具有光放大器的光子发射器制造技术

实施例可以涉及一种光发射器，其包括：激光器，用于产生光信号；调制器，用于将数据编码到所述光信号中以产生光数据信号。所述光发射器还可以包括放大器，用于放大所述光数据信号的功率，以产生输出信号。可以描述和要求保护其他实施例。其他实施例。其他实施例。

【技术实现步骤摘要】
具有光放大器的光子发射器

技术介绍

[0001]硅光子学高功率光学设备(例如，混合激光器)中的一个挑战是如何避免或消除由在激光器腔内部和光学设备的III
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V材料与硅之间的高注入电流和高光功率的组合所引起的灾难性光学损伤(COD)。通常，COD可能与光波导内部的光功率密度有关或基于光波导内部的光功率密度，并且COD的风险可能随着发射器的光功率的增大而增大。另一个挑战可能是由于各种因素，在更复杂的集成硅光子学设备中可能期望增大的光功率。
附图说明
[0002]图1描绘了根据各种实施例的示例光发射器。
[0003]图2描绘了根据各种实施例的替代示例光发射器。
[0004]图3描绘了根据各种实施例的替代示例光发射器。
[0005]图4描绘了根据各种实施例的替代示例光发射器。
[0006]图5描绘了根据各种实施例的替代示例光发射器。
[0007]图6描绘了根据各种实施例的替代示例光发射器。
[0008]图7描绘了根据各种实施例的替代示例光发射器。
[0009]图8描绘了根据各种实施例的替代本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光发射器，包括：激光器，用于产生功率在10和40毫瓦(mW)之间的光信号；调制器，用于将数据编码到所述光信号中以产生光数据信号；以及放大器，用于放大所述光数据信号的功率，以产生参照一毫瓦(dBm)具有至少10分贝的功率的输出信号。2.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述激光器或所述放大器在所述光发射器的硅衬底上包括III
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V材料。3.根据权利要求2所述的光发射器，其中，所述III
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V材料包括量子点结构。4.根据权利要求2所述的光发射器，其中，所述III
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V材料包括多量子阱(MQW)结构。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的光发射器，其中，所述光数据信号的所述功率小于所述光信号的所述功率。6.根据权利要求1
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4中任一项所述的光发射器，其中，所述放大器用于将所述光数据信号的所述功率放大至少4分贝(dB)。7.一种电子设备，包括：有源元件，用于产生数据信号；以及光发射器，用于产生参照一毫瓦(dBm)具有至少5分贝的功率的输出信号，其中，所述光发射器包括：衬底；与所述衬底耦合的激光器，其中，所述激光器用于产生功率在10和40毫瓦(mW)之间的光信号；与所述衬底耦合的调制器，其中，所述调制器的输入端与所述激光器的输出端通信耦合，并且其中，所述调制器用于将所述数据信号编码到所述光信号中，以产生功率小于所述光信号的所述功率的光数据信号；以及与所述衬底耦合的半导体光放大器(SOA)，其中，所述SOA的输入端与所述调制器的输出端通信耦合，并且其中，所述SOA用于放大所述光数据信号的所述功率以产生所述输出信号，并且其中，所述SOA包括III
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V材料。8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述SOA具有弯曲的轮廓。9.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述SOA具有锥形轮廓。10.根据权利要求7
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【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：