一种基于MEMS技术的硅基SIW毫米波大功率功分器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于MEMS技术的硅基SIW毫米波大功率功分器，包括硅基板，设置于硅基板内的TSV过孔，由TSV过孔构成的SIW结构，设置于SIW内部的TSV过孔，设置于SIW结构与共面波导间的过渡微带，设置于金层上表面的开槽，设置于开槽上的氮化钽电阻，设置于输入输出端口的共面波导，还包括感性金属柱。本发明专利技术所公开的基于MEMS技术的硅基SIW毫米波大功率功分器具有体积小、加工精度高、易于集成、功率容量大、集成度高、设计自由度高、隔离度高、传输损耗低、回波损耗小等特点，可广泛应用在毫米波频段的大功率合成中。频段的大功率合成中。频段的大功率合成中。

【技术实现步骤摘要】
一种基于MEMS技术的硅基SIW毫米波大功率功分器


[0001]本专利技术涉及一种基于MEMS技术的硅基SIW毫米波大功率功分器，属于毫米波功率放大芯片合成


技术介绍

[0002]近年来，由于通信技术的飞速发展，微波及毫米波器件及系统的研究和开发受到了越来越广泛的关注。毫米波具有分辨率高、信息容量大、可利用频谱范围宽、抗干扰能力强等特性，并且由于毫米波波长短，因此对应的器件及系统体积小，更易于集成。
[0003]基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide，SIW)是一种新型微波、毫米波导波结构。这种结构在介质基片中按一定间隔排列多个金属化通孔的结构等效为波导光滑侧壁，从而与上下表面金属围成一个准封闭的导波结构，保持了金属波导的低插损、高功率容量等特点。这种平面集成传输线除了拥有和波导类似的传输特性，还兼有微带传输线的平面集成特性。因此SIW具有传输损耗小、Q值高、体积小、重量轻、结构简单、易于集成等特点，被广泛应用在毫米波电路和高集成度微波电路，诸如功分器、滤波器、环形器等。
[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于MEMS技术的硅基SIW毫米波大功率功分器，其特征在于，包括硅基板(1)、构成SIW结构的TSV过孔(3)、感性金属柱(4)、过渡微带(5)、开槽(6)、氮化钽电阻(7)和共面波导(8)；所述功分器的两个输出端口关于功分器的输入端口对称，SIW结构关于功分器的输入端口对称，输入端口设置于硅基板(1)上表面一侧，两个输出端口设置于与输入端口所在侧相对的另一侧；所述TSV过孔(3)设置于硅基板(1)内，且TSV过孔(3)连通硅基板(1)的上、下表面，在功分器的一个输入端口和两个输出端口均设置有共面波导(8)，过渡微带(5)设置于SIW结构与共面波导(8)之间，硅基板(1)的上表面覆有金层，所述开槽(6)设置于金层上表面，功分器的两个输出端口关于开槽(6)对称，开槽(6)的其中一端正对输入端口，感性金属柱(4)设置于开槽(6)的另一端与SIW结构的边缘之间，且功分器的两个输出端口关于感性金属柱(4)对称，氮化钽电阻(7)设置于开槽(6)上，氮化钽电阻(7)的两端分别与开槽(6)的两个长边相接触。2.根据权利要求1所述基于MEMS技术的硅基SIW毫米波大功率功分器，其特征在于，所述SIW结构中与输入端口或输出端口相接的那部分的宽度为W3，W3满足：式中，W
eff
为等效为金属波导时的宽度，D为TSV过孔的直径，b为相邻两个TSV过孔的孔中心间距；SIW结构中TE
10
模的截止频率为：式中，c为真空中光速，ε

【专利技术属性】
技术研发人员：朱啸宇，王晔，曹雪松，蔡传涛，
申请(专利权)人：中电国基南方集团有限公司，
类型：发明
国别省市：