提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置可包括第一栅电极、缓冲层、第一有源图案、源图案和漏图案、绝缘层、氧供给图案、第二有源图案、绝缘图案和第二栅电极，第一栅电极位于衬底上，缓冲层位于第一栅电极上，第一有源图案位于缓冲层上，与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体，源图案和漏图案分别位于第一有源图案的端部上，绝缘层与缓冲层上的源图案和漏图案重叠，氧供给图案位于绝缘层上，与第一有源图案重叠并且将氧供给到第一有源图案，第二有源图案位于绝缘层上并且与氧供给图案间隔开，第二有源图案包括沟道区以及源区和漏区，绝缘图案位于第二有源图案的沟道区上，第二栅电极位于绝缘图案上。二栅电极位于绝缘图案上。二栅电极位于绝缘图案上。
【技术实现步骤摘要】
显示装置及制造显示装置的方法
[0001]本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括晶体管的显示装置。
技术介绍
[0002]显示装置可包括像素和用于驱动像素的驱动器。像素和驱动器中的每个可包括晶体管。
[0003]布置有晶体管的区域可因显示装置的分辨率的增加和显示装置的死区的减小而减小。因此，可降低布置在相对狭窄空间中的晶体管的电特性。
技术实现思路
[0004]实施方式提供了包括具有改善的电特性的晶体管的显示装置。
[0005]实施方式提供了制造显示装置的方法以降低制造成本和制造时间。
[0006]根据实施方式的显示装置可包括第一栅电极、缓冲层、第一有源图案、源图案和漏图案、绝缘层、氧供给图案、第二有源图案、绝缘图案和第二栅电极，其中第一栅电极布置在衬底上，缓冲层布置在第一栅电极上，第一有源图案布置在缓冲层上，与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体，源图案和漏图案分别布置在第一有源图案的端部上，绝缘层与缓冲层上的源图案和漏图案重叠，氧供给图案布置在绝缘层上，与第一有源图案重叠并且将氧供给到第一有源图案，第二有源图案布置在绝缘层上并且与氧供给图案间隔开，并且第二有源图案包括沟道区以及分别布置在沟道区的端部上的源区和漏区，绝缘图案布置在第二有源图案的沟道区上，第二栅电极布置在绝缘图案上。
[0007]在实施方式中，氧供给图案和第二有源图案中的每个可包括氧化物半导体。
[0008]在实施方式中，氧供给图案、第二有源图案和第一有源图案可包括相同的材料。
[0009]在实施方式中，氧供给图案和第二有源图案中的每个可包括与第一有源图案的材料不同的材料。
[0010]在实施方式中，显示装置还可包括与绝缘层上的氧供给图案和第二栅电极重叠的层间绝缘层、布置在层间绝缘层上并且分别电连接到源图案和漏图案的第一源电极和第一漏电极，以及布置在层间绝缘层上并且分别电连接到源区和漏区的第二源电极和第二漏电极。
[0011]在实施方式中，显示装置还可包括布置在层间绝缘层上的平坦化层。第一源电极可包括布置在层间绝缘层上的第一下部源电极和布置在平坦化层上并且电连接到第一下部源电极的第一上部源电极。第一漏电极可包括布置在层间绝缘层上的第一下部漏电极和布置在平坦化层上并且电连接到第一下部漏电极的第一上部漏电极。第二源电极可包括布置在层间绝缘层上的第二下部源电极和布置在平坦化层上并且电连接到第二下部源电极的第二上部源电极。第二漏电极可包括布置在层间绝缘层上的第二下部漏电极和布置在平坦化层上并且电连接到第二下部漏电极的第二上部漏电极。
[0012]在实施方式中，显示装置还可包括保护层，该保护层布置在层间绝缘层与平坦化
层之间，并且与第一下部源电极、第一下部漏电极、第二下部源电极和第二下部漏电极重叠。
[0013]在实施方式中，显示装置还可包括布置在层间绝缘层上的平坦化层。第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极可布置在平坦化层上。
[0014]在实施方式中，显示装置还可包括布置在衬底与缓冲层之间并且与第二有源图案重叠的导电图案。
[0015]在实施方式中，导电图案可电连接至第二源电极或第二栅电极。
[0016]在实施方式中，显示装置还可包括布置在衬底与缓冲层之间并且电连接到第一漏电极的数据线。
[0017]在实施方式中，显示装置还可包括布置在衬底与缓冲层之间并且电连接到第二漏电极的驱动电压线。
[0018]根据实施方式的显示装置可包括第一晶体管、氧供给图案以及第二晶体管，其中第一晶体管布置在衬底上并且具有底栅结构，第一晶体管包括包含有氧化物半导体的第一有源图案，氧供给图案布置在第一有源图案上并且将氧供给到第一有源图案，第二晶体管布置在衬底上并且具有顶栅结构，第二晶体管包括第二有源图案。氧供给图案和第二有源图案可布置在相同的层上。
[0019]在实施方式中，显示装置还可包括像素和扫描驱动器，其中像素包括像素电路和电连接到像素电路的发光元件，扫描驱动器将扫描信号供给到像素电路。
[0020]在实施方式中，像素电路可包括第一晶体管和第二晶体管。
[0021]在实施方式中，第二晶体管可电连接到发光元件。
[0022]在实施方式中，扫描驱动器可包括第一晶体管和第二晶体管。
[0023]根据实施方式的制造显示装置的方法可包括在衬底上形成第一栅电极，在第一栅电极上形成缓冲层，在缓冲层上形成与第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体的第一有源图案，在第一有源图案的端部上分别形成源图案和漏图案，在缓冲层上形成与源图案和漏图案重叠的绝缘层，在绝缘层上同时形成与第一有源图案重叠的氧供给图案以及与氧供给图案间隔开的第二有源图案，在第二有源图案上形成绝缘图案，以及在绝缘图案上形成第二栅电极。
[0024]在实施方式中，方法还可包括在形成氧供给图案之后和形成绝缘图案之前，对氧供给图案进行热处理以将氧从氧供给图案供给到第一有源图案。
[0025]在实施方式中，可通过使用半色调掩模的光刻工艺来形成第一有源图案、源图案和漏图案。
