偏移孔式多孔抛光垫制造技术

本发明专利技术提供了一种多孔聚氨酯抛光垫，包括具有大孔的多孔基体，大孔从基表面向上延伸并向上表面开口。大孔延伸到顶部抛光表面并包括具有竖直取向的下区段和上区段。下区段和上区段在水平方向上偏移。中等尺寸的孔具有柱形状和邻近于中间区段起源的竖直取向，小孔具有柱形状和在中等尺寸的孔之间起源的竖直取向。这些孔组合以增加抛光过程中抛光垫的压缩率和顶部抛光表面的接触面积。顶部抛光表面的接触面积。顶部抛光表面的接触面积。

【技术实现步骤摘要】
偏移孔式多孔抛光垫

技术介绍

[0001]本专利技术涉及化学机械抛光垫和形成抛光垫的方法。更具体地，本专利技术涉及多孔化学机械抛光垫和形成多孔抛光垫的方法。
[0002]在集成电路以及其他电子装置的制造中，将多层导电材料、半导电材料以及介电材料沉积到半导体晶片的表面上以及从半导体晶片的表面上移除。可以使用许多沉积技术来沉积导电材料、半导电材料以及介电材料的薄层。在现代晶片加工中常见的沉积技术包括尤其物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)、以及电化学镀覆。常见的移除技术包括尤其湿法和干法各向同性和各向异性刻蚀。
[0003]随着材料层被依次地沉积和移除，晶片的最上表面变成非平面的。因为后续的半导体加工(例如光刻)要求晶片具有平坦的表面，所以需要对晶片进行平坦化。平坦化用于移除不期望的表面形貌和表面缺陷，比如粗糙表面、附聚的材料、晶格损伤、划痕、以及被污染的层或材料。
[0004]化学机械平坦化、或化学机械抛光(CMP)是用于将工件(比如半导体晶片)平坦化或抛光的常见技术。在常规CMP中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多孔聚氨酯抛光垫，包括：多孔基体，所述多孔基体具有大孔、中等尺寸的孔和小孔，所述大孔从基表面向上延伸并向上表面开口，所述大孔与三级孔互连，所述大孔的一部分向顶部抛光表面开口，所述大孔的至少一部分延伸到所述顶部抛光表面并包括具有竖直取向的下区段和上区段以及连接所述下区段和所述上区段的中间区段，竖直是从所述基表面向上到所述抛光表面的正交方向，所述下区段和上区段在水平方向上偏移，所述中等尺寸的孔具有柱形状和邻近于所述中间区段起源的竖直取向，所述小孔具有柱形状和在所述中等尺寸的孔之间起源的竖直取向，其中，具有水平偏移的上区段和下区段的所述大孔、中等尺寸的孔和小孔组合以增加抛光过程中所述抛光垫的压缩率和所述顶部抛光表面的接触面积。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，大部分的所述中间区段在所述大孔的所述下区段和上区段之间形成水平分隔间隙。3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，大部分的所述中间区段在所述大孔的所述下区段和上区段之间形成水平重叠部。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中，所述中间区...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡薇雯，川端克昌，H，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：