵列电极制备方法会打乱原始金属的微观组织结构，不能真实反映原始金属样品的微观组织结构分布的问题，具有电极排列均匀规则的特点。
[0011]进一步地，在所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极远离所述支撑底座
的一端固定连接电导线前，先对所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极进行超声清洗除油。
[0012]进一步地，所述切割包括线切割以及激光切割。
[0013]进一步地，通过锡焊或导电银胶在所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极远离所述支撑底座的一端固定连接电导线。
[0014]进一步地，在镶嵌模中利用绝缘胶对所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极进行灌封。
[0015]进一步地，所述镶嵌模由聚四氟乙烯制成。
[0016]进一步地，所述镶嵌模由橡胶制成。
[0017]进一步地，所述绝缘胶为环氧树脂。
[0018]进一步地，所述电导线为铜导线。
附图说明
[0019]从以下结合附图的描述可以进一步理解本专利技术。图中的部件不一定按比例绘制，而是将重点放在示出实施例的原理上。在不同的视图中，相同的附图标记指定对应的部分。
[0020]图1是本专利技术一实施例中一种栅栏型阵列电极的制备方法的整体流程示意图；
[0021]图2是本专利技术一实施例中一种栅栏型阵列电极的制备方法的原始块状试样、切割线以及支撑底座之间的结构关系示意图；
[0022]图3是本专利技术一实施例中一种栅栏型阵列电极的制备方法的栅栏型阵列电极与电导线之间的结构关系示意图；
[0023]图4是本专利技术一实施例中一种栅栏型阵列电极的制备方法的栅栏型阵列电极与镶嵌模之间的结构关系示意图；
[0024]图5是本专利技术一实施例中一种栅栏型阵列电极的制备方法的栅栏型阵列电极与绝缘胶之间的结构关系示意图一；
[0025]图6是本专利技术一实施例中一种栅栏型阵列电极的制备方法的栅栏型阵列电极与绝缘胶之间的结构关系示意图二；
[0026]图7是本专利技术一种栅栏型阵列电极的制备方法的原始块状试样的实物示意图；
[0027]图8是依据本专利技术一种栅栏型阵列电极的制备方法所制备的栅栏型阵列电极的实物示意图；
[0028]图9是根据本专利技术一种栅栏型阵列电极的制备方法所制备的栅栏型阵列电极所获得的表面腐蚀电流分布情况示意图；
[0029]图10是本专利技术一实施例中一种栅栏型阵列电极的制备方法的电化学测试示意图。
[0030]附图标记说明：
[0031]1、原始块状试样；2、切槽线；3、栅栏型阵列电极；4、支撑底座；5、电导线；6、连接部位；7、镶嵌模；8、绝缘胶；10、电解池；11、参比电极；12、多路自动开关；13、零阻电流计；14、电脑。
具体实施方式
[0032]为了使得本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合其实施例，对本
专利技术进行进一步详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围。
[0033]需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0034]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0035]本专利技术中所述“第一”、“第二”不代表具体的数量及顺序，仅仅是用于名称的区分。
[0036]如图1所示，本专利技术一实施例中的一种栅栏型阵列电极的制备方法，包括如下步骤：
[0037]第一步，根据预设栅栏形状对原始块状试样1进行切割以获取具有预设高度的支撑底座4的栅栏型阵列电极3。
[0038]具体而言，如图2所示，先在原始块状试样1上按照栅栏型阵列电极3的形状以及排布方式设计切槽线2，然后采用线切割、激光切割或者电化学加工等工艺，对原始块状试样1进行切槽以获取具有预设高度的支撑底座4的栅栏型阵列电极3。
[0039]所述预设高度可以根据实际需要进行设定，在此不再赘述。
[0040]第二步，如图3所示，在所述具有预设高度的支撑底座4的栅栏型阵列电极3远离所述支撑底座4的一端固定连接电导线5。
[0041]电导线5与具有预设高度的支撑底座4的栅栏型阵列电极3远离所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅栏型阵列电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：根据预设栅栏形状对原始块状试样进行切割以获取具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极；在所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极远离所述支撑底座的一端固定连接电导线；利用绝缘胶进行灌封，并使所述绝缘胶至少包覆整个所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极以及所述电导线与所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极之间的连接部位；固化所述绝缘胶并在所述绝缘胶固化后，去掉所述支撑底座以获取彼此绝缘的栅栏型阵列电极。2.如权利要求1所述的一种栅栏型阵列电极的制备方法，其特征在于，在所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极远离所述支撑底座的一端固定连接电导线前，先对所述具有预设高度的支撑底座的栅栏型阵列电极进行超声清洗除油。3.如权利要求1所述的一种栅栏型阵列电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雨，石常亮，郭鲤，周明俊，孙大翔，陈文龙，李扬，肖晓玲，
申请(专利权)人：广东省科学院工业分析检测中心，
类型：发明
国别省市：