显示装置制造方法及图纸

本申请涉及包括具有增加的电子或空穴的迁移率的薄膜晶体管的显示装置。该显示装置包括：第一半导体层，布置在衬底上并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一应变器，布置在衬底和第一半导体层之间，并且在平面图中与第一源极区重叠；第二应变器，布置在衬底和第一半导体层之间，并且在平面图中与第一漏极区重叠，其中第二应变器与第一应变器间隔开；栅极绝缘层，布置在第一半导体层上；以及第一栅电极，布置在栅极绝缘层上并且在平面图中与第一半导体层重叠。与第一半导体层重叠。与第一半导体层重叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月22日提交的第10
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2020
‑
0048851号韩国专利申请的优先权、以及从其产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。


[0003]一个或多个实施方式涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种包括具有增加的电子或空穴的迁移率的薄膜晶体管的显示装置。

技术介绍

[0004]显示装置可视地显示数据。显示装置可以用于诸如移动电话的小尺寸产品或诸如电视的大尺寸产品中。
[0005]显示装置包括多个像素，所述多个像素接收电信号并发射光以向外部显示图像。像素中的每个包括发光元件。例如，有机发光显示装置包括有机发光二极管作为发光元件。通常，在有机发光显示装置中，薄膜晶体管和有机发光二极管布置在衬底上，并且有机发光二极管自身发光。
[0006]近来，随着显示装置的使用已增加，已经开发了用于改善其质量的各种设计。

