一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件技术

本申请提供一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件，复合薄膜结构包括衬底层，形成在所述衬底层顶表面上的第一复合隔离层，及形成在所述第一复合隔离层上的至少两个薄膜层；相邻两个薄膜层之间设有第二隔离层；所述第一复合隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层；其中，所述薄膜层用于传输信号，所述第一复合隔离层和所述第二隔离层用于防止信号泄露。在衬底层与第一薄膜层之间设置具有至少两个堆叠的子隔离层的第一复合隔离层。相比于现有技术中，只采用单层隔离层的方式，第一复合隔离层能够将第一薄膜层传输的信号隔离，防止信号泄露到衬底层。泄露到衬底层。泄露到衬底层。

【技术实现步骤摘要】
一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件


[0001]本申请属于半导体元件制备领域，特别涉及一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件。

技术介绍

[0002]铌酸锂晶体是集成光学应用最多的一种晶体材料，因为其自身具有多种优良的光学性能，如压电、铁电、光电、光弹、热释电、光折变和非线性等光学性质，已被广泛应用于电光调制器、声表面波器件、薄膜体声波谐振器、光电传感器等各种核心电子元器件。
[0003]例如，在电光调制器中，包括衬底层和层叠于所述衬底层上的单层铌酸锂薄膜层，其中，铌酸锂薄膜层用于传输光信号，为了避免光泄露到衬底层中，现有技术中，在衬底层与铌酸锂薄膜层之间设置一层隔离层，但是，当电光调制器同时输入不同模式的光时，如果薄膜层的折射率较大，入射角小的光易从折射率大的薄膜层进入隔离层中，进而导致光传输损耗增加。
[0004]因此，现亟需一种能够降低铌酸锂薄膜层光传输损耗的隔离层结构。

技术实现思路

[0005]为解决现有技术中，如果薄膜层的折射率较大，入射角小的光易从折射率大的薄膜层进入隔离层中，进而导致光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜结构，其特征在于，包括衬底层，形成在所述衬底层顶表面上的第一复合隔离层，及形成在所述第一复合隔离层上的至少两个薄膜层；相邻两个薄膜层之间设有第二隔离层；所述第一复合隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层；其中，所述薄膜层用于传输信号，所述第一复合隔离层和所述第二隔离层用于防止信号泄露。2.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，所述第二隔离层包括一个子隔离层。3.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，所述第二隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层。4.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，每个所述薄膜层的材料均相同；或者，至少两个所述薄膜层的切向不同；或者，至少两个所述薄膜层的材料不同。5.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，所述薄膜层用于传输光信号、声波信号或信息存储。6.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，每个所述薄膜层的厚度为10nm～1μm。7.根据权利要求1所述的复合薄膜结构，其特征在于，还包括设置在所述衬底层的底表面上的补偿层，所述补偿层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀全，李洋洋，朱厚彬，李真宇，张涛，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：