量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有电子吸收层，所述电子吸收层含有能吸收电子的材料。在空穴传输层靠近阳极的一侧设置含吸收电子的材料的电子吸收层，所以在空穴传输层和电子吸收层的界面处电子被电子吸收层吸收，同时在空穴传输层中产生等量的空穴，从而提高了空穴传输层中的载流子密度，这样可提高空穴传输层的空穴传输效率，使器件的电荷注入平衡得到改善，最终提高了器件的发光效率和寿命。了器件的发光效率和寿命。了器件的发光效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]基于量子点技术的发光二极管即量子点发光二极管(QLED)由于具有高度的可靠性、颜色可调、半峰宽窄、高色域、高饱和度、制备简单等优点，成为显示技术未来的主要发展方向。近几年，QLED技术已经获得了显著的发展，无论是在效率还是在寿命上都实现了很大的跨越，其中红绿色器件的性能已经达到了应用的要求，蓝色器件也不断取得进展。
[0003]QLED器件一开始主要是借鉴OLED器件的经验是发展起来的，由于无机量子点材料具有较深的能级，所以在电荷注入方面与OLED器件具有较大差异。通过采用氧化锌(ZnO)纳米颗粒作为电子传输层，极大地提高了QLED器件的电子注入效率。但是，由于量子点的价带能级较深，导致了较大的空穴注入势垒，影响了空穴注入的效率，导致量子点层的电荷注入不平衡，极大地制约了QLED器件的效率和寿命。
[0004]因此，现有技术有待改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层，其特征在于，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有电子吸收层，所述电子吸收层含有能吸收电子的材料。2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子吸收层由所述能吸收电子的材料组成；和/或，所述能吸收电子的材料的LUMO能级低于或等于所述空穴传输层的HOMO能级。3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述能吸收电子的材料选自富勒烯C
60
和富勒烯C
70
中的至少一种；和/或，所述电子吸收层的厚度为4-8nm。4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子吸收层由富勒烯C60和富勒烯C70中的至少一种组成。5.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层，且所述电子吸收层位于所述空穴注入层和所述空穴传输层之间。6.如权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述能吸收电子的材料的LUMO能级低于或等于所述空穴注入传输层的HOMO能级。7.一种量子点发光二极管的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兴远，徐威，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：