技术实现思路

[0007]在现有的显示装置中，薄膜晶体管中的电子或空穴的迁移率不适于显示装置的高速驱动。
[0008]为了解决包括以上问题的各种问题，一个或多个实施方式包括这样的显示装置：其包括具有增加的电子或空穴的迁移率的薄膜晶体管。然而，该目的仅是示例，并且本公开的范围不由此限制。
[0009]另外的方面将在随后的说明书中部分地阐述，并且部分地将从说明书中显而易见，或者可以通过本公开的所呈现的实施方式的实践而习得。/>[0010]根据一个或多个实施方式，显示装置包括：第一半导体层，布置在衬底上并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一应变器，布置在衬底和第一半导体层之间，并且在平面图中与第一源极区重叠；第二应变器，布置在衬底和第一半导体层之间，并且在平面图中与第一漏极区重叠，其中第二应变器与第一应变器间隔开；栅极绝缘层，布置在第一半导体层上；以及第一栅电极，布置在栅极绝缘层上并且在平面图中与第一半导体层重叠。
[0011]显示装置还可以包括：缓冲层，布置在衬底和第一应变器之间，并且限定第一凹槽和第二凹槽，其中，第一应变器的一部分可以被掩埋在第一凹槽中，以及第二应变器的一部分可以被掩埋在第二凹槽中。
[0012]显示装置还可以包括：缓冲层，布置在衬底和第一应变器之间，并且限定暴露衬底的一部分的第一通孔和第二通孔，其中，第一应变器的一部分可以被掩埋在第一通孔中，以及第二应变器的一部分可以被掩埋在第二通孔中。
[0013]在厚度方向上从衬底的底表面到第一沟道区的顶表面的距离可以小于从衬底的底表面到第一源极区的顶表面的距离。
[0014]第一薄膜晶体管可以包括第一半导体层和第一栅电极，其中第一薄膜晶体管可以是开关薄膜晶体管。
[0015]第一应变器和第二应变器中的每个可以具有压缩膜应力。
[0016]第一应变器中的材料的颗粒之间的距离和第二应变器中的材料的颗粒之间的距离各自可以大于第一半导体层中的材料的颗粒之间的距离。
[0017]根据一个或多个实施方式，显示装置包括：第一半导体层，布置在衬底上并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第三应变器，布置在衬底和第一半导体层之间，并且在平面图中与第一半导体层重叠；第一栅极绝缘层，布置在第一半导体层上；以及第一栅电极，布置在第一栅极绝缘层上，并且在平面图中与第一半导体层重叠；其中，第一半导体层中的材料的颗粒之间的距离不同于第三应变器中的材料的颗粒之间的距离。
[0018]显示装置还可以包括：第二半导体层，布置在衬底上并包括第二沟道区、第二源极区和第二漏极区；第二栅极绝缘层，布置在第一栅极绝缘层和第一栅电极上；以及第二栅电极，布置在第二栅极绝缘层上并且在平面图中与第二半导体层重叠，其中，第一栅极绝缘层可以布置在第二半导体层上。
[0019]第一薄膜晶体管可以包括第一半导体层和第一栅电极，并且第二薄膜晶体管可以包括第二半导体层和第二栅电极，其中第一薄膜晶体管可以是开关薄膜晶体管，并且第二薄膜晶体管可以是驱动薄膜晶体管。
[0020]显示装置还可以包括：第二半导体层，布置在衬底上，并包括第二沟道区、第二源极区和第二漏极区；第四应变器，布置在衬底和第二半导体层之间，并且在平面图中与第二半导体层重叠，其中第四应变器可以与第三应变器间隔开；以及第二栅电极，布置在第一栅极绝缘层上并且在平面图中与第二半导体层重叠；其中，第二半导体层中的材料的颗粒之间的距离不同于第四应变器中的材料的颗粒之间的距离。
[0021]第三应变器和第四应变器可以被图案化。
[0022]显示装置还可以包括：第五应变器，布置在第二半导体层上且在平面图中与第二半导体层重叠，其中，第五应变器与第三应变器和第四应变器间隔开。
[0023]第四应变器和第五应变器可以具有不同类型的膜应力。
[0024]第三应变器和第四应变器可以各自具有压缩膜应力，并且第五应变器可以具有拉伸膜应力。
[0025]第三应变器可以包括被孤离的图案。
[0026]第三应变器可以具有压缩或拉伸膜应力。
[0027]第三应变器中的材料的颗粒之间的距离可以大于第一半导体层中的材料的颗粒之间的距离。
[0028]根据一个或多个实施方式，显示装置包括：第二半导体层，布置在衬底上并包括硅半导体材料；第一栅极绝缘层，布置在第二半导体层上；第二栅电极，布置在第一栅极绝缘层上并且在平面图中与第二半导体层重叠；绝缘层，布置在第二栅电极上；第三半导体层，布置在绝缘层上并包括第三沟道区、第三源极区和第三漏极区，其中第三半导体层包括氧化物半导体材料；第六应变器，布置在绝缘层和第三半导体层之间并且在平面图中与第三
半导体层重叠；第二栅极绝缘层，布置在第三半导体层上；以及第三栅电极，布置在第二栅极绝缘层上并且在平面图中与第三半导体层重叠，其中，第三半导体层中的材料的颗粒之间的距离不同于第六应变器中的材料的颗粒之间的距离。
[0029]第六应变器可以具有拉伸膜应力。
[0030]通过附图、权利要求和详细描述，本公开的其它方面、特征和有益效果将变得更好理解。
附图说明
[0031]根据以下结合附图的描述，本公开的特定实施方式的以上和其它方面、特征和有益效果将变得更加显而易见，在附图中：
[0032]图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
[0033]图2是根据实施方式的显示装置中的像素的等效电路图；
[0034]图3是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
[0035]图4是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
[0036]图5是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
[0037]图6是示出根据实施方式的空穴的迁移率的变化的曲线图；
[0038]图7A和图7B是示出根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；
[0039本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示装置，包括：第一半导体层，布置在衬底上并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一应变器，布置在所述衬底和所述第一半导体层之间，并且在平面图中与所述第一源极区重叠；第二应变器，布置在所述衬底和所述第一半导体层之间，并且在所述平面图中与所述第一漏极区重叠，所述第二应变器与所述第一应变器间隔开；栅极绝缘层，布置在所述第一半导体层上；以及第一栅电极，布置在所述栅极绝缘层上并且在所述平面图中与所述第一半导体层重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：缓冲层，布置在所述衬底和所述第一应变器之间，并且限定第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一应变器的一部分被掩埋在所述第一凹槽中，以及所述第二应变器的一部分被掩埋在所述第二凹槽中。3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：缓冲层，布置在所述衬底和所述第一应变器之间，并且限定第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔二者暴露所述衬底的一部分，其中，所述第一应变器的一部分被掩埋在所述第一通孔中，以及所述第二应变器的一部分被掩埋在所述第二通孔中。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在厚度方向上从所述衬底的底表面到所述第一沟道区的顶表面的距离小于从所述衬底的所述底表面到所述第一源极区的顶表面的距离。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一应变器中的材料的颗粒之间的距离和所述第二应变器中的材料的颗粒之间的距离各自大于所述第一半导体层中的材料的颗粒之间的距离。6.显示装置，包括：第一半导体层，布置在衬底上并且包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第三应变器，布置在所述衬底和所述第一半导体层之间，并且在平面图中与所述第一半导体层重叠；第一栅极绝缘层，布置在所述第一半导体层上；以及第一栅电极，布置在所述第一栅极绝缘层上，并且在所述平面图中与所述第一半导体层重叠；其中，所述第一半导体层中的材料的颗粒之间的距离不同于所述第三应变器中的材料的颗粒之间的距离。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：金埈焕，金兑映，朴锺宇，林基主，黄贤澈，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：