[0026]根据实施方式的显示装置可包括布置在具有底栅结构的第一晶体管的第一有源图案上的氧供给图案，氧供给图案和具有底栅结构的第二晶体管的第二有源图案布置在相同的层上，并且氧供给图案可将氧供给到第一有源图案。因此，可改善第一晶体管的电特性。
[0027]在根据实施方式的制造显示装置的方法中，可基本上同时形成氧供给图案和第二有源图案。因此，可不需要用于形成氧供给图案的附加过程，并且可降低显示装置的制造成本和制造时间。
附图说明
[0028]通过结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解说明性、非限制性的实施方式。
[0029]图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性平面视图。
[0030]图2是示出根据实施方式的像素的示意性电路图。
[0031]图3是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
[0032]图4是示出根据实施方式的扫描驱动器的示意性剖面视图。
[0033]图5A、图5B、图5C、图5D、图5E、图5F、图5G、图5H、图5I和图5J是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖面视图。
[0034]图6是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
[0035]图7是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
[0036]图8是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖面视图。
[0037]图9是示出根据实施方式的像素的示意性剖面视图。
具体实施方式
[0038]在下文中，将参照附图详细解释根据实施方式的显示装置和制造显示装置的方法。
[0039]除非在本文中另有限定或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属
的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明书中清楚限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些，应被解释为具有与本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：第一栅电极，所述第一栅电极布置在衬底上；缓冲层，所述缓冲层布置在所述第一栅电极上；第一有源图案，所述第一有源图案布置在所述缓冲层上，与所述第一栅电极重叠并且包括氧化物半导体；源图案和漏图案，所述源图案和所述漏图案分别布置在所述第一有源图案的端部上；绝缘层，所述绝缘层与所述缓冲层上的所述源图案和所述漏图案重叠；氧供给图案，所述氧供给图案布置在所述绝缘层上，与所述第一有源图案重叠并且将氧供给到所述第一有源图案；第二有源图案，所述第二有源图案布置在所述绝缘层上并且与所述氧供给图案间隔开，所述第二有源图案包括：沟道区；以及源区和漏区，所述源区和所述漏区分别布置在所述沟道区的端部上；绝缘图案，所述绝缘图案布置在所述第二有源图案的所述沟道区上；以及第二栅电极，所述第二栅电极布置在所述绝缘图案上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧供给图案和所述第二有源图案中的每个包括氧化物半导体。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述氧供给图案、所述第二有源图案和所述第一有源图案包括相同的材料。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述氧供给图案和所述第二有源图案中的每个包括与所述第一有源图案的材料不同的材料。5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述绝缘层上的所述氧供给图案和所述第二栅电极重叠；第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极布置在所述层间绝缘层上并且分别电连接到所述源图案和所述漏图案；以及第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极布置在所述层间绝缘层上并且分别电连接到所述源区和所述漏区。6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括布置在所述层间绝缘层上的平坦化层，其中，所述第一源电极包括：第一下部源电极，所述第一下部源电极布置在所述层间绝缘层上；以及第一上部源电极，所述第一上部源电极布置在所述平坦化层上并且电连接到所述第一下部源电极，所述第一漏电极包括：第一下部漏电极，所述第一下部漏电极布置在所述层间绝缘层上；以及第一上部漏电极，所述第一上部漏电极布置在所述平坦化层上并且电连接到所述第一下部漏电极，所述第二源电极包括：
第二下部源电极，所述第二下部源电极布置在所述层间绝缘层上；以及第二上部源电极，所述第二上部源电极布置在所述平坦化层上并且电连接到所述第二下部源电极，并且所述第二漏电极包括：第二下部漏电极，所述第二下部漏电极布置在所述层间绝缘层上；以及第二上部漏电极，所述第二上部漏电极布置在所述平坦化层上并且电连接到所述第二下部漏电极。7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：保护层，所述保护层布置在所述层间绝缘层与所述平坦化层之间并且与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴晙晳，金明花，金兑相，文然建，朴根彻，林俊亨，崔惠临，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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