摄像元件制造技术

本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备多个像素。多个像素中的各个像素包括第1光电转换层、第1像素电极、第2光电转换层、第2像素电极、第3光电转换层、第3像素电极、第1对置电极及第2对置电极。第1像素电极、第1光电转换层、第1对置电极、第2光电转换层、第2像素电极、第2对置电极、第3光电转换层及第3像素电极按照该顺序配置。照该顺序配置。照该顺序配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像元件


[0001]本公开涉及摄像元件。

技术介绍

[0002]以往，利用了光电转换的摄像元件被广泛使用。
[0003]专利文献1公开了具有多个光电转换膜的摄像元件。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2005
‑
268471号公报

技术实现思路

[0007]本专利技术所要解决的课题
[0008]摄像元件的1个课题在于提高画质。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备多个像素。
[0011]所述多个像素中的各个像素包括：
[0012]第1光电转换层，将光转换为第1电荷；
[0013]第1像素电极，收集所述第1电荷；
[0014]第2光电转换层，被配置在所述第1光电转换层的下方，将光转换为第2电荷；
[0015]第2像素电极，收集所述第2电荷；
[0016]第3光电转换层，被配置在所述第2光电转换层的下方，将光转换为第3电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像元件，具备多个像素，所述多个像素中的各个像素包括：第1光电转换层，将光转换为第1电荷；第1像素电极，收集所述第1电荷；第2光电转换层，被配置在所述第1光电转换层的下方，将光转换为第2电荷；第2像素电极，收集所述第2电荷；第3光电转换层，被配置在所述第2光电转换层的下方，将光转换为第3电荷；第3像素电极，收集所述第3电荷；第1对置电极，被配置在所述第1光电转换层与所述第2光电转换层之间；以及第2对置电极，被配置在所述第2光电转换层与所述第3光电转换层之间，所述第1像素电极、所述第1光电转换层、所述第1对置电极、所述第2光电转换层、所述第2像素电极、所述第2对置电极、所述第3光电转换层及所述第3像素电极按照该顺序配置。2.如权利要求1所述的摄像元件，所述第1对置电极比所述第2对置电极厚。3.如权利要求1所述的摄像元件，所述第2对置电极比所述第1对置电极厚。4.如权利要求1所述的摄像元件，所述第1对置电极比所述第1像素电极厚。5.如权利要求1所述的摄像元件，所述第1对置电极比所述第2像素电极厚。6.如权利要求1所述的摄像元件，所述第2对置电极比所述第3像素电极厚。7.如权利要求1至6中任一项所述的摄像元件，所述摄像元件还具备半导体基板，所述第1像素电极包括：第1积蓄电极，使所述第1电荷积蓄于所述第1光电转换层；以及第1读出电极，与所述半导体基板电连接，所述第2像素电极包括：第2积蓄电极，使所述第2电荷积蓄于所述第2光电转换层；以及第2读出电极，与所述半导体基板电连接，所述第3像素电极包括：第3积蓄电极，使所述第3电荷积蓄于所述第3光电转换层；以及第3读出电极，与所述半导体基板电连接。8.一种摄像元件，具...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤好弘，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：