一种张应变可逆动态调控的MA制造技术

本发明专利技术公开了一种张应变可逆动态调控的MA

【技术实现步骤摘要】
一种张应变可逆动态调控的MA
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PbI3单晶薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及钙钛矿光电功能材料领域，具体涉及一种张应变可逆动态调控的MA
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PbI3(0.6≤x≤1)单晶薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着硅太阳能电池的效率越来越接近理论极限，寻找新型的光伏材料以研制性能更优良、功能更丰富的太阳能电池已成为目前的研究热点。有机-无机杂化钙钛矿材料如甲胺铅碘(MAPbI3)和甲醚铅碘(FAPbI3)作为吸光层的新型太阳能电池近些年得到广泛的关注并且发展迅速，目前它们的最高效率已经达到23％，与硅太阳能电池效率非常接近，并且还有较大的提升空间。为了进一步提升杂化钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，一个重要途径就是减少电子和空穴在传输过程中的复合来提高载流子运输的效率。在MA
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PbI3(0.6≤x≤1)薄膜中，不可避免地存在一些缺陷，如存在I-离子缺陷，那么在I-离子周围会产生一个很小尺度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种张应变可逆动态调控的MA
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PbI3单晶薄膜的制备方法，其特征在于，采用厚度为2nm~220nm的MA
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PbI3单晶薄膜，0.6≤x≤1，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量，诱导该单晶薄膜从高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变，获得具有强铁电性的MA
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PbI3单晶薄膜。2.一种张应变可逆动态调控的MA
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PbI3单晶薄膜的制备方法，其特征在于，采用厚度为2nm~220nm的(001)
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晶面的MA
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PbI3单晶薄膜，0.6≤x≤1，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量，诱导该单晶薄膜从高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变，获得具有强铁电性的MA
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PbI3单晶薄膜。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，厚度为2nm~220nm的MA
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PbI3单晶薄膜首先通过溶液法制备出MA
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PbI3单晶，再使用聚焦离子束法将所得单晶减薄。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，厚度为2nm~220nm的(001)
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晶面的MA
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PbI3单晶薄膜首先通过溶液法制备出(001)
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晶面的MA
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PbI3单晶，再使用聚焦离子束法将所得单晶减薄。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用环氧树脂胶将MA
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PbI3单晶薄膜粘贴在聚酰亚胺柔性衬底上，固定于拉伸装置上，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量。6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用环氧树脂胶将MA
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【专利技术属性】
技术研发人员：朱逸，吕兴杰，袁国亮，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：